一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法，其中，热电材料为Ge1‑

【技术实现步骤摘要】
一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及热电材料应用领域，尤其涉及的是一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]工业革命以来，人类社会持续增长的能源需求与传统不可再生能源(煤、石油和天然气)的不断减少之间形成了尖锐的矛盾。热电材料不需要任何运动部件就可以直接将热能转化为电能而不产生任何有害的温室气体排放，是一种理想的绿色能源技术。热电器件的转换效率由无量纲热电优值zT＝S2σT/(κ
e
+κ
L
)表征，其中S为塞贝克系数，σ为电导率，T为绝对温度，κ
L
为晶格热导率，κ
e
为电子热导率。
[0003]IV
‑
VI族化合物是应用于中温热电发电的优秀热电材料之一。Pnma结构的IV
‑
VI族化合物因为具有强的晶格非谐性以及较低的晶格热导率从而饱受关注。例如，Pnma结构的单晶SnSe的zT值沿晶体学b轴在650℃时达到了2.6。
[0004]GeSe与SnSe具有相似的Pnm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种菱方相GeSe基热电材料，其特征在于，所述热电材料为Ge1‑
y
Bi
y
Se
‑
(MnCdTe2)
x
合金，其中，x取值为0～0.30，y取值为0～0.06。2.根据权利要求1所述的菱方相GeSe基热电材料，其特征在于，y取值当且仅当为0，x取值为0～0.30的任意一个数值。3.根据权利要求1所述的菱方相GeSe基热电材料，其特征在于，x取值当且仅当为0.10，y取值为0～0.06的任意一个数值。4.一种菱方相GeSe基热电材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：以Ge单质、Se单质、Mn单质、Cd单质、Te单质以及Bi单质为原料，按照Ge1‑
y
Bi
y
Se(MnCdTe2)
x
化学计量比配比称取原料；其中，x取值为0～0.30，y取值为0～0.06；将原料置于石英管中，在真空状态下通过氢氧火焰进行加热，并进行密封；将密封的石英管放入箱式炉中进行高温熔炼，并通过淬火工艺，获得合金锭块；将获得的合金锭块通过球磨工艺得到微细粉末；利用放电等离子体烧结炉将获得的粉末烧结成型，得到菱方相结构的Ge1‑
y
Bi
y
Se
‑
(MnCdTe2)
x
块体。5.根据权利要求4所述的菱方相GeSe基热电材料的制备方法，其特征在于，将密封的石英管放入箱式炉中进行高温熔炼，并通过淬火工艺，获得合金锭块，包括：将所述密封的石英管放入所述箱式炉中，以预定升温速度升温至预定熔炼温度，并保温预定保温时间；以预定降温速度降至淬火温度，并取出置于水中淬火，得到所述合金锭块。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡利鹏，李想，刘福生，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：