【技术实现步骤摘要】
一种铜/低熔点合金复合热界面材料及其制备方法、应用
[0001]本专利技术涉及热界面材料
,具体涉及一种由铜和低熔点合金构成的复合热界面材料及其制备方法、应用。
技术介绍
[0002]随着电子元器件集成程度和组装密度的不断提高,其工作功耗和发热量也在急剧增大。在架构紧凑、操作狭窄的空间内,有效地带走高密度功率所产生的热量,较好的进行温度控制,已经成为热界面材料设计中至关重要的挑战之一。
[0003]基于液态金属等低熔点合金的热界面材料在较低工况温度下能熔化成液态,润湿并填充于两个固体界面的空隙,显著降低两界面间的接触热阻,突破了传统导热硅脂、导热硅胶等界面材料较低热导率的限制,在热管理领域中开辟了一条颇有希望的新途径。
[0004]然而低熔点合金导热片的成型需要进行金属熔炼、浇铸成锭、压制成片等制备工序,对设计合金配比有一定的要求,在满足工况熔点、高散热性能的同时还需要具备可加工性,但某些满足实际应用场景性能需求的金属配比,由于脆性大不适用于压片工艺,不能加工成片材,这就极大的限制了低熔点合金在热界面材
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铜/低熔点合金复合热界面材料,包括:铜基片及包覆于所述铜基片上下表面的低熔点合金涂层;其特征在于:所述铜基片具有有序排列的通孔结构;所述低熔点合金涂层通过所述铜基片的通孔相连。2.根据权利要求1所述的铜/低熔点合金复合热界面材料,其特征在于,所述铜基片的孔隙率为10%
‑
95%,孔径为0.01
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5mm;优选地,所述孔隙率为20
‑
50%,孔径为0.01
‑
1.5mm。3.根据权利要求2所述的铜/低熔点合金复合热界面材料,其特征在于,所述铜基片的厚度为20
‑
200μm;优选地,所述铜基片的厚度为20
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50μm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的铜/低熔点合金复合热界面材料,其特征在于,所述低熔点合金由镓、铟、锡、铋、锌、金、银、铜或铝中的一种及两种以上的金属单质组成;所述低熔点合金的熔点在5
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200℃之间。5.根据权利要求4所述的铜/低熔点合金复合热界面材料,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜旺丽,耿成都,安健平,邓中山,蔡昌礼,
申请(专利权)人:云南科威液态金属谷研发有限公司,
类型:发明
国别省市:
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