一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法，属于防辐射技术领域。本发明专利技术要解决现有flash器件对空间辐射(尤其是单粒子效应)并不具有免疫性，而导致器件的性能下降、使用寿命短等问题。本发明专利技术由MAX制备Mxene，将重金属纳米颗粒填充于Mxene中，所制得的层状材料与树脂混合后涂覆于flash器件表面，所述防辐射材料为层状结构。本发明专利技术应用于航天器、核反应堆、核防护，医疗等领域，具有十分广泛的应用前景。分广泛的应用前景。分广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于防辐射
，具体涉及到一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]近几十年来，半导体产业迅猛发展，集成电路中晶体管的密度越来越大、特征尺寸逐渐减小，表现出了体积小、功能强的特点，这些特点使其广泛应用于各个领域，尤其是航空航天系统中。然而，空间环境中存在的各种带电粒子会对航天航空系统中半导体器件造成辐射损伤。
[0003]Flash器件因其低功率、高存储容量和非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中。比如在美国国家航空航天局和欧洲航天局所发射航天器的存储系统中。然而Flash器件对辐照效应尤其是单粒子效应并不具免疫，相反，由于拥有复杂的控制电路和不同的功能模块，当带电粒子辐照下，Flash存储器会发生单粒子效应，而随着Flash存储器的浮栅存储单元特征尺寸越来越小，浮栅单元中的单粒子效应也越来越严重。因此为了应用于辐射环境，需要对Flash器件加以防护，以提高其性能及使用寿命。

技术实现思路

[0004]MXen本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗重离子单粒子效应的flash器件，其特征在于，所述抗重离子单粒子效应的flash器件材料是通过探针超声处理将重金属氧化物纳米颗粒掺杂在Mxene纳米薄片层间，重金属纳米颗粒掺杂量为10％
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60％。2.根据权利要求1所述的抗重离子单粒子效应的flash器件，其特征在于，所述Mxene纳米薄片是通过HCl和LiF刻蚀或者NaOH水热法刻蚀制备的。3.根据权利要求2所述的抗重离子单粒子效应的flash器件，其特征在于，NaOH水热法刻蚀是通过下述步骤完成的：步骤1、加热去离子水，通入10min
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120min时间的氩气，加入氢氧化钠，将其溶解于水中，得到浓度为15mol/L
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30mol/L的NaOH溶液；步骤2、在氩气保护下，将20mg
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100mgMAX分散均匀在水中，加入20mL氢氧化钠溶液并搅拌均匀；步骤3、然后转移进反应釜内衬中，随后向反应釜内衬中继续通入氩气以排出液面上方的空气，最后将内衬装填于反应釜中，将反应釜放入烘箱中，在200℃
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300℃下反应10h
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30h。反应结束后，倒掉上层清液，下层的沉淀用去离子水洗涤离心至离心液pH值接近中性，将离心后的固体产物放入真空烘箱中在70℃下烘干12h，即得到Mxene纳米薄片。4.根据权利要求1、2或3所述的抗重离子单粒子效应的flash器件，其特征在于，重金属氧化物纳米颗粒为WO3、Bi2O3、PbO中的一种或者其中几种的任意比混合。5.如权利要求4所述的抗重离子单粒子效应的flash器件，其特征在于所述MAX制备方法是按下述步骤进行的：将100mg Mxene纳米薄片完全溶解在50mL去离子水中并超声处理10min
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40min，然后加入50mg
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200mg重金属氧化物纳米颗粒，然后以10kHz
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40kHz的频率和120W
‑
170W的功率进...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓宏，李杨，秦伟，卢松涛，洪杨，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：