一种铜合金引线框架材料制造技术

本发明专利技术提供了一种铜合金引线框架材料，涉及有色金属技术领域。本发明专利技术提供的铜合金引线框架材料，以质量百分比计，化学成分包括：Sn 1.0~3.0%，Ni 0.5~4.0%，Zn 0.1~5.0%，P≤0.1%，B 0.005~0.01%，余量为Cu。本发明专利技术通过控制铜合金的成分在上述范围，配合制备方法的协同作用，得到了低成本、低热收缩率、高强度、高导电率和蚀刻性能优异的铜合金引线框架材料，完全可以满足大规模集成电路对高精密高精度蚀刻封装的引线框架材料的使用要求。封装的引线框架材料的使用要求。

【技术实现步骤摘要】
一种铜合金引线框架材料
[0001]

[0002]本专利技术涉及有色金属
，具体涉及一种铜合金引线框架材料。

技术介绍

[0003]现代电子信息技术核心部件是集成电路，其主要由芯片和引线框架经封装而成，其中引线框架主要起着支撑芯片、保护内部元件、连接外部电路和向外散发元件热量的作用，是集成电路中的关键材料。随着电子信息高新技术的迅速发展，产品向微、薄、轻、多功能和智能化发展，促使集成电路向大规模、超大和极大规模方向发展；引线框架材料的精密封装技术发展，不仅要求引线框架合金材料具有一定的强度和导电特性，而且对材料的加工使用性能提出了更高的要求，很多研究学者只关心材料的抗软化温度及抗应力松弛特性，但对影响封装制程精度的热收缩率指标未进行研究，从而限制了高密度脚的大规模精密框架的技术及产品发展。
[0004]目前国内市场上铜基引线框架主要有C19210、C19400和C70250、CuCrZr等几种合金，其中C19210合金导电率大于80%IACS，但强度只有400MPa左右，同时热传导率为360W/(m
·<br/>K)，热收缩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜合金引线框架材料，其特征在于，以质量百分比计，化学成分包括：Sn 1.0~3.0%，Ni 0.5~4.0%，Zn 0.1~5.0%，P≤0.1%，B 0.005~0.01%，余量为Cu；所述铜合金引线框架材料的制备方法，包括以下步骤：按照所述铜合金引线框架材料的化学成分进行配料，得到合金原料；将所述合金原料依次进行熔炼和铸造，得到合金铸坯；将所述合金铸坯依次进行热轧、冷轧、中间退火、中轧、在线连续退火和精轧，得到铜合金引线框架材料；所述在线连续退火的温度为700~850℃；所述精轧后不进行退火；经450℃
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5min烘烤后所述铜合金引线框架材料的热收缩率≤0.02%。2.根据权利要求1所述的铜合金引线框架材料，其特征在于，以质量百分比计，化学成分包括：Sn 1.3~1.7%，Ni 0.75~0.9%，Zn 0.2~0.8%，P 0.03~0.08%，B 0.005~0.01%，余量为Cu。3.根据权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峰，胡明烈，陈建华，马吉苗，门宇航，郑芸，万向阳，
申请(专利权)人：宁波兴业鑫泰新型电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：