提高量子产率的光电阴极制造技术

本发明专利技术涉及一种电磁辐射检测器，包括用于接收入射光子流的入口窗口(310)和半导体层形式的光电阴极(320)。在入口窗口的下游面(312)上沉积导电层(316)，并且在导电层(316)和半导体层(320)之间设置薄介电层(317)。导电层的电势低于半导体层的电势，以将光电子驱逐出复合区域，从而提高光电阴极的量子产率。从而提高光电阴极的量子产率。从而提高光电阴极的量子产率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】提高量子产率的光电阴极


[0001]本专利技术涉及光电阴极的一般领域，例如用于图像增强器或光电倍增管的光电阴极。

技术介绍

[0002]电磁辐射检测器，例如图像增强管或光电倍增管，允许通过将电磁辐射转换成光或电输出信号来检测一个给定光谱带中的电磁辐射。
[0003]通常，这些检测器包括用于接收电磁辐射并发射光电子通量作为响应的光电阴极，用于接收所述光电子通量并发射所谓二次电子通量作为响应的电子倍增器装置，以及最后用于接收所述电子通量并将其转换为输出信号的输出装置。
[0004]图1表示从现有技术中已知的电磁辐射检测器。
[0005]如图所示，这种检测器100包括通常为玻璃的透明材料制成的入口窗口110，其用作由半导体材料制成的光电发射层或光电阴极120的支撑。入口窗口具有用于接收入射光子通量的正面111和与正面相对的背面112。光电发射层包括与入口窗口的背面接触的上游面(upstream face)121和发射光电子的下游面(downstream face)122。
[0006]光电阴极相对于施加在电子倍增器装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电磁辐射检测器，包括：玻璃入口窗口(310)，所述玻璃入口窗口具有用于接收入射光子通量的上游面(311)和与所述上游面相对的下游面(312)；半导体层(320)形式的光电阴极，所述光电阴极用于从所述入射光子产生光电子并发射由此产生的所述光电子；电子倍增器装置(330)，所述电子倍增器装置配置为接收由所述光电阴极发射的所述光电子并针对每个接收的光电子生成多个二次电子；以及输出装置(340)，所述输出装置配置为从所述二次电子中产生输出信号，其特征在于，在所述入口窗口的下游面(312)上沉积透明导电层(316)，并且在所述导电层(316)和所述半导体层(320)之间设置薄绝缘层(317)，所述导电层与第一电极(315)电连接，所述半导体层与第二电极(325)电连接，所述第一电极被设置为比施加在所述第二电极上的电势低的电势。2.根据权利要求1所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述半导体层由多晶半导体材料制成。3.根据权利要求2所述的电磁辐射检测器，其特征在于，所述多晶半导体材料选自SbK2Cs、SbRb2Cs、SbRb2Cs、SbCs3、SbNa3、SbNaKRbCs、SbNaKCs、SBNa2KCS。...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：法国甫托尼公司，
类型：发明
国别省市：