超低漂移的准静态电荷放大器制造技术

超低漂移的准静态电荷放大器。涉及准静态电荷放大器的改进。包括第一准静态电荷放大器和第二准静态电荷放大器，所述第一准静态电荷放大器和所述准静态电荷放大器分别连接输出推挽电路。采用双准静态电荷放大器，一个准静态电荷放大器用于电荷测量，另一个准静态电荷放大器用于产生漂移电压Vb，输出电压漂移速率降低了一个数量级，提高了测量精度，从而使标定小量程力、压力传感器灵敏度成为可能。压力传感器灵敏度成为可能。压力传感器灵敏度成为可能。

【技术实现步骤摘要】
超低漂移的准静态电荷放大器


[0001]本技术涉及一种电荷放大器，尤其涉及准静态电荷放大器的改进。

技术介绍

[0002]现有技术中，力、压力传感器在使用前需要对灵敏度进行标定，标定后接电荷放大器进行测量。特别是在标定小量程力、压力传感器灵敏度时，由于RC时间常数的存在，并且受前置运算放大器的偏置电流的影响，零点有漂移，随着时间越变越大，影响了测量精度，甚至无法测量。在标定小量程力、压力传感器灵敏度时，传统的准静态电荷放大器输出电压漂移速率偏大，影响了测量精度。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本技术提供一种测量精度高的超低漂移的准静态电荷放大器。
[0004]本技术采用如下技术方案实现：超低漂移的准静态电荷放大器，包括第一准静态电荷放大器和第二准静态电荷放大器，所述第一准静态电荷放大器和所述准静态电荷放大器分别连接输出推挽电路。
[0005]第一准静态电荷放大器中电荷信号从插座XS1的一脚引入，插座XS1的二脚接地，电荷信号经电阻R12与MOS对管V1的栅极相连，同时经第一RC网络与电荷放大器输出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.超低漂移的准静态电荷放大器，包括第一准静态电荷放大器和第二准静态电荷放大器，其特征在于：所述第一准静态电荷放大器和所述准静态电荷放大器分别连接输出推挽电路。2.根据权利要求1所述的超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：第一准静态电荷放大器中电荷信号从插座XS1的一脚引入，插座XS1的二脚接地，电荷信号经电阻R12与MOS对管V1的栅极相连，同时经第一RC网络与电荷放大器输出电压插座XS2的一脚相连。3.根据权利要求2所述的超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：第一RC网络由电阻R11、电阻R10、电容C2、电容C3、电容C4并联而成，其中电阻R11与开关SW3串联，电阻R10与开关SW4串联，电容C3与开关SW1串联，电容C4与开关SW2串联。4.根据权利要求3所述的超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：MOS对管V1的漏极经电阻R2与电位器RP1的一端相连，同时与运算放大器N1的反相端相连，MOS对管V2的漏极经电阻R3与电位器RP1的另一端相连，同时与运算放大器N1的同相端相连，电位器RP1的中心抽头接负电源电压，电位器RP1用于调节电荷放大器处于复位状态时的输出零点。5.根据权利要求4所述的超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：运算放大器N1的反相端与运算放大器N1的同相端之间并接二极管V3和二极管V4，二极管V3的正端与二极管V4的负端相接，二极管V3的负端与二极管V4的正端相接；电阻C1与电容C1串联并接在运算放大器N1的反相端和运算放大器N1的同相端之间，防止运算放大器振荡；MOS对管V1的源极和MOS对管V2的源极短接在一起，并经电阻R4与正电源电压相连，运算放大器N1的输出端经电阻R5送至二极管V5和二极管V6连接输出推挽电路。6.根据权利要求5所述的超低漂移的准静态电荷放大器，其特征在于：所述输出推挽电路中二极管V5的负端和二极管V6的正端相连，并经电阻R5与运算放大器N1的输出端相连；二极管V5的正端与电阻R6的一端相连，同时与三极管V7的基极相连，电阻R6的另一端与三极管V7的集电极短接并与正电源电压相连，二极管V6的负端与电阻R7的一端相连，同...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜寿余，陈冬梅，
申请(专利权)人：扬州昀昇电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：