半导体器件退饱和状态检测电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体器件退饱和状态检测电路，所述半导体器件退饱和状态检测电路包括用于驱动所述半导体器件的驱动单元、第一限流电阻、第一单向导通元件、第二单向导通元件、上拉电阻、稳压单元、故障信号生成单元及控制器。本实用新型专利技术的技术方案，能够降低半导体器件进入退饱和状态的检测成本。体器件进入退饱和状态的检测成本。体器件进入退饱和状态的检测成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件退饱和状态检测电路


[0001]本技术涉及检测
，特别涉及一种半导体器件退饱和状态检测电路。

技术介绍

[0002]在逆变器的设计过程中，主要通过集成有退饱和保护的隔离驱动芯片来对IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管进入退饱和状态进行检测。
[0003]但是，集成有退饱和保护的隔离驱动芯片常用于隔离场景下的退饱和状态检测；并且，集成有退饱和保护的隔离驱动芯片成本高，会增加IGBT的检测成本。

技术实现思路

[0004]本技术提出一种半导体器件退饱和状态检测电路，旨在降低半导体器件进入退饱和状态的检测成本。
[0005]为实现上述目的，本技术提供一种半导体器件退饱和状态检测电路，包括用于驱动所述半导体器件的驱动单元、第一限流电阻、第一单向导通元件、第二单向导通元件、上拉电阻、稳压单元、故障信号生成单元及控制器；
[0006]所述半导体器件的输入端经所述第一限流电阻连接至直流母线正极，所述半导体器件的输出端与所述驱动单元的接地端共接后连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件退饱和状态检测电路，其特征在于，包括用于驱动所述半导体器件的驱动单元、第一限流电阻、第一单向导通元件、第二单向导通元件、上拉电阻、稳压单元、故障信号生成单元及控制器；所述半导体器件的输入端经所述第一限流电阻连接至直流母线正极，所述半导体器件的输出端与所述驱动单元的接地端共接后连接至直流母线负极，所述半导体器件的受控端连接至所述驱动单元的输出端；所述第一单向导通元件的输入端与所述第二单向导通元件的输入端共接后一方面连接至所述稳压单元的输入端，另一方面经由所述上拉电阻连接至第一供电点；所述第一单向导通元件的输出端连接至所述驱动单元的输出端，所述第二单向导通元件的输出端连接至所述半导体器件的输入端；所述稳压单元的第一输出端连接至所述故障信号生成单元的受控端，所述稳压单元的第二输出端接地；所述故障信号生成单元的输入端连接至第二供电点，所述故障信号生成单元的输出端连接至所述控制器，由所述控制器根据所述故障信号生成单元输出的检测信号判断所述半导体器件是否进入退饱和状态。2.如权利要求1所述的半导体器件退饱和状态检测电路，其特征在于，所述稳压单元包括：稳压二极管、分压电路；所述稳压二极管的阴极与所述第一供电点连接，所述稳压二极管的阳极与所述分压电路的输入端连接；所述分压电路的第一输出端与所述故障信号生成单元的受控端连接，所述分压电路的第二输出端与所述故障信号生成单元的输出端共接后接地。3.如权利要求2所述的半导体器件退饱和状态检测电路，其特征在于，所述分压电路包括第一电阻、第二电阻；所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端共接后构成所述分压电路的输入端，所述第一电阻的第二端为所述分压电路的第一输出端连接至所述故障信号生成单元的受控端，所述第二电阻的第二端为所述分压电路的第二输出端连接至所述故障信号生成单元的输出端并接地。4.如权利要求3所述的半导体器件退饱和状态检测电路，其特征在于，所述稳压单元还包括能量存储元件，所述能量存储元件的一端连接至所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵怀阳，
申请(专利权)人：深圳市汇川技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：