【技术实现步骤摘要】
一种wafer性能测试点样一体机
[0001]本技术涉及晶圆蚀刻后点样、测试
,具体为一种wafer性能测试点样一体机。
技术介绍
[0002]Wafer一般指晶圆,晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。
[0003]点样机又称涂胶机、滴胶机、打胶机、灌胶机等,专门对流体进行控制。并将流体点滴、涂覆于产品表面或产品内部的自动化机器,可实现三维、四维路径点样,精确定位,精准控胶,不拉丝,不漏胶,不滴胶。点样机主要用于产品工艺中的胶水、油漆以及其他功能液体 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种wafer性能测试点样一体机,其特征在于,包括系统控制柜(1),所述系统控制柜(1)的底部对称设有承重调平支撑脚(2)和万向福马轮(3),所述系统控制柜(1)的顶部设有晶圆放置机构、位置调节机构和性能测试与点样一体机构;所述晶圆放置机构设于所述系统控制柜(1)的上方,所述晶圆放置机构用于在晶圆进行性能测试和点样时放置晶圆,所述晶圆放置机构包括气浮减震器(401)、大理石平台(402)和Y轴控制组件(403),所述气浮减震器(401)固接在系统控制柜(1)的顶部,所述大理石平台(402)设于所述气浮减震器(401)的顶部,所述Y轴控制组件(403)设于所述大理石平台(402)的顶部;所述位置调节机构设于所述大理石平台(402)顶部上,所述位置调节机构用于性能测组件和点样机位置的调节;所述性能测试与点样一体机构设于位置调节机构上,所述性能测试与点样一体机构用于晶圆的性能测试和点样加工,所述性能测试与点样一体机构包括安装板(601)、性能测试组件(602)和点样机(603),所述安装板(601)设于所述位置调节机构上,所述安装板(601)分别与所述大理石平台(402)和所述Y轴控制组件(403)垂直设置,所述性能测试组件(602)和所述点样机(603)均设于所述安装板(601)上,所述点样机(603)位于所述性能测试组件(602)的右侧或前方,所述能测试组件(602)中心点和所述点样机(603)的中心点连线与所述安装板(601)平行或垂直。2.如权利要求1所述的wafer性能测试点样一体机,其特征在于,所述系统控制柜(1)的顶部设有刚性支撑平台,所述气浮减震器(401)设于所述刚性支撑平台上,所述大理石平台(402)上设有万向水平仪(404),所述Y轴控制组件(403)的顶部设有高精度旋转平台(405...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏文君,杨兴昌,葛平,徐建国,
申请(专利权)人:合肥米亚科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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