GIL三结合点表面等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，GIL三结合点表面等离子体处理装置中，等离子体矩管尖端对准GIL绝缘子、导体和气体接触结合处的GIL三结合点表面，气瓶经由气管连接所述等离子体矩管相反于所述尖端的尾端，放电电极环绕地套设于所述等离子体矩管，匹配器连接所述放电电极的两端，射频电源连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。

【技术实现步骤摘要】
GIL三结合点表面等离子体处理装置


[0001]本专利技术涉及GIS盆式绝缘子绝缘
，尤其涉及一种GIL三结合点表面等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]复合绝缘结构在均匀或稍不均匀电场作用下，两种不同介质分界面附近的电场，导致电场加强。这一理论实际上就是复合绝缘结构中放电往往发生在不同介质分界面的内在原因。通常认为带有固体绝缘介质的气体间隙由于介质沿面放电导致了整个绝缘结构击穿强度的降低。
[0003]产生沿面放电的内在原因是：气体和固体绝缘的介电常数不同，在电场垂直分量作用下固体绝缘表面电场发生畸变，使沿面固体绝缘表面局部电场增强，导致三结合点处气体放电。目前主要的优化方法为，改善结合点处电场结构，未能根本上提高三结合点绝缘能力。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此可能包含不构成本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，显著提高GIL三结合点绝缘性。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，其特征在于，其包括，等离子体矩管，其尖端对准GIL绝缘子、导体和气体接触结合处的GIL三结合点表面，气瓶，其经由气管连接所述等离子体矩管相反于所述尖端的尾端，放电电极，其环绕地套设于所述等离子体矩管，匹配器，其连接所述放电电极的两端，射频电源，其连接所述匹配器以构成等离子体发生电路。2.根据权利要求1所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，其特征在于，优选的，所述等离子体炬管为石英炬管。3.根据权利要求1所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体炬管直径为40mm。4.根据权利要求1所述的一种GIL三结合点表面等离子体处理装置，其特征在于，所述气管为尼龙气管。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚聪伟，王增彬，孙帅，杨贤，宋坤宇，李兴旺，邰彬，庞小峰，吴勇，高超，周福升，黄若栋，杨芸，熊佳明，王国利，
申请(专利权)人：南方电网科学研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：