多导体传输线特性参数的确定方法、装置、设备和存储介质制造方法及图纸

技术编号:32131543 阅读:29 留言:0更新日期:2022-01-29 19:31
本发明专利技术适用于多导体传输线的特性分技术领域,提供一种多导体传输线特性参数的确定方法、装置、设备和存储介质,多导体传输线特性参数的确定方法包括根据多导体传输线系统中每根传输线的电流密度、磁导率、角频率确定每根传输线关于磁矢势的非齐次亥姆霍兹方程、串联阻抗矩阵和并联导纳矩阵;根据非齐次亥姆霍兹方程和第一频点集确定磁矢势矩阵;根据在第一频点集中选取的第二频点集确定磁矢势矩阵的近似矩阵;根据近似矩阵确定每根传输线的电流;根据每根传输线的电流、串联阻抗矩阵和并联导纳矩阵确定、电阻、电感、电容和电导。本方案通过在第一频点集中选取第二频点集,减少了频点数,然后根据近似矩阵计算,有效减少了计算量,提高计算效率。提高计算效率。提高计算效率。

【技术实现步骤摘要】
多导体传输线特性参数的确定方法、装置、设备和存储介质


[0001]本专利技术属于多导体传输线的特性分析
,尤其涉及一种多导体传输线特性参数的确定方法、装置、设备和存储介质。

技术介绍

[0002]设计高速数字电路时需要能够准确地预估传输线连接处的反射、失真以及串扰,同时计算所需的时间不能过长。因此,精确且高效的分析计算有损耗多导体传输线的特性参数的模型以及分析法是非常必要的。在共面波导中,有损耗多导体传输线单位长度特性参数的色散与其材料的损耗有关,有损耗多导体传输线特性参数包括电阻、电感、电导和电容。
[0003]现有技术中有限元算法可以分析处理传输线中常见的各向异性材料,导体和电介质。在不对麦克斯韦方程组进行简化的前提下,全波有限元分析法可以提供精确的分析,但是其处理过程中的计算量大,相应的计算耗时长,对有损耗多导体传输线的特性参数计算分析响应速度慢。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的目的在于提供一种多导体传输线特性参数的确定方法,旨在解决现有技术确定损耗多导体传输线特性参数的计算量大,响应速度慢的技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多导体传输线特性参数的确定方法,其特征在于,所述多导体传输线特性参数的确定方法包括:根据多导体传输线系统中每根传输线的电流密度、磁导率以及角频率确定每根传输线关于磁矢势的非齐次亥姆霍兹方程,并根据所述非齐次亥姆霍兹方程确定串联阻抗矩阵和并联导纳矩阵;根据所述非齐次亥姆霍兹方程和在频段内选取的第一频点集确定磁矢势矩阵;根据在所述第一频点集中选取的第二频点集确定所述磁矢势矩阵的近似矩阵,所述第二频点集中的频点数量少于所述第一频点集中的频点数量;根据所述近似矩阵确定每根传输线的电流;根据每根传输线的电流和所述串联阻抗矩阵确定每根传输线单位长度的电阻、电感,以及根据每根传输线的电流和所述并联导纳矩阵确定每根传输线单位长度的电容和电导。2.根据权利要求1所述的多导体传输线特性参数的确定方法,其特征在于,所述根据所述非齐次亥姆霍兹方程和在频段内选取的第一频点集确定磁矢势矩阵,包括:将磁矢势的计算区域分解为有限个单元,所述磁矢势的计算区域包括电介质区域和金属区域;根据伽辽金有限元算法确定所述非齐次亥姆霍兹方程的矩阵表达式;根据所述非齐次亥姆霍兹方程的矩阵表达式和在频段内选取的第一频点集确定磁矢势矩阵。3.根据权利要求1所述的多导体传输线特性参数的确定方法,其特征在于,所述根据在所述第一频点集中选取的第二频点集确定所述磁矢势矩阵的近似矩阵,包括:对所述磁矢势矩阵进行奇异值分解,得到:A1=UMV
T
,其中,A1为N
×
N1的磁矢势矩阵,U为一个N
×
N1的矩阵且其每一列都是奇异向量,M为一个N1×
N1的对角矩阵且其所有奇异值均为正数,V是一个N1×
N1的酉矩阵,N1为第一频点集中频点的数量,N为磁矢势矩阵对应有限元方程组中未知量的个数;将磁矢势矩阵A1用N2个奇异向量表示,得到磁矢势的近似矩阵其中N2为第二频点集中频点的数量。4.根据权利要求1所述的多导体传输线特性参数的确定方法,其特征在于,所述根据所述近似矩阵确定每根传输线的电流,包括:根据所述近似矩阵和所述非齐次亥姆霍兹方程的矩阵表达式计算磁矢势;根据所述磁矢势和所述电流密度确定每根传输线的电流。5.根据权利要求4所述的多导体传输线特性参数的确定方法,其特征在于,根据每根传输线的电流和所述串联阻抗矩阵确定每根传输线单位长度的电阻、电感,包括:根据每根传输线的电流通过外加激励法计算所述串联阻抗矩阵:[Z]=[E][I]
‑1,[Z]=[R]+jω[L],其中串联阻抗矩阵的实部为每根传输线单位长度的电阻,串联阻抗矩阵的虚部为所选频点的角频率和该频点下每根传输线单位长度的电感。6.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构
申请(专利权)人:芯和半导体科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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