本发明专利技术公开了一种次氯酸钠发生器阻垢剂及阻垢方法。一种次氯酸钠发生器阻垢剂,包括以下组分:磺酸类共聚物阻垢剂、有机磷阻垢剂、氨基羧酸盐;磺酸类共聚物阻垢剂、有机磷阻垢剂、氨基羧酸盐的质量比为1:(1
【技术实现步骤摘要】
一种次氯酸钠发生器阻垢剂及阻垢方法
[0001]本专利技术涉及化工领域,具体涉及一种次氯酸钠发生器阻垢剂及阻垢方法。
技术介绍
[0002]目前市面上的次氯酸钠发生器,均配备有软水器以降低进水硬度,但均未应用阻垢剂来解决电解槽结垢问题。在低硬度(小于100mg/L)进水下,运行不存在太大问题,只需定期对电解槽的结垢物进行酸洗即可。但这些设备在高硬度(大于400mg/L)进水下,很容易超过软水器处理负荷,从而在短时间内产生严重的结垢现象,影响设备的正常稳定运行和次氯酸钠成品液的质量。需要研发一种适用于次氯酸钠发生器的阻垢剂满足设备在高硬度进水下,能够稳定的进行电解,不会产生结垢物堆积在电极上以及导致设备运行不稳定的问题。
技术实现思路
[0003]为了克服现有技术存在无法有效解决次氯酸钠发生器结垢的问题,本专利技术的目的之一在于提供一种次氯酸钠发生器阻垢剂,本专利技术的目的之二在于提供一种次氯酸钠发生器的阻垢方法。
[0004]为了实现上述目的,本专利技术所采取的技术方案是:
[0005]一种次氯酸钠发生器阻垢剂,包括以下组分:磺酸类共聚物阻垢剂、有机磷阻垢剂、氨基羧酸盐;磺酸类共聚物阻垢剂、有机磷阻垢剂、氨基羧酸盐的质量比为1:(1
‑
4):(1
‑
5)。
[0006]优选的,这种次氯酸钠发生器阻垢剂中,磺酸类共聚物阻垢剂、有机磷阻垢剂、氨基羧酸盐的质量比为1:(1
‑
2):(2
‑
3);进一步优选的,磺酸类共聚物阻垢剂、有机磷阻垢剂、氨基羧酸盐的质量比为1:1.5:2.5。
[0007]优选的,这种次氯酸钠发生器阻垢剂中,磺酸类共聚物阻垢剂包括AA/AMPS(丙烯酸与2
‑
甲基
‑2’‑
丙烯酰胺基丙烷磺酸共聚物)、AA/AMPS/HPA(丙烯酸
‑2‑
丙烯酰胺
‑2‑
甲基丙磺酸
‑
丙烯酸羟丙酯)中的至少一种;进一步优选的,磺酸类共聚物阻垢剂为AA/AMPS(丙烯酸与2
‑
甲基
‑2’‑
丙烯酰胺基丙烷磺酸共聚物)。
[0008]优选的,这种次氯酸钠发生器阻垢剂中,有机磷阻垢剂包括氨基三甲叉膦酸钾(ATMP
·
Kx)、氨基三甲叉膦酸四钠(ATMP
·
4Na)、氨基三甲叉膦酸五钠(ATMP
·
5Na)中的至少一种;进一步优选的,有机磷阻垢剂包括氨基三甲叉膦酸钾(ATMP
·
Kx)、氨基三甲叉膦酸四钠(ATMP
·
4Na)中的一种;再进一步优选的,有机磷阻垢剂为氨基三甲叉膦酸钾(ATMP
·
Kx)。
[0009]优选的,这种次氯酸钠发生器阻垢剂中,氨基羧酸盐包括二乙烯三胺五乙酸五钠(DTPA
‑
5Na)、氨三乙酸钠(NTA)、乙二胺四乙酸盐中的至少一种;进一步优选的,氨基羧酸盐包括二乙烯三胺五乙酸五钠(DTPA
‑
5Na)、氨三乙酸钠(NTA)、乙二胺四乙酸二钠(EDTA二钠)、乙二胺四乙酸四钠(EDTA四钠)中的至少一种;再进一步优选的,氨基羧酸盐包括二乙
烯三胺五乙酸五钠(DTPA
‑
5Na)、氨三乙酸钠(NTA)中的至少一种;更进一步优选的,氨基羧酸盐为二乙烯三胺五乙酸五钠(DTPA
‑
5Na)。
[0010]优选的,这种次氯酸钠发生器阻垢剂的pH为10
‑
12;进一步优选的,阻垢剂的pH为11
‑
12;再进一步优选的,阻垢剂的pH为12。
[0011]进一步优选的,阻垢剂的pH调节剂包括NaOH、NaCO3、NaHCO3中的至少一种;再进一步优选的,阻垢剂的pH调节剂为NaOH。
[0012]本专利技术还提供了上述阻垢剂在次氯酸钠发生器阻垢和/或除垢中的应用。
[0013]本专利技术还提供了一种次氯酸钠发生器的阻垢方法,次氯酸钠发生器包括软水装置、溶盐装置、电解装置和成品存储装置;电解装置在电解运行过程中投加上述阻垢剂,实现次氯酸钠发生器的阻垢。
[0014]优选的,这种次氯酸钠发生器的阻垢方法,次氯酸钠发生器还包括阻垢药剂罐;阻垢药剂罐中含有阻垢剂;溶盐装置中含有盐水;阻垢药剂罐中的阻垢剂与溶盐系统中的盐水一同进入电解装置内,实现次氯酸钠发生器的阻垢。
[0015]进一步优选的,这种次氯酸钠发生器的阻垢方法,阻垢剂与盐水一同进入电解装置时的体积比为1:(95
‑
105);进一步优选的,阻垢剂与盐水一同进入电解装置时的体积比为1:(97
‑
102);再进一步优选的,阻垢剂与盐水一同进入电解装置时的体积比为1:(98
‑
100);更进一步优选的,阻垢剂与盐水一同进入电解装置时的体积比为1:99。
[0016]优选的,这种次氯酸钠发生器的阻垢方法中,电解装置的进水硬度≥100mg/L;进一步优选的,电解装置的进水硬度≥200mg/L;再进一步优选的,电解装置的进水硬度≥400mg/L;更进一步优选的,电解装置的进水硬度为400
‑
600mg/L。
[0017]优选的,这种次氯酸钠发生器的阻垢方法中,阻垢剂中的磺酸类共聚物阻垢剂在电解装置中的质量浓度为0.5
‑
4mg/L;进一步优选的,阻垢剂中的磺酸类共聚物阻垢剂在电解装置中的质量浓度为1
‑
3mg/L;再进一步优选的,阻垢剂中的磺酸类共聚物阻垢剂在电解装置中的质量浓度为1.5
‑
2.5mg/L;更进一步优选的,阻垢剂中的磺酸类共聚物阻垢剂在电解装置中的质量浓度为2mg/L。
[0018]优选的,这种次氯酸钠发生器的阻垢方法中,阻垢剂中的有机磷阻垢剂在电解装置中的质量浓度为1
‑
5mg/L;进一步优选的,阻垢剂中的有机磷阻垢剂在电解装置中的质量浓度为2
‑
4mg/L;再进一步优选的,阻垢剂中的有机磷阻垢剂在电解装置中的质量浓度为2.5
‑
3.5mg/L;更进一步优选的,有阻垢剂中的有机磷阻垢剂在电解装置中的质量浓度为3mg/L。
[0019]优选的,这种次氯酸钠发生器的阻垢方法中,阻垢剂中的氨基羧酸盐在电解装置中的质量浓度为3
‑
7mg/L;进一步优选的,阻垢剂中的氨基羧酸盐在电解装置中的质量浓度为4
‑
6mg/L;再进一步优选的,阻垢剂中的氨基羧酸盐在电解装置中的质量浓度为4.5
‑
5.5mg/L;更进一步优选的,阻垢剂中的氨基羧酸盐在电解装置中的质量浓度为5mg/L。
[0020]优选的,这种次氯酸钠发生器的阻垢方法中,次氯酸钠发生器的制氯量≥100g/h;进一步优选的,次氯酸钠发生器的制氯量≥200g/h;再进一步优选的,次氯本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种次氯酸钠发生器阻垢剂,其特征在于,包括以下组分:磺酸类共聚物阻垢剂、有机磷阻垢剂、氨基羧酸盐;所述的磺酸类共聚物阻垢剂、有机磷阻垢剂、氨基羧酸盐的质量比为1:(1
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4):(1
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5)。2.根据权利要求1所述的次氯酸钠发生器阻垢剂,其特征在于,所述的磺酸类共聚物阻垢剂包括AA/AMPS、AA/AMPS/HPA中的至少一种。3.根据权利要求1所述的次氯酸钠发生器阻垢剂,其特征在于,所述的有机磷阻垢剂包括氨基三甲叉膦酸钾、氨基三甲叉膦酸四钠、氨基三甲叉膦酸五钠中的至少一种。4.根据权利要求1所述的次氯酸钠发生器阻垢剂,其特征在于,所述的氨基羧酸盐包括二乙烯三胺五乙酸五钠、氨三乙酸钠、乙二胺四乙酸盐中的至少一种。5.根据权利要求1所述的次氯酸钠发生器阻垢剂,其特征在于,所述的阻垢剂的pH为10
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12。6.权利要求1
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...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘齐鑫,欧阳旭,
申请(专利权)人:广州新奥环境技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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