金属掩模的制作方法及金属掩模技术

一种金属掩模的制作方法，包含：提供基材定义有虚置图案区及开口图案区；形成导电图案层于基材表面，导电图案层包含第一导电图案形成于虚置图案区及第二导电图案形成于开口图案区，第一导电图案包含多个第一子图案，相邻两第一子图案之间具有第一间隔空间以暴露部分基材表面，第一间隔空间具有第一间距；进行电铸制程，于基材表面形成电铸膜，电铸膜具有铸膜厚度，其中第一间距小于铸膜厚度的两倍，电铸膜填满第一间隔空间；以及将电铸膜自基材及导电图案层分离，其中，形成于虚置图案区上的电铸膜上具有多个凹槽。一种金属掩模亦被提供。供。供。

【技术实现步骤摘要】
金属掩模的制作方法及金属掩模


[0001]本专利技术是有关一种金属掩模的制作技术，尤其是一种以电铸制程进行掩模制作的金属掩模的制作方法及金属掩模。

技术介绍

[0002]有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示器采用有机发光二极管(OLED)作为发光源，具有显示反应速度快、超宽视角、超高对比度和饱和度、色域宽广的优点。AMOLED面板在制程上需要采用有机发光材料作为发光源的有机成膜技术，其中真空蒸镀法是目前最为成熟，也是现有绝大部分量产的小尺寸AMOLED产品采用的有机成膜技术。在蒸镀过程中，需要使用精密金属掩模(Fine pitch Metal Mask，FMM)用于镀膜遮挡，产生像素图形，然后在真空环境下将有机材料加热使之蒸发并通过精密金属掩模在基板上选择沉积成膜。精密金属掩模属于AMOLED制程中的核心模具和耗材。
[0003]然而，精密金属掩模可能因为设计或是张网及激光焊接时，产生皱褶(wrinkle)问题，导致蒸镀时精密金属掩模无法与基板完整贴合，而影响蒸镀质量。目前可藉由在精密金属掩模的部分区域形成虚置图案(dummypattern)来抑制皱褶的产生，然而，现有以电铸技术制作具有虚置图案的精密金属掩模时，需藉由多次的微影制程及电铸制程，或者微影制程配合电铸及蚀刻制程，才能制作具有虚置图案的精密金属掩模，制程复杂且耗费产能。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种金属掩模的制作方法及金属掩模，其中，金属掩模可与基板完整贴合，而具有较佳的蒸镀质量。
[0005]本专利技术所提供的金属掩模的制作方法，包含：提供基材，包含基材表面，基材表面定义有虚置图案区及开口图案区；形成导电图案层于基材表面，导电图案层包含第一导电图案及第二导电图案，第一导电图案形成于虚置图案区，第二导电图案形成于开口图案区，其中，第一导电图案包含多个第一子图案，相邻两第一子图案之间具有第一间隔空间以暴露部分基材表面，且第一间隔空间具有一第一间距；进行电铸制程，于基材表面形成电铸膜，电铸膜具有铸膜厚度，其中第一间距小于铸膜厚度的两倍，电铸膜覆盖第一导电图案及第二导电图案，其中电铸膜填满第一子图案之间的第一间隔空间；以及将电铸膜自基材及导电图案层分离，其中，形成于虚置图案区上的电铸膜上具有多个第一凹槽，形成于开口图案区上的电铸膜具有多个开孔。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的第二导电图案包含多个第二子图案，每一第二子图案包含侧面，每一开孔包含第一内侧壁，铸膜厚度为侧面至第一内侧壁之间的距离。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的相邻的第二子图案之间具有第二间隔空间以暴露部分基材表面，且第二间隔空间具有第二间距，第二间距大于铸膜厚度的两倍。
[0008]在本专利技术的一实施例中，进行上述的电铸制程时，第二间隔空间未被电铸膜填满，
而保留多个开孔空间，作为电铸膜的开孔。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的第一凹槽介于两相邻第一子图案之间。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的第一凹槽具有开口部及沟底部，第一凹槽由开口部朝沟底部呈凹槽渐缩状的V字轮廓。
[0011]本专利技术所提供的金属掩模，包含本体、开孔、第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽。本体包含开口图案部及虚置图案部，本体包含相对的第一表面及第二表面；开孔形成于开口图案部，开孔贯穿第一表面及第二表面，每一开孔包含第一内侧壁；第一凹槽形成于虚置图案部的第一表面；第二凹槽形成于虚置图案部的第二表面，每一第一凹槽介于两相邻第二凹槽之间，且相邻两第二凹槽之间具有第一间距；第三凹槽形成于开口图案部的第二表面，每一第三凹槽介于两相邻开孔之间，每一第三凹槽包含第二内侧壁，第二内侧壁及第一内侧壁之间具有铸膜厚度，其中第一间距小于铸膜厚度的两倍。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的相邻两第三凹槽之间具有第二间距，第二间距大于铸膜厚度的两倍。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述的开孔的形状选自圆形、矩形、方形、六角形及多边形其中之一或其组合，且开孔呈矩阵排列。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的第二凹槽呈矩形条状，第二凹槽平行且间隔排列。
[0015]在本专利技术的一实施例中，上述的第一凹槽具有开口部及沟底部，第一凹槽由开口部朝沟底部呈凹槽渐缩状的V字轮廓。
[0016]在本专利技术的一实施例中，上述的虚置图案部的个数为多个，分别位于开口图案部的相对两侧。
[0017]本专利技术使位于虚置图案区上的导电图案层中相邻子图案间的间距小于铸膜厚度的两倍，以便经由一次的电铸制程形成电铸膜作为金属掩模时，在金属掩模形成有具盲孔的虚置图案部，以防止金属金罩于张网或是进行激光焊接时产生皱褶问题。
[0018]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0019]图1A至图1D所示是本专利技术一实施例金属掩模的制作方法的部分剖面示意图。
[0020]图2A至图2D所示是本专利技术一第一实施例金属掩模的制作方法的俯视示意图。
[0021]图3A至图3D所示是本专利技术一第二实施例金属掩模的制作方法的俯视示意图。
[0022]图4是本专利技术一实施例金属掩模的剖面结构示意图。
[0023]图5A及图5B所示分别是本专利技术金属掩模不同态样示意图。
[0024]其中，附图标记：
[0025]10:基材
[0026]101:基材表面
[0027]12:虚置图案区
[0028]14:开口图案区
[0029]16、16A:导电图案层
[0030]18、18A:第一导电图案
[0031]181、181A:第一子图案
[0032]182、182A:第一间隔空间
[0033]20:第二导电图案
[0034]201:第二子图案
[0035]202:第二间隔空间
[0036]203:侧面
[0037]D1:第一方向
[0038]D2:第二方向
[0039]S1:第一间距
[0040]S2、S2
’
:第二间距
[0041]22、22A:电铸膜
[0042]221:开孔空间
[0043]221a:开孔
[0044]222:第一内侧壁
[0045]T:铸膜厚度
[0046]24、24A:第一凹槽
[0047]241:开口部
[0048]242:沟底部
[0049]30、30A、30B、30C:金属掩模
[0050]32:本体
[0051]321:第一表面
[0052]322:第二表面
[0053]34:第二凹槽
[0054]36:第三凹槽
[0055]361:第二内侧壁
[0056]38:虚置图案部
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属掩模的制作方法，其特征在于，包含：提供一基材，包含一基材表面，该基材表面定义有至少一虚置图案区及至少一开口图案区；形成一导电图案层于该基材表面，该导电图案层包含一第一导电图案及一第二导电图案，该第一导电图案形成于该至少一虚置图案区，该第二导电图案形成于该至少一开口图案区，其中，该第一导电图案包含多个第一子图案，相邻两该些第一子图案之间具有一第一间隔空间以暴露部分该基材表面，且该第一间隔空间具有一第一间距；进行一电铸制程，于该基材表面形成一电铸膜，该电铸膜具有一铸膜厚度，其中该第一间距小于该铸膜厚度的两倍，该电铸膜覆盖该第一导电图案及该第二导电图案，其中该电铸膜填满该第一子图案之间的该第一间隔空间；以及将该电铸膜自该基材及该导电图案层分离，其中，形成于该至少一虚置图案区上的该电铸膜具有多个第一凹槽，形成于该至少一开口图案区上的该电铸膜具有多个开孔。2.如权利要求1所述的金属掩模的制作方法，其特征在于，其中，该第二导电图案包含多个第二子图案，每一该些第二子图案包含一侧面，每一该些开孔包含一第一内侧壁，该铸膜厚度为该侧面至该第一内侧壁之间的距离。3.如权利要求1所述的金属掩模的制作方法，其特征在于，其中，相邻两该些第二子图案之间具有一第二间隔空间以暴露部分该基材表面，且该第二间隔空间具有一第二间距，该第二间距大于该铸膜厚度的两倍。4.如权利要求3所述的金属掩模的制作方法，其特征在于，其中，进行该电铸制程时，该第二间隔空间未被该电铸膜填满，而保留多个开孔空间，作为该电铸膜的该些开孔。5.如权利要求1所述的金属掩模的制作方法，其特征在于，其中，该些第一凹槽介于两相邻该些第一子图案之间。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨芸佩，余俊毅，
申请(专利权)人：达运精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：