【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种模块(下文称为发光模块)，其包括一种器件(下文称为发光器件)，所述器件包括在电极之间夹着发光材料的元件(下文称为发光元件)。具体地说，本专利技术涉及一种包括发光元件(下文称为EL元件)的发光模块，其中使用产生EL(场致发光)作为发光材料。其中，在按照本专利技术的发光器件中，包括有机EL显示器和有机发光二极管(下文称为OLED)。此外，在本专利技术中使用的发光材料包括通过单态激励(singletexcitation)、三态激励(triplet excitation)或者通过单态和三态两种激励发光的所有的发光材料(磷光与/或荧光)。近些年来，使用产生EL(场致发光)的有机化合物作为发光层的EL元件有了很大的发展，提出了使用多种有机EL膜的EL元件。已经研制了使用这种EL元件作为发光元件的平屏显示器。作为使用EL元件的发光器件，已知有无源阵列型发光器件和有源阵列型发光器件。无源阵列型发光器件是一种这样的发光器件，其中使用一种具有这样的结构的EL元件，在所述结构中EL膜被夹在以直角相交被设置的带状阳极和阴极之间。此外有源阵列型发光器件是这样一种发光...
【技术保护点】
一种发光模块，包括用于按照由检测器部分检测的环境亮度调节发光元件的亮度，从而保持发光元件的亮度对环境亮度的亮度比是恒值的装置。
【技术特征摘要】
JP 2000-6-12 176168/001.一种发光模块，包括用于按照由检测器部分检测的环境亮度调节发光元件的亮度，从而保持发光元件的亮度对环境亮度的亮度比是恒值的装置。2.一种发光模块包括发光器件，其包括像素部分和检测器部分，它们被形成在同一个绝缘基体上；和发光器件相连的校正电路；以及用于通过校正电路按照由检测器部分检测的环境亮度调节调节发光元件的亮度，从而保持该亮度对环境亮度的比为恒值的装置。3.如权利要求1所述的发光模块，其中检测器部分包括薄膜光二极管。4.如权利要求2所述的发光模块，其中检测器部分包括薄膜光二极管。5.一种发光模块包括发光器件，其包括像素部分和检测器部分，它们被形成在同一个绝缘基体上；以及和发光器件相连的校正电路，其中像素部分包括薄膜发光元件，以及其中检测器部分包括薄膜光二极管。6.一种发光模块包括发光器件，其包括像素部分，驱动电路和检测器部分，它们被形成在同一个绝缘基体上；以及和发光器件相连的校正电路，其中像素部分包括薄膜发光元件，以及其中检测器部分包括薄膜光二极管。7.如权利要求2所述的发光模块，其中校正电路包括运算电路，用于根据来自检测器部分的信号计算发光元件的亮度。8.如权利要求5所述的发光模块，其中校正电路包括运算电路，用于根据来自检测器部分的信号计算发光元件的亮度。9.如权利要求6所述的发光模块，其中校正电路包括运算电路，用于根据来自检测器部分的信号计算发光元件的亮度。10.如权利要求3所述的发光模块，其中发光元件和薄膜二极管与一个晶体管电气相连。11.如权利要求4所述的发光模块，其中发光元件和薄膜二极管和一个晶体管电气相连。12.如权利要求5所述的发光模块，其中发光元件和薄膜光二极管和一个晶体管电气相连。13.如权利要求6所述的发光模块，其中发光元件和薄膜光二极管和一个晶体管电气相连。14.如权利要求10所述的发光模块，其中晶体管是底栅极型薄膜晶体管。15.如权利要求11所述的发光模块，其中晶体管是底栅极型薄膜晶体管。16.如权利要求12所述的发光模块，其中晶体管是底栅极型薄膜晶体管。17.如权利要求13所述的发光模块，其中晶体管是底栅极型薄膜晶体管。18.如权利要求1所述的发光模块，其中发光元件是EL元件。19.如权利要求2所述的发光模块，其中发光元件是EL元件。20.如权利要求5所述的发光模块，其中发光元件是EL元件。21.如权利要求6所述的发光模块，其中发光元件是EL元件。22.如权利要求1所述的发光模块，其中所述发光模块被包括在便携电话、视频摄像机、数字照相机、计算机之一内。23.如权利要求2所述的发光模块，其中所述发光模块被包括在便携电话、视频摄像机、数字照相机、计算机之一内。24.如权利要求5所述的发光模块，其中所述发光模块被包括在便携电话、视频摄像机、数字照相机、计算机之一内。25.如权利要求6所述的发光模块，其中所述发光模块被包括在便携电话、视频摄像机、数字照相机、计算机之一内。26.如权利要求1所述的发光模块，其中所述检测器部分包括至少一个光检测器，其包括光二极管，复位TFT，缓冲TFT，和恒流TFT。27.如权利要求2所述的发光模块，其中所述检测器部分包括至少一个光检测器，其包括光二极管，复位TFT，缓冲TFT，和恒流TFT。28.如权利要求5所述的发光模块，其中所述检测器部分包括至少一个光检测器，其包括光二极管，复位TFT，缓冲TFT，和恒流TFT。29.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。