二维电子气发射极半导体器件制造技术

Ｎ型半导体基片用离子注入工艺制成Ｐ型基区之后，用任何一种工艺方法例如ＣＶＤ法淀积满足下列要求的发射极材料：１）宽禁带、低空穴迁移率；２）电子亲和势低；３）与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂．则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结界面的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
二维电子气发射半导体器件，Ｎ型半导体基片用离子注入工艺（或任何一种工艺）制成Ｐ型基区之后，用任何一种工艺例如ＣＶＤ工艺淀积满足下列要求的发射极材料：（１）宽禁带、低空穴迁移率，（２）电子亲和势低，（３）与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱恩均，
申请(专利权)人：南京电子器件研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]