光检测电路制造技术

本发明专利技术提供一种在集成电路内部实现的光检测电路。传统的光检测电路采用光电二极管的形式，存在着成本高、制作难度大以及使用不便的问题。本发明专利技术的目的在于提供一种能完全在集成电路内部实现的、而且可采用常规ＣＭＯＳ工艺制作的光检测电路。本发明专利技术的光检测电路包括：电子脉冲开关、在ＣＭＯＳ工艺中实现的双极型晶体管、电容器以及整形电路；所述ＣＭＯＳ工艺晶体管与所述电容器并联后与所述电子脉冲开关串联，所述脉冲电子开关的另一端接电源；所述ＣＭＯＳ工艺晶体管与所述电容器的串联电路的另一端接地，所述整形电路连接到所述脉冲电子开关与所述ＣＭＯＳ工艺晶体管和所述电容器的串联电路的连接点上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光检测电路，尤其涉及在集成电路内部实现的光检测电路。
技术介绍
传统的光检测电路采用光电二极管的方式，将光信号转为电流信号。图1示出了一种传统的光检测电路的示意图。D为光电二极管，当光电二极管检测到光信号后，转换成电流信号，提供给后续的电流/电压转换电路11，经转换后，输出有幅度值的电压，从而检测光信号。这种电路一般都需要外接元器件(光电二极管)。而如果要将该光电二极管在集成电路内部实现，则需要采用特殊的工艺。因此无论那种方法，都会带来成本上的增加，前者还会造成使用上的不便。
技术实现思路
因此，基于上述
技术介绍
，本专利技术的目的在于提供一种能完全在集成电路内部实现的、而且可采用常规CMOS工艺制作的光检测电路。根据本专利技术的上述目的，本专利技术的光检测电路包括电子脉冲开关、在CMOS工艺中实现的双极型晶体管、电容器以及整形电路；所述CMOS工艺晶体管与所述电容器并联后与所述电子脉冲开关串联，所述脉冲电子开关的另一端接电源；所述CMOS工艺晶体管与所述电容器的串联电路的另一端接地，所述整形电路连接到所述脉冲电子开关与所述CMOS工艺晶体管和所述电容器的串联电路的连接点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光检测电路包括：电子脉冲开关、在ＣＭＯＳ工艺中实现的双极型晶体管、电容器以及整形电路；所述ＣＭＯＳ工艺晶体管与所述电容器并联后与所述电子脉冲开关串联，所述脉冲电子开关的另一端接电源；所述ＣＭＯＳ工艺晶体管与所述电容器的串联电路的另一端接地，所述整形电路连接到所述脉冲电子开关与所述ＣＭＯＳ工艺晶体管和所述电容器的串联电路的连接点上。

【技术特征摘要】
1.一种光检测电路包括电子脉冲开关、在CMOS工艺中实现的双极型晶体管、电容器以及整形电路；所述CMOS工艺晶体管与所述电容器并联后与所述电子脉冲开关串联，所述脉冲电子开关的另一端接电源；所述CMOS工艺晶体管与所述电容器的串联电路的另一端接地，所述整形电路连接到所述脉冲电子开关与所述CMOS工艺晶体管和所述电容器的串联电路的连接点上。2.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈良生，任建军，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]