【技术实现步骤摘要】
基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光电化学传感器的制备方法
[0001]本专利技术涉及基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光电化学传感器的制备方法。具体是采用作为CoTiO3/g
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C3N4/Bi2O3基底光敏材料,用MnO2作为标记物标记第二抗体,制备了一种检测黄曲霉毒素B1的猝灭型光电化学传感器,属于新型功能材料与生物传感检测
技术介绍
[0002]黄曲霉毒素(AFT)是黄曲霉和寄生曲霉等某些菌株产生的双呋喃环类毒素。其衍生物有约20种,分别命名为B1、B2、G1、G2、M1、M2、GM、P1、Q1、毒醇等。其中以B1的毒性最大,致癌性最强。动物食用黄曲霉毒素污染的饲料后,在肝、肾、肌肉、血、奶及蛋中可测出极微量的毒素。黄曲霉毒素及其产生菌在自然界中分布广泛,有些菌株产生不止一种类型的黄曲霉毒素,在黄曲霉中也有不产生任何类型黄曲霉毒素的菌株。黄曲霉毒素主要污染粮油及其制品,各种植物性与动物性食品也能被污染。产毒素的黄曲霉菌很容易在水分含量较高(水分含量低于12%则不能繁殖)的禾谷类作物、油料 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光电化学传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)CoTiO3纳米材料的制备取1.0 ~ 3.0 g乙酸钴溶于30 ~ 60 mL乙二醇中,室温下搅拌均匀后,加入1.0 ~ 5.0 mL钛酸四丁酯,继续在室温下搅拌3 ~ 6 h后得到亮粉色沉淀,该沉淀物用无水乙醇和超纯水各洗涤3次,在30 ~ 60
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C下真空干燥10 ~14 h,干燥后的粉末在500 ~ 800
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C下煅烧2 ~ 6 h,升温速率为2
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C/min,得到CoTiO3纳米材料;(2)g
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C3N4纳米片的制备取1 ~5 g三聚氰胺在50 ~ 100
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C下烘24 h,之后产品在400 ~ 600
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C下煅烧3 ~ 5 h,煅烧结束后,产品分散于0.1 ~ 0.5 mol/L的硝酸中,超声12 ~ 24 h,之后用超纯水洗涤,真空干燥,得g
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C3N4纳米片;(3)CoTiO3/g
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C3N4复合材料的制备取0.5 ~ 1.0 g的CoTiO3和0.5 ~ 1.0 g的g
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C3N4共溶于35 ~ 80 mL无水甲醇中,溶液超声处理10 ~ 30 min后,在室温下搅拌2 ~ 5 h后,用超水洗涤数次,并干燥,干燥结束后,所得粉末于350 ~ 550
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C下煅烧1 ~ 3 h,制得CoTiO3/g
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C3N4复合材料;(4)ITO/CoTiO3/g
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C3N4/Bi2O3电极的制备取5 ~ 20 mg所制备的CoTiO3/g
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C3N4复合材料溶于1 ~ 5 mL超纯水中配置成溶液,取20 μL上述溶液滴加到ITO电极上,室温下自然晾干,晾干后的电极浸入到浓度为5 ~ 20 mmol/L的硝酸铋水溶液中,浸泡1 ~ 5 min后,取出电极,并用波长为365 nm的紫外灯照射1 ~ 5 min,制得ITO/CoTiO3/g
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C3N4/Bi2O3电极;(5)MnO2纳米花的制备取50 ~ 100 mg的高锰酸钾粉末溶解于10 ~ 50 mL浓度为0.1 mol/L的稀盐酸水溶液中,搅拌均匀后得酒红色溶液,之后向该溶液中加入1 ~ 3 mL浓度为50 ~ 200 mmol/L的柠檬酸水溶液,继续在室温下搅拌30 min,溶液由酒红色变为棕色后,用超纯水和无水乙醇洗涤所得产品,并于35 ~ 55
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C下真空干...
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