光刻工艺余量的评价方法及测定条件的设定方法技术

可以提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量的评价方法。对在被曝光衬底上形成图形的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值。对每一个曝光量的设定值和焦点位置的设定值的组合，计算图形的多个模拟测定尺寸。根据每一种组合的模拟测定尺寸，计算多个ＥＤ－ｔｒｅｅ，计算多个工艺余量。计算在相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量的分散。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造方法的光刻技术，特别是涉及光刻工艺余量的评价方法。
技术介绍
为了评价光刻的工艺余量，就必须精度良好地测定光刻胶图形的尺寸对曝光量和焦点位置的依赖性。随着半导体器件的电路图形的微细化、光刻胶图形的微细化，光刻胶的边沿粗糙度和尺寸测定装置的误差等，就不断变成为不能忽视的那种程度的大。有时候就不能精度良好地测定光刻胶图形的尺寸，就是说，归因于光刻胶图形的尺寸的参差而不能正确地评价工艺余量。以往，采用使曝光量和焦点位置摆动的办法进行曝光，测定光刻胶尺寸，计算工艺余量而与光刻胶尺寸的参差没有关系(例如，参看专利文献1和专利文献2)。对计算出来的工艺余量的再现性或进行误差评价的手段是贫乏的。因此，存在着过大或过小地评价工艺余量的危险性。特开平10-199787号公报(权利要求1，图1)[专利文献2]特开平02-224319号公报(权利要求1)
技术实现思路
本专利技术就是鉴于以上的情况而专利技术的，目的在于提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量评价方法。本专利技术的目的还在于提供可进行具有工艺余量的工艺的评价测定的测定条件的设定方法。本专利技术的目的还在于提供可以正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工艺余量的评价方法，其特征在于具有：对在被曝光衬底上形成图形曝光的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值；对每一个上述曝光量的设定值和上述焦点位置的设定值的组合，计算上述图形的多个模拟测定尺寸；根据上 述每一种组合的上述模拟测定尺寸，计算多个ＥＤ－ｔｒｅｅ，计算多个工艺余量；和计算在相当于上述被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个上述余量曲线的曝光量的余量度的分散。

【技术特征摘要】
JP 2002-10-1 289210/20021.一种工艺余量的评价方法，其特征在于具有对在被曝光衬底上形成图形曝光的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值；对每一个上述曝光量的设定值和上述焦点位置的设定值的组合，计算上述图形的多个模拟测定尺寸；根据上述每一种组合的上述模拟测定尺寸，计算多个ED-tree，计算多个工艺余量；和计算在相当于上述被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个上述余量曲线的曝光量的余量度的分散。2.根据权利要求1所述的工艺余量的评价方法，其特征在于上述图形的测定尺寸具有尺寸分散，对上述模拟测定尺寸的计算，具有对上述每一个组合计算上述图形的计算尺寸；对上述每一个组合产生具有上述尺寸分散的多个尺寸随机数；和对上述每一个组合计算给上述计算尺寸加上上述尺寸随机数后的多个上述模拟测定尺寸。3.根据权利要求1所述的工艺余量的评价方法，其特征在于上述曝光量的实效值具有光量分散，上述焦点位置的实效值具有位置分散，对上述模拟测定尺寸的计算，具有对上述每一个组合计算产生具有上述光量分散的多个光量随机数；对上述每一个组合计算给上述曝光量的设定值加上上述光量随机数后的多个模拟曝光量；对上述每一个组合计算产生具有上述位置分散的多个位置随机数；对上述每一个组合计算给上述焦点位置的设定值加上上述位置随机数后的多个模拟焦点位置；和基于上述每一个组合中上述模拟曝光量和上述模拟焦点位置，计算上述图形的计算尺寸，由此计算多个上述模拟测定尺寸。4.根据权利要求1到3中的任何一项所述的工艺余量的评价方法，其特征在于以恒定的间隔设定上述多个曝光量或曝光量的对数的设定值，以恒定的间隔设定上述多个焦点位置的设定值。5.一种测定条件的设定方法，其特征在于具有对在被曝光...

【专利技术属性】
技术研发人员：三本木省次，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]