当前位置: 首页 > 专利查询>严美凤专利>正文

高功率LED散热结构制造技术

技术编号:3224165 阅读:168 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种高功率LED散热结构,属于机电类;其包含一壳体基座,其具有一容置空间;一散热箱,设置于该壳体基座的容置空间内,而该散热箱内封存有散热液体;一电路基板,设置于该散热箱之上;以及至少一高功率LED,设置于该电路基板之上;其中,该散热箱包含一承载槽体,一槽盖,盖合于该承载槽体之上,散热液体为一散热矽油;该散热箱与该电路基板间具有一导热胶层,该散热箱内包含一搅动系统,该散热箱连接至一油压循环系统;透过散热系统的导入,可避免因热量累积而影响高功率LED的电性;优点在于:结构简单,组装容易,并可避免因热量累积而影响高功率LED的电性。(*该技术在2014年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及机电类,特别涉及一种高功率LED散热结构,尤指一种适用于高功率发光二极体的散热结构,藉由该散热结构的导入,可避免发光二极体组合因热量累积而影响其电性。
技术介绍
众所周知,发光二极体(Light Emitting Diode,LED)是一种利用流通电流来发光的PN二极体,在PN二极体中加上顺向偏压,P型部分为阳极,N型部分为阴极,那么,P型半导体会流入电子,N型半导体的部份则流入电洞,此外,在PN接合附近的电子与电洞会因为旺盛的结合而消失,此时,特定的半导体,其流入的电子与电洞具有可以发光的能量,利用此种情况而产生光源,即所谓的发光二极体;然而,不论是何种类型的发光二极体,其使用周期寿命及可靠度主要受温度的控,以高功率GaN型发光二极体为例,当该二极体接受电能后,会将10%的电能转为光能而发散出来,其余的90%则变为热能逸散而出;所以对GaN型发光二极体而言,该LED晶片接受的电能,几乎都转化为热能,也因此在高功率LED的散热问题便成为一重要的课题,尤其对由高功率LED组装而成的灯具则更为重要;如附图1所示,为一常用的高功率LED灯具组合,其主要结构包含一壳体基座11、一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率LED散热结构,其特征在于:包含一壳体基座,其具有一容置空间;一散热箱,设置于该壳体基座的容置空间内,而该散热箱内封存有散热液体;一电路基板,设置于该散热箱之上;以及至少一高功率LED,设置于该电路 基板之上;。

【技术特征摘要】
1.一种高功率LED散热结构,其特征在于包含一壳体基座,其具有一容置空间;一散热箱,设置于该壳体基座的容置空间内,而该散热箱内封存有散热液体;一电路基板,设置于该散热箱之上;以及至少一高功率LED,设置于该电路基板之上;2.根据权利要求1所述的一种高功率LED散热结构,其特征在于所说的散热箱包含一承载槽体,用以承载该散热液体;及一槽盖,盖合于该承载槽体之上,用以将该散热液体封存于该承载槽体之中,该散热...

【专利技术属性】
技术研发人员:严美凤
申请(专利权)人:严美凤
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利