具有双磁态的磁性元件制造技术

一种改进且新颖的磁性元件（１０；１０’；５０；５０’；８０），它含有许多薄膜层，其中单元端部静磁退磁场将抵消这种结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。另外还公开了一种通过提供多个薄膜层来构成一种磁性元件（１０）的方法，其中单元端部静磁退磁场将抵消这种结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及信息存储和/或读出用的磁性元件及其制造方法，尤其涉及一种双磁态磁性元件及其制造方法。在此引入与本申请有关且属于同一受让人的下述共同未决申请作参考Motorola卷号为CR 97-133而美国系列号为09/144,686的专利申请，它于1998年8月31日提出，其名称为“磁随机存取存储器及其制造方法”(“MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ANDFABRICATING METHOD THEREOF”)；Motorola卷号为CR 97-158而美国系列号为08/986,764的专利申请，它于1997年12月8日提出，其名称为“磁膜图形构成方法”(“PROCESS OF PATTERNINGMAGNETIC FILMS”)；Motorola卷号为CR 99-001而美国系列号为09/356,864的专利申请，它于1999年7月19日提出，其名称为“具有改进的磁场响应的磁性元件及其制造方法”(“MAGNETICELEMENT WITH IMPROVED FIELD RESPONSE ANDFABRICATING METHOD THEREOF”)；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁性元件（１０，１０’，５０，５０’，８０）其特征在于：多个薄膜层，其中单元端部静磁退磁场（ｂｉｔ ｅｎｄ ｍａｇｎｅｔｏ－ｓｔａｔｉｃ ｄｅｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ ｆｉｅｌｄｓ）消除该结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。

【技术特征摘要】
US 1999-12-17 09/464,8071．一种磁性元件(10,10’,50,50’,80)其特征在于多个薄膜层，其中单元端部静磁退磁场(bit end magneto-static demagnetizationfields)消除该结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。2．根据权利要求1所述的磁性元件，其中，多个薄膜层形成一种自旋阀结构或磁隧道结(MTJ)结构。3．根据权利要求2所述的磁性元件，其中，多个薄膜层形成一种SAF结构，它含有固定铁磁层(28)和被牵制铁磁层(24)，固定铁磁层具有大于被牵制铁磁层的厚度，从而消除固定铁磁层与自由铁磁层之间的正耦合。4．根据权利要求2所述的磁性元件，其中，多个薄膜层形成一种结构，它含有具有不同的换向磁场的多个铁磁层，其中铁磁层之间的偏移提供了铁磁层之间的退磁场的减弱，从而消除铁磁层之间的正耦合。5．根据权利要求4所述的磁性元件，其中，多个铁磁层含有被牵制铁磁层(24)和自由铁磁层(30)，且所述偏移提供了从被牵制铁磁层向自由铁磁层的退磁场的减弱，从而消除被牵制铁磁层和自由铁磁层之间的正耦合。6．根据权利要求2所述的磁性元件，其中，多个薄膜层形成一种结构，它含有自由铁磁层(30)，多个衬垫层(16)以及多个铁磁层，多...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佑俊，乔恩迈克尔斯劳夫特，马克杜尔拉姆，马克德赫勒拉，赛德N特拉尼，
申请(专利权)人：自由度半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]