【技术实现步骤摘要】
基于GPU加速水平集进行逆光刻掩膜优化的方法、计算机系统及介质
[0001]本专利技术属于集成电路领域，涉及一种基于GPU加速水平集进行逆光刻掩膜优化的方法、计算机系统及介质。
技术介绍
[0002]随着集成电路工艺的特征尺寸不断减小，现有的制造技术面临着极大的挑战。由于电路的图形尺寸和光刻工艺所使用的光源波长相近，干涉效应将不可避免的产生，从而导致光刻图形失真，进而影响集成电路制造产能。分辨率增强技术的应用则是提升产能的关键步骤。光学临近校正则是最为核心的分辨率增强技术。在光学临近校正的过程中，待加工的掩模上的图形会进行调整，以达到补偿光学散射的影响。第一类是基于设计规则的方法，这一类方法的特点是应用简单并且速度快，能很好地处理简单的设计。而先进技术节点下大规模设计的设计规则呈指数级增长，因此基于设计规则的方法优化掩模版的质量有限。另一种是基于模型的方法，这类方法有着极大的解空间，因此想要得到一个高质量的结果会非常耗时。随着电路设计的复杂程度日益增加，以上基于设计规则和基于模型的方法都会面临效率或者产出质量的问题。>
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于GPU加速水平集进行逆光刻掩膜优化的方法，其特征在于，包括读取原始光刻掩膜的目标图像，通过像素级并行的移动处理来获得掩膜边界，通过GPU对所有的边界进行并行计算获得水平集掩膜，对所获得的掩膜图像以及卷积核分别进行FFT运算，相应得到FFT结果，再通过FFT进行光刻模型演算，获得光刻结果，通过GPU优化函数减少光刻目标和光刻结果的误差,通过GPU梯度函数优化光刻结果。2.如权利要求1所述的基于GPU加速水平集进行逆光刻掩膜优化的方法，其特征在于，还包括水平集掩膜更新的步骤。3.如权利要求1所述的基于GPU加速水平集进行逆光刻掩膜优化的方法，其特征在于，水平集光刻掩膜表示：C表示光刻掩膜的边界，φ(x,y)表示对应的水平集合函数,x,y表示图像中的像素坐标，inside代表在边界中，outside代表在边界外。4.如权利要求2所述的基于GPU加速水平集进行逆光刻掩膜优化的方法，其特征在于，GPU优化函数：x,y表示图像中的像素坐标，Z代表通过GPU算法生成的掩膜图像，Zt代表光刻掩膜目标图像，γ代表相关指数，N代表图片的宽度和高度。5.如权利要求3所述的基于GPU加速水平集进行逆光刻掩膜优化的方法，其特征在于，GPU梯度函数：M代表掩膜图像，Z代表GPU生成的光刻结果，Zt代表目标...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国晋，
申请(专利权)人：智腾科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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