一种冷却可控的碳化硅单晶生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种冷却可控的碳化硅单晶生长装置，属于碳化硅晶体技术领域；包括晶体生长室，晶体生长室设置有冷却风箱，冷却风箱的送风风腔通过送风管道连接有风冷控制装置，冷却风箱的出风口通过排风管道与风冷控制装置的进风口相连接；风冷控制装置包括热交换器，热交换器连接有水冷循环装置；热交换器的气体管路上连接有过滤器；风冷控制装置的进风口连接有风机；本实用新型专利技术通过对送回风温度和流量控制，实现对生长热场的有效温度调节，利于工艺调整，提高了对冷却效果的控制能力和对工艺过程的配合能力。对工艺过程的配合能力。对工艺过程的配合能力。

【技术实现步骤摘要】
一种冷却可控的碳化硅单晶生长装置


[0001]本技术属于碳化硅晶体
，具体为一种冷却可控的碳化硅单晶生长装置。

技术介绍

[0002]当前碳化硅单晶生长设备基本均采用石英管密封腔体，外加线圈感应加热的方式来达到碳化硅单晶生长的工艺条件需求。当前石英管的降温方式主要为风冷与夹层水冷的方式。夹层水冷方式对于石英材质来说加工难度大、安装使用过程中易碎、夹层内部耐压能力较差和成本相对单层结构高等缺点，使得夹层水冷的石英腔体使用受到局限，使用范围较窄。当前碳化硅单晶生长设备主要采用单层石英管结构，工艺过程中工艺温度仅通过控制加热功率来进行调整，而没有对冷却系统的冷却能力进行控制，控制难度与控制成本较高。现有单层石英管碳化硅单晶生长设备主要的冷却方式为风冷，以空气作为导热载体，将石英管表面热量带走。目前单层石英管碳化硅单晶生长设备风冷方式主要为生长室内接排风管，将石英管周围的热空气不断排走，然后车间的自然空气重新进入石英管周围吸收热量，具有以下缺陷：
[0003]（1）冷却效果不稳定，对工艺温度的影响较大。冷却风为设备周围环境中的室内风，风的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冷却可控的碳化硅单晶生长装置，包括晶体生长室（1），所述晶体生长室（1）设置有冷却风箱（2），其特征在于，所述冷却风箱（2）的送风风腔（3）通过送风管道（4）连接有风冷控制装置（5），所述冷却风箱（2）的出风口通过排风管道（6）与风冷控制装置（5）的进风口相连接；所述风冷控制装置（5）包括热交换器，所述热交换器连接有水冷循环装置；所述热交换器的气体管路上连接有过滤器；风冷控制装置的进风口连接有风机（8）。2.根据权利要求1所述的一种冷却可控的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述的风机（8）由变频电机驱动。3.根据权利要求1所述的一种冷却可控的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慧强，周立平，魏汝省，张继光，王琪，李明，靳霄曦，张馨丹，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：