一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构制造技术

本发明专利技术涉及一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构,包括炉体，安装在炉体顶部并与炉体铰接的舱盖，炉体或舱盖上设有与炉体的内腔连通的充氮气接口，充甲酸接口。充甲酸接口连接甲酸系统，甲酸还原气氛，能起到助焊的作用，替代现有的助焊剂的成分，达到免清洗的效果，现在采用助焊剂残留比较多，需要特别增加清洗工艺流程，本设备采用甲酸大大降低了助焊剂成分；该结构的炉体内部安装真空舱，炉体与真空舱为双重密封结构，甲酸注入到真空舱后，保证了甲酸的还原分解过程，而且，舱盖上设有多个锁紧螺杆，舱盖通过锁紧螺杆连接炉体，还原气氛的过程均在全真空密封状态下完成，酸性气体不会造成泄漏，保证了使用的安全性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构


[0001]本专利技术涉及半导体焊接
，尤其是涉及一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构。

技术介绍

[0002]随着电子元器件封装尺寸日渐缩小，对无空洞焊接的需求应运而生。由于在少氧或无氧的环境下进行焊接，可以减少焊接过程中空洞的产生进而提高焊接的质量，人们一直希望焊接过程能在少氧或无氧的环境下进行。而目前的焊接炉大多是在大气环境下进行焊接的，空洞的产生无法控制，焊接的品质不高。
[0003]此外，对于现有技术中的真空焊接炉，一般是在一个腔体空间内实现焊接的整个过程。以二极管、三极管等半导体器件的焊接封装加工为例，采用现有的真空焊接炉加工时，该类产品焊接时的空洞率依然存在，而且，在焊接的过程中都会使用助焊剂，焊接完成后，需要对封装产品表面的助焊剂进行清洗，相当于额外增加了产品清洗工序，操作比较繁琐，对应的也增加了加工的投入成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术存在的缺陷，提供一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构,包括炉体，安装在炉体顶部并与炉体铰接的舱盖，其特征在于，所述炉体的内部依次设有预热区、恒温区、回流区、真空区以及冷却区，所述炉体或舱盖上设有与所述炉体的内腔连通的充氮气接口，充甲酸接口；所述舱盖的数量为多个，所述舱盖的顶部连接电动推杆，电动推杆的端部与舱盖铰接，电动推杆与所述舱盖连接的位置远离所述舱盖与炉体的铰接位置。2.根据权利要求1所述的一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构,其特征在于，所述舱盖的内部夹层中填充隔热材料。3.根据权利要求1或2所述的一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构,其特征在于，所述舱盖的外侧安装密封的保护罩，保护罩和所述舱盖上均设有助焊剂排烟口。4.根据权利要求3所述的一种带双层密封以及甲酸注入口的真空焊接炉结构,其特征在于，所述真空区处设有真空舱，所述炉体或舱盖上设有与所述真空舱连通的抽真空接口，所述真空舱与所述回流区和冷却...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔会猛，宋铁生，王健健，刘月明，段圣，伦博文，
申请(专利权)人：诚联恺达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：