超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜及其制备方法，属于高分子薄膜制备领域。本发明专利技术将可交联聚芳醚腈和成孔剂充分共混，并通过熔融挤出成膜法，制得可交联型聚芳醚腈薄膜；其经冷却成型后，高温热处理固化；冷却后，将薄膜浸泡在沸水，以去除物理成孔剂，最后烘干即得到超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜。本发明专利技术设计了含有可交联基团的聚芳醚腈为原料，通过后交联反应，形成致密的交联网络结构，保证了优异的力学性能，通过成孔剂的引入获得了大量孔洞结构，从而得到超低介电含氟聚芳醚腈薄膜。本发明专利技术所制备的交联型聚芳醚腈薄膜具有优异的力学，耐热，低的介电常数，可应用在集成电路、5g通信天线材料或柔性覆铜板等领域。域。

【技术实现步骤摘要】
超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种超超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜及其制备方法。属于高分子薄膜制备领域。

技术介绍

[0002]随着5G时代的到来，大规模集成电路的小型化也在迅速发展，电子设备越来越便携。然而，随着电路的微型化也带来了电容和电阻的增加，导致了信号传播延迟，集成电路的功耗增加和串扰噪声。为了避免这些缺点，迫切需要高性能低介电(k<2.5)和超低介电(k<2.0)材料作为层间介质、半导体封装、集成电路基板材料和高频低耗板材。对比传统的低介电无机物(如SiO2)，低介电的有机聚合物由于具有分子设计多样化和加工性能好等优点吸引了广大科研工作者的兴趣。
[0003]聚芳醚腈作为一类新型特种高分子材料，具有高热稳定性、阻燃性、耐辐射、耐腐蚀、尺寸稳定性好以及机械强度高等优良特性，被广泛应用在航空航天、机械电子、汽车制造、化工石油、医疗卫生等多个领域。尽管聚芳醚腈的综合性能优异，但是传统的聚芳醚腈材料由于主链极性氰基的存在，介电常数一般在4 左右，若想将其用作微电子领本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将可交联聚芳醚腈I和成孔剂充分共混之后，通过在280
‑
340℃下熔融挤出成膜，制得可交联型聚芳醚腈薄膜；所得可交联型聚芳醚腈薄膜经冷却成型后，再进行热处理固化；冷却后，将薄膜浸泡在具有一定温度的水中一定时间，直至薄膜质量不在变化，最后烘干，即得超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜；其中，可交联聚芳醚腈I中，0<n<1，
‑
Ar
‑
均来源于二元酚；其中，所述成孔剂为物理成孔剂，其最低沸点在300℃以上。2.根据权利要求1所述的超超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于：所述二元酚包括取代或未取代的以下结构：其中，X为H或F；所述取代的取代基为C1～C6烷基、6～10元芳基或5～10元杂芳基。3.根据权利要求1所述的超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜的制备方法，其特征在于：至少满足下列的一项：所述成孔剂为1
‑
乙基
‑3‑
甲基咪唑四氟硼酸盐(EMIMBF4)、CaCO3、无水硫酸钠、聚乙二醇400(PEG
‑
400)、壳聚糖、壳聚糖明胶聚合物、天然矿物...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宇敏，曹桐，林果，彭军，刘孝波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：