一种晶体三极管铜线键合部位用的保护气体配比装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶体三极管铜线键合部位用的保护气体配比装置，它能向晶体三极管铜线键合部位提供气压和配比稳定的氢氮混合气体。该保护气体配比装置中氢气管道从进气口至出气口之间依次串接有第１调压阀、第１压力表、第１气流开关、压力阀和第１流量计；所述氮气管道从进气口至出气口之间依次串接有第２调压阀、第２压力表、第２气流开关、第２流量计；在第２气流开关与第２流量计之间的气体管道中贯通接有分支气体管道，该分支气体管道末端与压力阀的活塞相连接；所述氢气管道出气口和氮气管道出气口与气体混合箱入气口相连接，混合后的气体经气体混合箱出气口和混合气体管道输至晶体三极管铜线键合部位。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体三极管铜线键合
，特别涉及一种晶体三 极管铜线键合部位用的保护气体配比装置。
技术介绍
随着黄金价格的大幅上升，占有成本优势的铜线日益受到半导体业界 的欢迎。除了成本较低之外，铜的电导率比金的电导率高，同时铜的热导 率也高于金，因此在直径相同的条件下，铜线可以承载更大的电流，使得 铜引线不仅可用于功率器件中，也可应用于需要采用更小直径引线以适应高密度集成电路的封装中；铜的机械强度高于金，使其更适合于细小引线 的键合。此外，Cu/Al界面的金属间化合物也比Au/Al界面的金属间化合 物生长速度慢。虽然铜线优势明显，但是铜线键合仍面临一些难点，其中最主要的一 个难点是铜容易被氧化，在高温键合时，可能导致焊接点和引线框架之 间界面间强度减弱，而且由于氧化作用，焊接点容易脆裂，即容易产生焊 点脱落或拉力强度低，其次更高的键合参数会影响焊球形状。目前，在半导体行业内，为了解决铜线键合时的氧化问题，公知的方 法是在烧球过程和键合过程中提供可靠的还原性保护气体。保护气体一般 是H2和N2的混合气体，两者混合的比例根据使用时的实际而有所不同。 但是，对于铜线替代金线的规格并没有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体三极管铜线键合部位用的保护气体配比装置，包括氢气管道和氮气管道、氢、氮气体混合箱及其混合气体输出管道，其特征在于：所述氢气管道从进气口至出气口之间依次串接有第１调压阀、第１压力表、第１气流开关、压力阀和第１流量计；所述氮气管道从进气口至出气口之间依次串接有第２调压阀、第２压力表、第２气流开关、第２流量计；在第２气流开关与第２流量计之间的气体管道中贯通接有分支气体管道，该分支气体管道末端与压力阀的活塞相连接；所述氢气管道出气口和氮气管道出气口与气体混合箱入气口相连接，混合后的气体经气体混合箱出气口和混合气体管道输至晶体三极管铜线键合部位。

【技术特征摘要】
1、 一种晶体三极管铜线键合部位用的保护气体配比装置，包括氢气 管道和氮气管道、氢、氮气体混合箱及其混合气体输出管道，其特征在于所述氢气管道从进气口至出气口之间依次串接有第1调压阀、第l压 力表、第1气流开关、压力阀和第1流量计；所述氮气管道从进气口至出 气口之间依次串接有第2调压阀、第2压力表、第2气流开关、第2流量 计；在第2气流开关与第2流量计之间的气体管道中贯通...

【专利技术属性】
技术研发人员：雒继军，
申请(专利权)人：佛山市蓝箭电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]