【技术实现步骤摘要】
外触发触控传感阵列及其制备方法
[0001]本专利技术涉及传感
,尤其涉及一种外触发触控传感阵列及其制备方法。
技术介绍
[0002]近年来,随着可穿戴产品的迅速发展,柔性传感器组件成为研究人员探索的热点课题之一。其中,柔性触控传感器尤其受到广泛的关注,在包括人工电子皮肤、柔性触屏、智能机器人及医疗健康等领域都具有非常广阔的市场前景。
[0003]目前,对柔性触控传感器的研究可基于多种工作原理,主要包括电容式、电阻式、压电式和薄膜晶体管式。对于大面积薄膜触控传感阵列,由于像素数量的急剧增加,其存在功耗高、驱动电路复杂、延时长、信号串扰严重等问题,难以满足复杂场景的应用需求。并且采用传统的全阵列逐行逐列扫描的方式实现对触控传感阵列表面的触控进行响应和识别,带来了显著的功耗并依赖于外围复杂的硅芯片控制电路。
[0004]因此,如何在满足低功耗的情况下,降低触控传感器的延时,从而实现对阵列集成结构和电路性能与功耗的设计优化,是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种外触发触控传感阵列,其特征在于,包括:衬底;双栅薄膜晶体管阵列,位于所述衬底表面,包括呈阵列排布的多个双栅薄膜晶体管;下隔离柱,位于所述双栅薄膜晶体管阵列背离所述衬底的表面;底层柔性防静电薄膜,位于所述下隔离柱上方,且所述底层柔性防静电薄膜朝向所述下隔离柱的底面具有共面电极、所述底层柔性防静电薄膜背离所述下隔离柱的顶面具有触发行电极;上隔离柱,位于所述触发行电极背离所述衬底的表面;顶层柔性防静电薄膜,位于所述上隔离柱上方,所述顶层柔性防静电薄膜朝向所述上隔离柱的底面具有共面顶电极。2.根据权利要求1所述的外触发触控传感阵列,其特征在于,所述双栅薄膜晶体管包括:位于所述衬底表面的底栅电极;覆盖所述底栅电极的绝缘层;位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极;覆盖所述源电极和所述漏电极的半导体层;覆盖所述半导体层的钝化层;覆盖所述钝化层的顶栅电极。3.根据权利要求2所述的外触发触控传感阵列,其特征在于,所述双栅薄膜晶体管阵列中,同一行的所有所述双栅薄膜晶体管的所述底栅电极均与同一条行驱动线连接;所述双栅薄膜晶体管阵列中,同一列的所有所述双栅薄膜晶体管的所述漏电极均与同一条列扫描数据线连接;所述双栅薄膜晶体管阵列中,所有所述双栅薄膜晶体管的所述源电极均与同一条公共电极线连接。4.根据权利要求3所述的外触发触控传感阵列,其特征在于,所述触发行电极的数量为多个,且多个所述触发行电极与多条所述行驱动线一一对应连接。5.根据权利要求1所述的外触发触控传感阵列,其特征在于,还包括:压敏薄膜或者光敏薄膜,位于所述双栅薄膜晶体管与所述共面电极之间。6.根据权利要求1所述的外触发触控传感阵列,其特征在于,在沿垂直于所述衬底的方向上,同一个所述双栅薄膜晶体管中的所述顶栅电极的投影面积大于或等于所述底栅电极的投影面积。7.根据权利要求1所述的外触发触控传感阵列,其特征在于,所述上隔离柱和所述下隔离柱的材料均为聚二甲基硅氧烷、聚己二酸/对苯二甲酸丁二酯共混物、聚氨酯或者光刻胶。8.根据权利要求1所述的外触发触控传感阵列,其特征在于,所述下...
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