一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路技术方案

本发明专利技术提供一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路，包括用于表征应用细节的浮地高端电平线、浮地输出电平线、浮地低端电平线、普通输入电平线和普通地线，所述电路包括集成在同一基板上的受控开关电流源、上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路，本发明专利技术通过将各模块综合并单片集成，以普通地线作为零电平参考地向受控开关电流源输入固地电平，经上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路移位转换后输出与固地电平同相的浮地电平，实现了电机驱动系统中，零电平参考地固定的单元与零电平参考地浮动的其他单元之间的信号通信，满足了电机驱动应用需求。满足了电机驱动应用需求。满足了电机驱动应用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路设计
，具体涉及一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路。

技术介绍

[0002]在各种复合驱动系统设计中，其各个单元信号源的参考地并不相同，特别是电机驱动系统设计领域中，通常具备两种参考地线，分别是普通地线与浮地低端电平线，则各个单元之间必须通过合理电平移位电路的工作才能实现不同参考地电平信号之间的通信，才可以满足实际电路需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的提供一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路，包括用于表征应用细节的浮地高端电平线、浮地输出电平线、浮地低端电平线、普通输入电平线和普通地线，所述电路包括集成在同一基板上的受控开关电流源、上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路，以普通地线作为零电平参考地向受控开关电流源输入固地电平，经上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路移位转换后输出与固地电平同相的浮地电平。
[0006]进一步地，所述受控开关电流源设置有两个输入端和两个输出端，其中输入端一外接普通输入电平线，输入端二外接普通地线，输出端一和输出端二分别输出电流I1和I2；所述上电流整流器一的供电段外接浮地高端电平线，输入端接电流I1，输出端输出电流I3；所述上电流整流器二的供电段外接浮地高端电平线，输入端接电流I2，输出端输出电流I4；所述下电流整流器的供电段外接浮地低端电平线，输入端接电流I3，输出端输出电流I5；所述放大整形电路设置有两个供电端，分别外接浮地高端电平线和浮地低端电平线，输入端接电流I6，且电流I6的大小为I4和I5的差值，输出端输出与受控开关电流源的输入固定电平同相的浮地电平，并外接浮地输出电平线。
[0007]进一步地，所述受控开关电流源包括偏置电压源VBIAS，MOS管M1、M2、M3，所述偏置电压源VBIAS的正极与MOS管M1的栅极连接、负极与MOS管M1的源极连接后与普通地线相接，所述MOS管M1的漏极分别与MOS管M2的源极、MOS管M3的漏极连接，所述MOS管M2、M3的栅极互连且与普通输入电平线相接，所述MOS管M2的漏极用于输出电流I1，MOS管M3的源极用于输出电流I2。
[0008]进一步地，所述上电流整流器一包括MOS管M4、M5，所述MOS管M4的漏极接电流I1输出端，且所述MOS管M4的栅极与自身漏极互连且与MOS管M5的栅极连接，所述MOS管M1、M2的源极互连且与浮地高端电平线相接，所述MOS管M5的漏极用于输出电流I3。
[0009]进一步地，所述上电流整流器二包括MOS管M6、M7，所述MOS管M6的漏极接电流I2输出端，且所述MOS管M6的栅极与自身漏极互连且与MOS管M7的栅极连接，所述MOS管M6、M7的源极互连且与浮地高端电平线相接，所述MOS管M7的漏极用于输出电流I4。
[0010]进一步地，所述下电流整流器包括MOS管M8、M9，所述MOS管M8的漏极接电流I3输出端，且所述MOS管M8的栅极与自身漏极互连且与MOS管M9的栅极连接，所述MOS管M8、M9的源极互连且与浮地低端电平线相接，所述MOS管M9的漏极用于输出电流I5。
[0011]进一步地，所述放大整形电路包括MOS管M10、M11，所述MOS管M10、M11的栅极互连且与电流I4和I5输出端相接，所述MOS管M10、M11的漏极互连且与浮地输出电平线相接，所述MOS管M10的源极接浮地高端电平线，述MOS管M11的源极接浮地低端电平线。
[0012]由以上技术方案可知，本专利技术通过将各模块综合并单片集成，以普通地线作为零电平参考地向受控开关电流源输入固地电平，经上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路移位转换后输出与固地电平同相的浮地电平，实现了电机驱动系统中，零电平参考地固定的单元与零电平参考地浮动的其他单元之间的信号通信，满足了电机驱动应用需求。
附图说明
[0013]图1为本专利技术的模块连接示意图；
[0014]图2为本专利技术的电力连接示意图；
[0015]图中：1、受控开关电流源；2、上电流整流器一3、上电流整流器二；4、下电流整流器；5、放大整形电路。
具体实施方式
[0016]下面结合附图对本专利技术的一种优选实施方式做详细的说明。
[0017]如图1所示的电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路，所述电路包括集成在同一基板上的受控开关电流源、上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路，以普通地线作为零电平参考地向受控开关电流源输入固地电平，经上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路移位转换后输出与固地电平同相的浮地电平；本专利技术通过浮地高端电平线、浮地输出电平线、浮地低端电平线、普通输入电平线和普通地线用于表征应用细节；具体的，所述受控开关电流源设置有两个输入端和两个输出端，其中输入端一外接普通输入电平线，输入端二外接普通地线，输出端一和输出端二分别输出电流I1和I2；所述上电流整流器一的供电段外接浮地高端电平线，输入端接电流I1，输出端输出电流I3；所述上电流整流器二的供电段外接浮地高端电平线，输入端接电流I2，输出端输出电流I4；所述下电流整流器的供电段外接浮地低端电平线，输入端接电流I3，输出端输出电流I5；所述放大整形电路设置有两个供电端，分别外接浮地高端电平线和浮地低端电平线，输入端接电流I6，且电流I6的大小为I4和I5的差值，输出端输出与受控开关电流源的输入固定电平同相的浮地电平，并外接浮地输出电平线。
[0018]如图2所示，在具体的使用中：
[0019]本优选实施例所述的受控开关电流源包括偏置电压源VBIAS，MOS管M1、M2、M3，所述偏置电压源VBIAS的正极与MOS管M1的栅极连接、负极与MOS管M1的源极连接后与普通地
线相接，所述MOS管M1的漏极分别与MOS管M2的源极、MOS管M3的漏极连接，所述MOS管M2、M3的栅极互连且与普通输入电平线相接，所述MOS管M2的漏极用于输出电流I1，MOS管M3的源极用于输出电流I2。以普通地线作为其零电平参考点，所述受控开关电流源的输入固地电平可划分为输入固地低电平与输入固地非低电平两种值；当输入固地电平为输入固地低电平时，所述受控开关电流源输出电流的关系表征为“I1大于I2”，当输入固地电平为输入固地非低电平时，所述受控开关电流源输出电流的关系表征为“I1小于I2值”。
[0020]本优选实施例所述的上电流整流器一包括MOS管M4、M5，所述MOS管M4的漏极接电流I1输出端，且所述MOS管M4的栅极与自身漏极互连且与MOS管M5的栅极连接，所述MOS管M1、M2的源极互连且与浮地高端电平线相接，所述MOS管M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路，包括用于表征应用细节的浮地高端电平线、浮地输出电平线、浮地低端电平线、普通输入电平线和普通地线，其特征在于，所述电路包括集成在同一基板上的受控开关电流源、上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路，以普通地线作为零电平参考地向受控开关电流源输入固地电平，经上电流整流器一、上电流整流器二、下电流整流器以及放大整形电路移位转换后输出与固地电平同相的浮地电平。2.根据权利要求1所述的一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路，其特征在于，所述受控开关电流源设置有两个输入端和两个输出端，其中输入端一外接普通输入电平线，输入端二外接普通地线，输出端一和输出端二分别输出电流I1和I2；所述上电流整流器一的供电段外接浮地高端电平线，输入端接电流I1，输出端输出电流I3；所述上电流整流器二的供电段外接浮地高端电平线，输入端接电流I2，输出端输出电流I4；所述下电流整流器的供电段外接浮地低端电平线，输入端接电流I3，输出端输出电流I5；所述放大整形电路设置有两个供电端，分别外接浮地高端电平线和浮地低端电平线，输入端接电流I6，且电流I6的大小为I4和I5的差值，输出端输出与受控开关电流源的输入固定电平同相的浮地电平，并外接浮地输出电平线。3.根据权利要求1所述的一种电机驱动系统中固地电平移位浮地电平的电路，其特征在于，所述受控开关电流源包括偏置电压源VBIAS，MOS管M1、M2、M3，所述偏置电压源VBIAS的正极与MOS管M1的栅极连接、负极与MOS管M1的源极连接后与普通地线相接，所述MOS管M1的漏极分别与MOS管M2的源极、MOS管M3的漏极连接，所述MOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘俊，徐立祥，文理祥，邱雷，李典武，王威，韩磊，王科，
申请(专利权)人：合肥艾创微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：