一种利用短缩茎切片组培繁殖吉姆蕨的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用短缩茎切片组培繁殖吉姆蕨的方法，包括如下步骤：1)中间繁殖体诱导；2)中间繁殖体增殖与分化培养；3)分化芽的壮苗生根；4)无菌苗的驯化与移栽。采用本发明专利技术所述方法对吉姆蕨进行组培快繁，其短缩茎利用率高，中间繁殖体诱导时间短，增殖率高，可缩短吉姆蕨组培快繁周期，生产的种苗品质一致。生产的种苗品质一致。生产的种苗品质一致。

【技术实现步骤摘要】
一种利用短缩茎切片组培繁殖吉姆蕨的方法


[0001]本专利技术属于植物种苗生产
，具体涉及一种利用短缩茎切片组培繁殖吉姆蕨的方法。

技术介绍

[0002]蕨类植物是植物界的一大类群，多生长于温暖、湿润的环境中，热带和亚热带最为繁茂，常见于阴湿地或树干附生。蕨类植物多属多年生草本，叶美丽多姿。
[0003]吉姆蕨又称澳洲宝石(Austral Gem)，是Asplenium(铁角蕨属)dimorpum和Asplenium diforme杂交后培育而成的品种，株形漂亮、易种植、叶腊质光滑、能忍耐室内干燥空气环境，成为室内观叶植物新宠。吉姆蕨可作为盆栽，同时也能作为鲜切叶，用于插花点缀烘托主题以供观赏。
[0004]吉姆蕨孢子不育，繁殖只能采用分株进行。一株吉姆蕨一年只能繁殖出1
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3株，繁殖系数极低，远不能满足市场的需求。
[0005]专利《一种澳洲宝石种苗的组培快繁方法》(公开号：CN 108077081 A)所述方法存在外植体利用率不高，初代原球茎诱导时间长的不足。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是针对上述不足，提供一种利用短缩茎切片组培繁殖吉姆蕨的方法。采用本专利技术所述方法对吉姆蕨进行组培快繁，其短缩茎利用率高，中间繁殖体诱导时间短，增殖率高，可缩短吉姆蕨组培快繁周期，生产的种苗品质一致。
[0007]本专利技术采取的技术方案如下：
[0008]一种利用短缩茎切片组培繁殖吉姆蕨的方法，包括以下步骤：
[0009](1)中间繁殖体诱导：剥去吉姆蕨短缩茎上的叶柄并剪去茎顶部绒毛，然后进行无菌处理，将经无菌处理的短缩茎平周切成薄片，置于含1/2MS+4.0～6.0mg/L 6
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BA+0.4～0.6mg/LNAA+0.2～0.8g/L活性炭+20～50g/L白砂糖的培养基中进行培养，直至全部薄片转绿且表面分化出颗粒状突起的中间繁殖体；
[0010](2)中间繁殖体增殖与分化培养：取上述中间繁殖体置于含1/2MS+2.0～4.0mg/L 6
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BA+0.2～0.4mg/L NAA+0.2～0.8g/L活性炭+20～50g/L白砂糖的培养基中进行培养，直至颗粒状中间繁殖体分化成芽；
[0011](3)分化芽的壮苗生根：将中间繁殖体增殖过程中分化出来的健壮芽挑出，置于含1/2MS+0.1～0.2mg/L IBA+0.3～0.7mg/L NAA+0.2～0.8g/L活性炭+20～50g/L白砂糖的培养基中进行培养，使芽继续生长并诱导出完整根系，随后进行驯化移栽；
[0012](4)无菌苗的驯化移栽：将具有完整根系的无菌苗取出，去除培养基并移栽进泥炭土基质内。
[0013]进一步地，步骤(1)中的无菌处理，具体为：将短缩茎用0.6％消毒液浸泡振荡30分钟，去离子水冲洗干净，再在0.1％升汞溶液中浸泡振荡15～20分钟，灭菌去离子水冲洗3
次，再用0.1％升汞溶液浸泡振荡10～15分钟，最后用无菌水冲洗6次。
[0014]所述的0.6％消毒液是由有效氯成分18％的君鸿牌消毒粉配制而成。
[0015]步骤(1)中，薄片的厚度为1.0～1.5毫米。
[0016]步骤(1)的培养条件为：培养温度23～25℃，光照1800～2000Lux，光照时间为每天10小时。
[0017]步骤(2)的培养条件为：培养温度24～26℃，光照3000～3500Lux，光照时间为每天10小时。
[0018]步骤(4)中泥炭土基质的粗细规格为0～10mm。
[0019]进一步地，上述的以短缩茎切片繁殖吉姆蕨的组培快繁方法还包括以下步骤：移栽后第一周用75％遮阳网覆盖，控制湿度85～95％，保持温度为24～28℃，光照5000～7000Lux。
[0020]本专利技术的有益效果为：
[0021]1、本专利技术将吉姆蕨的短缩茎以平周方式切成1.0～1.5毫米厚的薄片，既可以最大限度的利用短缩茎，同时可以更快的诱导出中间繁殖体，并且中间繁殖体诱导培养基添加0.2～0.8g/L的活性炭，可以快速并有效地诱导出中间繁殖体，培养40～50天可见全部薄片转绿且表面分化出颗粒状突起的中间繁殖体。2、中间繁殖体分化培养基添加0.2～0.8g/L的活性炭，可以有效促进颗粒状中间繁殖体分化成芽并健壮生长，此外在中间繁殖体增殖与分化中逐渐降低培养基中6
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BA含量，在获得中间繁殖体增殖的同时也可以促进中间繁殖体分化出完整植株，缩短后期壮苗及生根的时间。
附图说明
[0022]图1为吉姆蕨组培快繁各阶段。
具体实施方式
[0023]以下实施例是对本专利技术的进一步说明，而不是对本专利技术的限制。
[0024]实施例1
[0025]一种利用短缩茎切片组培繁殖吉姆蕨的方法，包括以下步骤：
[0026](1)外植体选择：取吉姆蕨短缩茎作为外植体；
[0027](2)外植体无菌处理：剥去所述短缩茎上的叶柄并剪去茎顶部绒毛，用0.6％消毒液(由有效氯成分18％的君鸿牌消毒粉配制而成)浸泡振荡30分钟，去离子水冲洗干净，再在0.1％升汞溶液中浸泡振荡15分钟，灭菌去离子水冲洗3次，再用0.1％升汞溶液浸泡振荡10分钟，最后用无菌水冲洗6次，消毒成功率约30％。
[0028](3)中间繁殖体诱导：将经无菌处理的短缩茎平周切成厚度为1.0毫米的薄片，平放于含有1/2MS+6.0mg/L 6
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BA+0.6mg/L NAA+0.8g/L活性炭+50g/L白砂糖的培养基中进行培养，培养温度为23～25℃，光照为1800～2000Lux，光照时间为每天10小时，培养40天左右可见全部薄片转绿且表面分化出颗粒状突起的中间繁殖体；
[0029](4)中间繁殖体增殖与分化培养：取上述中间繁殖体置于含1/2MS+2.0mg/L 6
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BA+0.2mg/L NAA+0.2g/L活性炭+20g/L白砂糖的培养基中进行培养，培养温度为24～26℃，光照为3000～3500Lux，光照时间为每天10小时，培养50天颗粒状中间繁殖体部分分化出芽，
中间繁殖体增殖率为1.2。
[0030](5)分化芽的壮苗生根：将中间繁殖体增殖过程中分化出来的健壮芽挑出，置于含1/2MS+0.1mg/L IBA+0.3mg/L NAA+0.2g/L活性炭+20g/L白砂糖的培养基中培养30天，使芽继续生长并诱导出完整根系，随后进行移栽驯化。
[0031](6)无菌苗的驯化与移栽：将具有完整根系的组培苗从瓶中取出，去除培养基并移栽进粗细规格为0～10mm的泥炭土基质内，移栽后第一周用75％遮阳网覆盖，控制湿度85～95％，保持温度为24～28℃，光照5000～7000Lux，成活率约95％。
[0032]吉姆蕨组培快繁各阶段见图1。
[0033]实施例2
[0034]一种利用短缩茎切片组培繁殖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用短缩茎切片组培繁殖吉姆蕨的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)中间繁殖体诱导：剥去吉姆蕨短缩茎上的叶柄并剪去茎顶部绒毛，然后进行无菌处理，将经无菌处理的短缩茎平周切成薄片，置于含1/2MS+4.0～6.0mg/L 6
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BA+0.4～0.6mg/L NAA+0.2～0.8g/L活性炭+20～50g/L白砂糖的培养基中进行培养，直至全部薄片转绿且表面分化出颗粒状突起的中间繁殖体；(2)中间繁殖体增殖与分化培养：取上述中间繁殖体置于含1/2MS+2.0～4.0mg/L 6
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BA+0.2～0.4mg/L NAA+0.2～0.8g/L活性炭+20～50g/L白砂糖的培养基中进行培养，直至颗粒状中间繁殖体分化成芽；(3)分化芽的壮苗生根：将中间繁殖体增殖过程中分化出来的健壮芽挑出，置于含1/2MS+0.1～0.2mg/L IBA+0.3～0.7mg/L NAA+0.2～0.8g/L活性炭+20～50g/L白砂糖的培养基中进行培养，使芽继续生长并诱导出完整根系，随后进行驯化移栽；(4)无菌苗的驯化移栽：将具有完整根系的无菌苗取出，去除培养基并移栽进泥炭土基质内。2.根据权利要求1所述的利用短缩...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴贤彬，周晓云，曾伟达，黄明翅，顾梦云，刘艳艳，张雪莲，易懋升，
申请(专利权)人：广州花卉研究中心，
类型：发明
国别省市：