一种显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括阵列基板、位于阵列基板表面的近红外Micro

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体地，涉及一种显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro
‑
Light Emitting Diode，Micro
‑
LED)显示器是一种以Micro
‑
LED芯片作为像素点的自发光显示器，因其具有高亮度、高发光效率和低功耗等优点，Micro
‑
LED的像素尺寸相对来说，尺寸更小，可适用于室内屏幕和小尺寸显示器的应用，逐渐成为了国际显示行业竞争的焦点，业内多家公司也将其视为下一代显示技术而开始积极布局。
[0003]现有技术中的Micro
‑
LED通常在蓝宝石衬底上沉积氮化镓材料而形成，由于采用无机材料，目前蓝光Micro
‑
LED的效率和寿命相对高，但是红光和绿光的性能相对较差，且一般需要分批巨量转移至基板上，良率较低，实现全彩化比较困难。
[0004]因此需要提出一种新型显示面板及其制备方法，以解决上述蓝光Micro
‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板、位于所述阵列基板上的近红外Micro
‑
LED芯片阵列、以及位于所述近红外Micro
‑
LED芯片阵列上的色转化层；所述色转化层的材料包括转换荧光材料和掺杂于所述转换荧光材料中的稀土材料，所述稀土材料包括稀土氟化物、稀土氧化物、稀土氟氧化物中一种或一种以上材料。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述色转化层包括与所述近红外Micro
‑
LED芯片对位设置的红色转化层、蓝色转化层和绿色转化层；所述红色转化层为80％Yb和2％Er共掺的YOF红色转换荧光材料，所述绿色转化层为18％Yb和2％Er共掺NaYF4绿色转换荧光材料，所述蓝色转化层为20％Yb和1％Tm共掺NaYF4蓝色转换荧光材料。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上还设置有平坦化层，所述平坦化层位于近红外Micro
‑
LED芯片阵列的间隙内，所述平坦化层上还设置有第一黑色矩阵，所述第一黑色矩阵位于所述色转化层的间隙。4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设置有第二黑色矩阵，所述黑色矩阵位于所述近红外Micro
‑
LED芯片阵列和所述色转化层的间隙。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每个所述近红外Micro
‑
LED芯片均包括第一GaAs衬底、位于所述第一GaAs衬底之上的InGaP层、位于InGaP层之上的第二GaAs衬底、位于所述第二GaAs衬底之上的GaN:Si层、位于GaN:Si层之上的InGaN/GaN混合层、以及位于InGaN/GaN混合层之上的GaN:Mg层。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板表面设置有正引脚和负引脚；所述InGaP层两侧均分别设置有第一n电极和第一p电极，所述第一n电极与所述正引脚电性连接，所述第一p电极与所述负引脚电性连...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘杰，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：