IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统技术方案

本发明专利技术一个或多个实施例提供一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统，过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。本发明专利技术能够在IGBT动态测试系统出现失效过电流时能有效限制回路电流，保护整个系统不会受到大电流的冲击，电路结构简单，且快速又可靠。且快速又可靠。且快速又可靠。

【技术实现步骤摘要】
IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统


[0001]本专利技术属于一种电子器件测试
，具体是涉及到一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统。

技术介绍

[0002]在绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)动态测试系统中，通常会存在大容量支撑电容储能，当被测IGBT在失效后，将造成电容直通放电，大容量电容能量通过测试回路瞬间释放，将对整个测试系统中造成很大的冲击，若保护不当，将加快设备的老化过程，加大设备的故障率，严重的将使整个测试系统瘫痪。因此，短时间内检测到回路过电流并且及时将大电流关断极为重要。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是提供一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统，以解决在IGBT动态测试系统出现失效过电流对整个测试系统中造成很大冲击的问题。
[0004]基于上述目的，本专利技术一个或多个实施例提供了一种IGBT动态测试的过电流保护电路，包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。
[0005]可选的，所述控制电路包括：第一二极管、第一电容、检测驱动电路以及微控制器，所述微控制器与所述检测驱动电路进行通信连接，以传输故障信号和控制信号；所述检测驱动电路的第一端与所述第一二极管的阳极连接，并通过所述第一电容接参考地，所述第一二极管的阴极与所述保护开关的第二端连接，所述检测驱动电路的第二端与所述保护开关的第三端连接，并接所述参考地，所述检测驱动电路的第三端与所述保护开关的第一端连接。
[0006]可选的，所述检测驱动电路包括：电流源、开关管以及比较器；所述检测驱动电路的第一端在内部与所述比较器的同相输入端以及所述开关管的漏极连接，所述检测驱动电路的第一端在内部还接所述电流源，所述比较器的反相输入端接所述预设参考电压，所述检测驱动电路的第二端在内部与所述开关管的源极连接，所述开关管的栅极以及所述比较器的输出端与所述微控制器连接。
[0007]可选的，所述控制电路还包括第一电阻，所述第一二极管的阳极通过所述第一电阻与所述检测驱动电路的第一端连接。
[0008]可选的，所述控制电路还包括：第二电阻，所述检测驱动电路的第三端通过所述第二电阻与所述保护开关的第一端连接。
[0009]可选的，所述保护开关为IGBT晶体管。
[0010]可选的，所述保护开关为MOSFET晶体管，所述过电流保护电路还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述MOSFET晶体管的第三端连接，所述第二二极管的阴极与所述MOSFET晶体管的第二端连接。
[0011]可选的，所述保护开关的第一端为栅极，所述保护开关的第二端为集电极，所述保护开关的第三端为发射极。
[0012]基于同一专利技术构思，本专利技术一个或多个实施例还提出了一种IGBT动态测试系统，包括：电源电路、IGBT动态测试回路以及前述的过电流保护电路。
[0013]可选地，所述电源电路包括：供电电源、第一开关以及支撑电容，所述供电电源的正极与所述第一开关的一端连接，所述第一开关的另一端与所述过电流保护电路以及所述支撑电容的一端连接，所述供电电源的负极与所述支撑电容的另一端以及所述IGBT动态测试回路连接。
[0014]从上面所述可以看出，本专利技术一个或多个实施例提供的一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统，过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道，能够在IGBT动态测试系统出现失效过电流时能有效限制回路电流，保护整个系统不会受到大电流的冲击，电路结构简单，且快速又可靠。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术一个或多个实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术一个或多个实施例中的IGBT动态测试的过电流保护电路的结构示意图；
[0017]图2为本专利技术一个或多个实施例中的过电流保护电路的电路示意图；
[0018]图3为本专利技术一个或多个实施例中的过电流保护电路中的保护开关工作过程示意图；
[0019]图4为本专利技术一个或多个实施例中的另一过电流保护电路的电路示意图；
[0020]图5为本专利技术一个或多个实施例中的IGBT输出曲线示意图；
[0021]图6为本专利技术一个或多个实施例中的又一过电流保护电路的电路示意图。
具体实施方式
[0022]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
[0023]需要说明的是，除非另外定义，本专利技术一个或多个实施例使用的技术术语或者科
学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0024]本专利技术一个或多个实施例提供了一种IGBT动态测试的过电流保护电路。如附图1所示，过电流保护电路10包括：保护开关VT1和控制电路101；所述控制电路101与所述保护开关VT1的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关VT1的第二端与电源电路30连接，第三端与IGBT动态测试回路20连接；在所述IGBT动态测试回路20中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路101检测所述保护开关VT1的第二端与第三端之间的第一电压Vce，并在所述第一电压Vce超过预设参考电压Vceset时关断所述保护开关VT1，切断所述电源电路30的直通放电通道。保护开关VT1的第一端为栅极，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT动态测试的过电流保护电路，其特征是，所述过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关的第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。2.如权利要求1所述的过电流保护电路，其特征是，所述控制电路包括：第一二极管、第一电容、检测驱动电路以及微控制器，所述微控制器与所述检测驱动电路进行通信连接，以传输故障信号和控制信号；所述检测驱动电路的第一端与所述第一二极管的阳极连接，并通过所述第一电容接参考地，所述第一二极管的阴极与所述保护开关的第二端连接，所述检测驱动电路的第二端与所述保护开关的第三端连接，并接所述参考地，所述检测驱动电路的第三端与所述保护开关的第一端连接。3.如权利要求2所述的过电流保护电路，其特征是，所述检测驱动电路包括：电流源、开关管以及比较器；所述检测驱动电路的第一端在内部与所述比较器的同相输入端以及所述开关管的漏极连接，所述检测驱动电路的第一端在内部还接所述电流源，所述比较器的反相输入端接所述预设参考电压，所述检测驱动电路的第二端在内部与所述开关管的源极连接，所述开关管的栅极以及所述比较器的输出端与所述微控制器连接。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁涛，余伟，史慧敏，孙波艳，郑宇，熊强，谭旻，凌浪波，刘敏安，任亚东，罗海辉，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：