【技术实现步骤摘要】
半导体器件及引线框架
[0001]本技术涉及半导体封装领域,特别涉及一种半导体器件及引线框架。
技术介绍
[0002]半导体封装产品通常是将半导体芯片贴装于引线框架上,以焊线导电连接半导体芯片与引线框架,最后以封装材料封装而获得。
[0003]随着科技发展的进步,QFN(Quad Flat No
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leads Package,方形扁平无引脚封装)是一种常见的塑封体结构,该塑封体的四侧配置有电极触点,由于无外露的引脚,故其贴装占有面积比QFP(Quad Flat Package,方型扁平式封装)小,高度也比QFP低。
[0004]QFN是一种无引脚封装,呈正方形或矩形,封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热,围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。此外,它还通过外露的引线框架焊盘(基岛背面)提供了出色的散热性能,该焊盘(基岛背面)具有直接散热通道,用于释放封装内的热量。通常将散热焊盘(基岛背面)直接焊接在电路板上。由于体积小、重量轻、加上杰出的电性能和热性能,这种封装特别适合任 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括引线框架、半导体芯片及塑封体,所述塑封体用于密封所述引线框架及所述半导体芯片,所述引线框架包括:基岛,所述基岛具有第一表面,用于承载所述半导体芯片;框架主体,所述框架主体环绕所述基岛;至少一个连接筋,所述至少一个连接筋将所述基岛与所述框架主体固定连接;多个引脚结构,所述多个引脚结构设置在所述框架主体上并与所述框架主体固定连接,所述多个引脚结构与所述半导体芯片上的多个焊盘之间通过键合线对应电连接;其中,在所述第一表面上设置有条形沟槽,所述塑封体填充所述条形沟槽。2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述引线框架的与所述塑封体直接接触的表面是经粗糙化处理的表面,其中,所述经粗糙化处理的表面的粗糙度为0.15μm~0.3μm。3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述引脚结构的与所述第一表面同侧的表面上设置有凹坑,所述塑封体完全填充所述凹坑。4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在垂直于所述第一表面的方向上,每个所述凹坑的深度是所述引线框架的厚度的40%~50%。5.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,在平行于所述第一表面的方向上,所述凹坑的宽度大于等于0.1mm。6.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,每个所述引脚结构的远离所述基岛的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张胡军,孙顺根,欧阳茜,
申请(专利权)人:上海晶丰明源半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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