【技术实现步骤摘要】
电致发光器件、其制备方法和显示器件
[0001]本专利技术涉及电子显示
,尤其是涉及一种电致发光器件、其制备方法和显示器件。
技术介绍
[0002]作为可视信息传输媒介的显示器件在人们的日常生产生活中扮演着越来越重要的角色。为了提升实际使用性能,显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
[0003]量子点发光二极管(QLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高及可轻薄化等优点,被认为是继有机发光二极管之后最有潜力的可用作显示器件的发光二极管。通常的显示面板中包括红、绿、蓝三种颜色的发光二极管。通过控制同一像素上的三色发光二极管各自的光强,可以调配出不同颜色的光。传统的量子点发光二极管中,红、绿两色的量子点发光二极管在效率和寿命上均已逐渐提升至能够满足基本的商业化需求,但蓝色的量子点发光二极管进展较为缓慢,其性能距离满足商业化需求还存在较大差距。这限制了以量子点发光二极管作为显示器件中发光元件的充分利用,减缓了其商业化进程。
技术实现思路
[0004]基于此,本专利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件,其特征在于,包括:相对设置的阴极和阳极;同层设置于所述阴极与所述阳极之间的红色子发光单元、绿色子发光单元和蓝色子发光单元;其中,所述红色子发光单元包括红色量子点发光层;所述绿色子发光单元包括绿色量子点发光层;所述蓝色子发光单元包括蓝光Micro
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LED功能主体,所述蓝光Micro
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LED功能主体中包括p型半导体层和n型半导体层,所述p型半导体层相较于所述n型半导体层靠近于所述阳极设置。2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,还包括:钝化层,所述钝化层用于封装所述蓝光Micro
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LED功能主体;其中,所述阴极和所述阳极中的一者为顶电极,所述钝化层包覆所述蓝光Micro
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LED功能主体的侧壁,或者,所述钝化层包覆所述蓝光Micro
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LED功能主体的侧壁以及靠近所述顶电极的部分端面。3.根据权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述钝化层的材料选自氮化硅、二氧化硅和氧化铝的一种或多种。4.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,还包括:像素界定层,所述像素界定层限定出多个间隔分布的开口区域,所述多个开口区域用于容纳所述红色子发光单元、所述绿色子发光单元和所述蓝色子发光单元;其中,所述阴极和所述阳极中的一者为顶电极,所述像素界定层包覆所述蓝色子发光单元的侧壁,或者,所述像素限定层包覆所述蓝色子发光单元的侧壁以及靠近所述顶电极的部分端面。5.根据权利要求4所述的电致发光器件,其特征在于,所述像素界定层的材料选自疏水的光阻材料。6.根据权利要求1~5任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述蓝光Micro
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LED功能主体还包括:发光材料层,所述发光材料层设置于所述p型半导体层与所述n型半导体层之间;第一电极,所述第一电极设置于所述p型半导体层远离所述n型半导体层的一侧;及第二电极,所述第二电极设置于所述n型半导体层远离所述p型半导体层的一侧。7.根据权利要求6所述的电致发光器件,其特征在于,所述p型半导体选自p型GaN,所述n型半导体选自n型GaN。8.一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将蓝光Micro
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【专利技术属性】
技术研发人员:陈亚文,史文,付东,
申请(专利权)人:TCL科技集团股份有限公司TCL华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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