【技术实现步骤摘要】
一种Fe3O4/Ti3C2T
X
MXene电磁屏蔽复合材料及其制备方法
[0001]本专利技术属于材料制备
,涉及一种Fe3O4/Ti3C2T
X MXene电磁屏蔽复合材料及其制备方法。
技术介绍
[0002]电磁波是信息传输的最重要的载体。随着电子信息工业的高速发展,大量的电子设备和器件得到广泛应用。这使得电磁辐射和电磁干扰等电磁污染问题愈来愈突出。电磁辐射和电磁干扰不仅会影响电子器件、设备的正常运行,而且会危害人类的身体健康,甚至会造成军事机密信息的泄漏。设计和开发新型电磁屏蔽复合材料是抑制电磁复合和电磁干扰等电磁污染问题的有效手段。
[0003]Ti3C2T
X MXene是一种新型二维材料,具有质量轻、比表面积大、导电率高、耐腐蚀和易加工等特点,在电磁屏蔽领域具有广阔的应用前景。然而,其电磁屏蔽效能主要依赖于材料本身的高导电率所产生的介电损耗,因此电磁屏蔽性能尚不能满足商用要求。近些年来,研究发现在Ti3C2T
X MXene基体中添加具有导电纳米填料或是磁性 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Fe3O4/Ti3C2T
X MXene电磁屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1)制备Ti3C2T
X
MXene;步骤2)对Ti3C2T
X
MXene进行LiCl插层处理,得到插层处理后的Ti3C2T
X
MXene粉末;步骤3)将聚乙二醇、乙二醇和插层处理后的Ti3C2T
X MXene粉末混合,加热溶解后得到第一溶液;步骤4)将氯化铁、醋酸钠和乙二醇混合,得到第二溶液;步骤5)将第一溶液与第二溶液混合,搅拌后得到悬浮液,将悬浮液加热反应后,依次进行冷却、洗涤和干燥,得到Fe3O4/Ti3C2T
X MXene电磁屏蔽复合材料。2.根据权利要求1所述的Fe3O4/Ti3C2T
X MXene电磁屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中,Ti3C2T
X
MXene的制备过程为:首先将Ti3AlC2粉末过筛;然后将HF倒入聚四氟乙烯内衬中,同时将过筛后的Ti3AlC2粉末加入HF中,搅拌后,利用去离子水洗涤,洗涤至上清液的pH为4.5~5.5,之后进行干燥,得到Ti3C2T
X
MXene。3.根据权利要求2所述的Fe3O4/Ti3C2T
X MXene电磁屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,过筛后的Ti3AlC2粉末和HF的质量比为(1~2):12;过筛是通过300目筛进行的;搅拌为磁力搅拌3~6h;干燥为在温度为60~100℃下干燥10~24h。4.根据权利要求1所述的Fe3O4/Ti3C2T
X MXene电磁屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,步骤2)中,LiCl插层处理的具体操作为:首先配制...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘和光,王哲,刘耀升,田娜,游才印,
申请(专利权)人:西安理工大学,
类型:发明
国别省市:
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