功率放大装置制造方法及图纸

功率放大装置(100)具备：第1电源端子，用于输入第1电源电压；功率放大用的第1晶体管(101)，被从第1电源端子供给电力，具有被施加偏置电压的第1栅极；第2电源端子，用于输入电压比第1电源电压低的第2电源电压；监视用的第2晶体管(121)，被从第1电源端子或者第2电源端子供电，模仿第1晶体管(101)的动作，具有被施加偏置电压的第2栅极；以及偏置电路(120)，被从第2电源端子供电，与第2晶体管(121)的漏极电流或者源极电流相应地生成及调整偏置电压。电流或者源极电流相应地生成及调整偏置电压。电流或者源极电流相应地生成及调整偏置电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率放大装置


[0001]本公开例如涉及具备对偏置电压进行调整的偏置电路的功率放大装置。

技术介绍

[0002]在近年来的便携电话用基站等中，要求高输出而且高效率的功率放大装置。使用氮化镓(GaN)等氮化物半导体的高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor：HEMT)或使用硅基的半导体的横向扩散MOSFET(Lateral Diffused MOS：LDMOS)能够以高电压工作、以高电流密度工作，适于高输出功率放大装置。
[0003]另一方面，为了实现信号传递的高速化、减小干扰，在高频带(例如3GHz以上)中，探讨使用大量功率放大装置或天线装置的大规模(Massive)多输入多输出(Multiple Input Multiple Output(MIMO))。为了在1个基站设置大量功率放大装置，要求使功率放大装置小型化，削减调整工时。
[0004]关于功率放大装置小型化，削减调整工时，在专利文献1中记载了对功率放大用晶体管的漏极电流进行监视并对偏置电压进行调整的偏置电路。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率放大装置，具备：第1电源端子，用于输入第1电源电压；功率放大用的第1晶体管，被从所述第1电源端子供电，具有被施加偏置电压的第1栅极；第2电源端子，用于输入电压比所述第1电源电压低的第2电源电压；监视用的第2晶体管，被从所述第1电源端子或者所述第2电源端子供电，模仿所述第1晶体管的动作，具有被施加所述偏置电压的第2栅极；以及偏置电路，被从所述第2电源端子供电，与所述第2晶体管的漏极电流或者源极电流相应地生成及调整所述偏置电压。2.如权利要求1所述的功率放大装置，所述第2晶体管被从所述第2电源端子供电。3.如权利要求1或者2所述的功率放大装置，所述偏置电路与所述第2晶体管的源极电流相应地生成及调整所述偏置电压。4.一种功率放大装置，具备：第1电源端子，用于输入第1电源电压；功率放大用的第1晶体管，具有被从所述第1电源端子供电的第1漏极、被接地的第1源极、以及用于输入高频信号的第1栅极；第2电源端子，用于输入电压比所述第1电源电压低的第2电源电压；以及偏置电路，向所述第1晶体管的所述第1栅极施加偏置电压，所述偏置电路具有：监视用的第2晶体管，具有被从所述第2电源端子供电的第2漏极、被接地的第2源极、以及与所述第1栅极电连接的第2栅极，使所述第2漏极产生与在所述第1漏极中流动的第1漏极电流对应的第2漏极电流；以及偏置调整电路，被从所述第2电源端子供电，与所述第2漏极电流相应地调整所述偏置电压。5.如权利要求2或者4所述的功率放大装置，所述第2电源电压被设定为使得所述第2晶体管在饱和区中工作的电压。6.一种功率放大装置，具备：第1电源端子，用于输入第1电源电压；功率放大用的第1晶体管，具有被从所述第1电源端子供电的第1漏极、被接地的第1源极、以及用于输入高频信号的第1栅极；第2电源端子，用于输入电压比所述第1电源电压低的第2电源电压；以及偏置电路，向所述第1晶体管的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐治隆司，本吉要，松田慎吾，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：