【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件热阻抗网络模型的评价方法
：
[0001]本专利技术涉及一种半导体器件热阻抗网络模型的评价方法，属于半导体器件瞬态热测试
技术介绍
：
[0002]半导体器件的热阻是关系半导体器件及其所在系统的可靠性的重要因素，是进行半导体器件及电子电路热设计的极为重要的参考条件之一。
[0003]而对于即将付之使用的封装好的半导体器件的实际结
‑
壳热阻难以直接测量的。而电学法因其非破坏性与便捷性，是解决这一问题的常用方法。而基于电学法获取温升响应曲线，以推测从芯片有源区到结壳的各部分热阻构成的结构函数法是目前半导体器件可靠性分析的重要手段之一。
[0004]然而，对于结构函数法获取的热阻网络模型，当前还缺乏实际有效的评价方法。实际应用中易想到的通过foster型网络模型反推结温升响应曲线的方法并无实际的物理意义，对于稍有复杂的结构，即无法实际产生作用。
[0005]本专利技术实现的基于所得的半导体器件的Cauer型网络模型，反推结温升响应曲线的方法，更加符合实际的物理模型，是更...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件瞬态热阻抗网络的评价方法，其特征在于：基于被测半导体器件的Cauer型网络模型，通过数值方法推导半导体器件在某功率激励下的估计结温升响应曲线，并通过对被测半导体器件加载上述功率激励，提取相应的实测结温升响应曲线并与上述估计结温升响应曲线对比，根据两曲线符合程度，获得半导体器件瞬态热阻抗网络的准确度。2.如权利要求1所述的评价方法，其特征在于：所述功率激励为加载某恒定功率，直到器件结温升持续30s以上变化量小于1％时，瞬间切断功率后的情况。此时上述结温升响应曲线即恒定功率P之后的冷却响应曲线。3.如权利要求2所述的评价方法，其特征在于通过以下方法提取实测冷却响应曲线：通过提取不高于半导体器件额定工作电流的0.1％的恒定小电流下半导体器件中pn结或肖特基结的结压降，并提取该结压降与温度对...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯士维，白昆，李轩，潘世杰，鲁晓庄，刘浩田，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。