一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件制造技术

一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括：衬底、电极和引线；其特征在于：在衬底上还包括至少设置１个ｐ－ｎ结结构或１个以上ｐ－ｎ结结构，该ｐ－ｎ结结构由一层ｐ型掺杂镧锰氧层与一层ｎ型掺杂钛酸钡层，或一层ｎ型掺杂钛酸钡层与ｐ型掺杂镧锰氧层交替设置在衬底上组成；电极分别设置在最上面的ｐ型掺杂镧锰氧层或ｎ型掺杂钛酸钡层和衬底上／或设置在衬底上的第一层ｐ型掺杂镧锰氧层或ｎ型掺杂钛酸钡层上，电极上连接引线。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种巨磁阻器件，特别涉及一种具有p-n结结构的掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。本技术提供的掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括衬底、电极和引线；其特征在于在衬底上还包括至少设置1个p-n结结构或1个以上p-n结结构，该p-n结结构由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层，或n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替叠层设置在衬底上组成；电极分别设置在最上面的p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层和衬底上/或设置在衬底上的第一层p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层上，电极上连接引线。所述的巨磁阻器件可以为一个单元，还包括在一块衬底上有2个以上巨磁阻器件单元，并且单个巨磁阻器件单元之间通过电极和引线串联或并联作成串联式或并联式列阵式巨磁阻器件。所述的衬底包括衬底材料导电的和衬底材料不导电的；其中导电的衬底材料包括掺杂钛酸钡、掺杂钛酸锶、掺杂镧锰氧单晶基片、Si、Ge或GaAs等单晶基片；不导电的衬底材料包括SrTiO3、BaTiO3、LaAlO3、ZrO2或LAST(拉萨特)等单晶基片。所述的设置在衬底上的p型掺杂镧锰氧层选具有磁特性的La1-xAxMnO3，其中式中A包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括衬底、电极和引线；其特征在于在衬底上还包括至少设置1个p-n结结构或1个以上p-n结结构，该p-n结结构由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层，或一层n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替设置在衬底上组成；电极分别设置在最上面的p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层和衬底上/或设置在衬底上的第一层p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层上，电极上连接引线。2.按权利要求1所述的掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，其特征在于还包括在一块衬底上有2个以上巨磁阻器件单元，并且各巨磁阻器件单元之间通过电极和引线串联或并联组成列阵巨磁阻器件。3.按权利要求1或2所述的掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，其特征在于所述的衬底材料包括导电的和不导电的衬底材料。4.按权利要求3所述的掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，其特征在于所述的导电的衬底材料包括掺杂钛酸钡、掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕惠宾，颜雷，陈正豪，戴永愚，郭海中，刘立峰，相文峰，何萌，周岳亮，杨国桢，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：