一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碲硒砷镉化合物/靶材及制备方法，由摩尔比为(60

【技术实现步骤摘要】
一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体材料领域，具体涉及一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]Ⅱ‑Ⅵ
族化合物半导体材料在微电子、红外调制、红外探测器和太阳电池等方面有着广泛的应用。其中，由
Ⅱ‑Ⅵ
族元素碲与镉组成的二元化合物碲化镉（CdTe）带隙值为1.5eV，与太阳可见光谱匹配，处于理想的太阳电池带隙范围，有很好的光电转换效率，成为薄膜太阳电池研究热点。
[0003]随着对
Ⅱ‑Ⅵ
族元素化合物半导体研究深入以及相关产业的飞速发展，人们逐渐认识到这类半导体具有自补偿效应。这种自补偿效应限制了该类化合物载流子浓度的增加，进而影响了尤其构成的器件的开路电压和填充因子的提高。为了提高载流子浓度及其少子寿命，于是人们尝试在二元化合物碲化镉（CdTe）中掺入硒元素。尽管硒元素掺杂碲化镉组成的三元化合物碲硒镉（CdSeTe）带隙略下降到1.4eV，较好地扩展了其红外响应，增加了器件的光电流密度，但是因硒掺杂引起带隙降低造成器件开路电压下降成为了新的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲硒砷镉化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒混合均匀，置于研磨机内研磨成粉末，碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒三者的摩尔比为(60
‑
90): (0.999
‑
39.99): (0.001～0.01)；2）将上述研磨好的混合物料装入石墨坩埚内，将石墨坩埚放入带有液压装置的真空烧结炉内，液压装置将坩埚内的混合物料压实，抽真空至10
‑9Torr，然后向真空烧结炉内充保护气体，最后对石墨坩埚密封，并充保护气体使真空烧结炉内气压在0.1
‑
100Torr之间；3）对密封好的石墨坩埚进行加热，升温速率为1～5℃/min，加热至700～900℃，保温30～60min，保温结束后，停止加热，自然降温至室温，即得碲硒砷镉化合物。2.根据权利要求1所述碲硒砷镉化合物的制备方法，其特征在于，步骤1）中碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒的纯度均为5N级以上；所述研磨机为行星研磨机。3.根据权利要求1所述碲硒砷镉化合物的制备方法，其特征在于，步骤1）中碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒研磨成粉末，研磨时间4
‑
6h，粉末粒径为不大于200微米。4.根据权利要求1所述碲硒砷镉化合物的制备方法，其特征在于，步骤2）中将石墨坩埚放入带有液压装置的真空烧结炉内，抽真空与充保护气循环，循环过程中真空烧结炉内气压始终低于大气压；所述保护气为氩氢混合气。5.一种碲硒砷镉化合物，其特征在于，由权利要求1
‑
4任一制备方法制得。6.一种碲硒砷镉靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将碲化镉...

【专利技术属性】
技术研发人员：李青霄，张心会，徐开东，王继娜，李志新，王朝勇，徐龙云，包云，杨欢，丁凌凌，李文静，
申请(专利权)人：河南城建学院，
类型：发明
国别省市：