一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置，所述动态交接方法包括：提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧；顶升机构推动晶圆向上移动；当晶圆中心通过所述夹紧部，夹紧部加速向上移动至其速度与顶升机构的速度相同后，夹紧部与顶升机构匀速向上移动；夹紧部与顶升机构移动至交接位置时，所述夹紧部的夹持臂夹紧晶圆；提拉机构的夹紧部夹持晶圆继续向上移动，顶升机构随夹紧部向上移动后再向下移动至初始位置。部向上移动后再向下移动至初始位置。部向上移动后再向下移动至初始位置。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置


[0001]本专利技术属于晶圆后处理
，具体而言，涉及一种晶圆提拉干燥的动态交接方法及晶圆干燥装置。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是集成电路(Integrated Circuit,IC)制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。随着集成电路制造技术的发展，对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。在晶圆制造过程中，晶圆表面会吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷，需要后处理工艺去除这些缺陷。尤其是在化学机械抛光中大量使用的化学试剂及研磨剂会造成晶圆表面的污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除晶圆表面的污染物，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的晶圆表面。
[0003]常见的干燥技术有旋转漂洗干燥(SRD，Spin Rinse Dry)和马兰戈尼干燥(马兰戈尼亦称为“马兰格尼”或“马拉戈尼”Marangoni)。与传统的SRD相比，由于消除液痕缺陷的出色性能，基于马兰戈尼效应的晶圆干燥受到了广本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆提拉干燥的动态交接方法，其特征在于，包括：S1，提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧；S2，顶升机构推动晶圆向上移动；S3，当晶圆中心通过所述夹紧部，夹紧部加速向上移动至其速度与顶升机构的速度相同后，夹紧部与顶升机构匀速向上移动；S4，夹紧部与顶升机构移动至交接位置时，所述夹紧部的夹持臂夹紧晶圆；S5，提拉机构的夹紧部夹持晶圆继续向上移动，顶升机构随夹紧部向上移动后再向下移动至初始位置。2.如权利要求1所述的动态交接方法，其特征在于，所述夹紧部加速至顶升机构的速度时，所述夹紧部的竖向位置与晶圆夹持点的位置相匹配。3.如权利要求1所述的动态交接方法，其特征在于，所述夹紧部与顶升机构的速度同步后，夹紧部开始朝向晶圆水平移动；当顶升机构移动至交接位置时，所述夹紧部夹紧晶圆。4.如权利要求1所述的动态交接方法，其特征在于，所述晶圆夹持点与晶圆中心的竖向距离为5mm
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30mm。5.一种晶圆提拉干燥的动态交接方法，其特征在于，包括：S10，提拉机构的夹紧部预先移动至交接位置下侧；...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，李长坤，申兵兵，高庆刚，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：