一种双MRAM的MCU及缓存数据的方法技术

本申请公开了一种双MRAM式存储器的MCU及缓存数据的方法，涉及一种双MRAM式存储器MCU领域。本申请第一方面提出了一种双MRAM式缓存MCU，所述MCU包括：处理器、AHB、存储器、APB、AHB转APB桥，所述处理器通过AHB与存储器相连，所述AHB通过AHB转APB桥与外设总线相连，所述存储器包括2个MRAM，其中1个MRAM用作备份。本申请第二方面提出了一种缓存方法，包括：针对MCU不同工作模式制定不同存储规则，并在需求部分数据存储的环境下，建立优先级决策规则。通过对在系统总线接入双MRAM作为存储器MCU结构，并结合所述缓存方法，实现对缓存空间的有效管理，提升了MCU系统的稳定性。提升了MCU系统的稳定性。提升了MCU系统的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种双MRAM的MCU及缓存数据的方法


[0001]本专利技术实施例涉及磁存储领域，涉及一种双MRAM的MCU及缓存数据的方法。

技术介绍

[0002]微控制单元(MCU，Micro Controller Unit)又称单片微型计算机，是将中央处理器(CPU，Central Process Unit)的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、通用串行总线(USB，Universal Serial Bus)、A/D转换、异步收发传输器(UART，Universal Asynchronous Receiver Transmitter)、可编程逻辑控制器(PLC，Programmable Logic Controller)以及直接存储器访问(DMA，Direct Memory Access)等周边接口，甚至液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)驱动电路计算机运行涉及的器件及接口全部集成在单一芯片上，形成的芯片级的计算机。由于MCU体积相对较小，目前MCU被广泛应用在AI、云计算、5G以及智能汽车等领域。
[0003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缓存数据的方法，其特征在于，应用于双磁性随机存储器MRAM的MCU，所述MCU包括第一存储器(3A)以及第二存储器存储器(3B)，所述方法包括：将所述MCU运行过程中产生的信息存储到所述第一存储器(3A)；检测所述MCU的运行模式，所述MCU的运行模式包括非用户模式和用户模式；当所述MCU的运行模式是所述非用户模式时，将所述第一存储器(3A)中的全部信息存储到所述第二存储器(3B)；当所述MCU处于用户模式时，将所述第一存储器(3A)中与所述用户模式匹配的信息存储到所述第二存储器(3B)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述与用户模式匹配的信息，包括：所述MCU运行故障对应的运行日志。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：确定所述第一存储器中各类信息的优先级，其中，每类信息对应一种类型的业务；根据所述各类信息的优先级确定与所述用户模式匹配的信息。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述各类信息中的每类信息包括相应业务对应的运行事件，所述确定所述第一存储器中各类信息的优先级，包括：所述MCU获取所述第一存储器的至少一个存储区域的访问时刻以及访问次数，并建立在每个访问时刻下各存储区域与相应访问次数的对应关系，得到至少一个运行事件；所述MCU确定所述至少一个运行事件中每个运行事件的运行时刻；确定每个运行事件在各个时刻的权重，所述权重表征相应运行事件的需求程度；根据所述权重确定所述每个运行事件的优先级。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李月婷，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：