交叉耦合装置及滤波器制造方法及图纸

本实用新型专利技术揭示了一种交叉耦合装置，所述交叉耦合装置包括底座、飞杆和压座，所述飞杆包括横片和自所述横片两端分别弯折形成的竖片，所述横片卡置于所述底座和压座之间，所述竖片悬置于所述底座的两侧，从而在空间不足的情况下满足飞杆的强度要求。此外，本实用新型专利技术还揭示一种具有上述交叉耦合装置的滤波器。还揭示一种具有上述交叉耦合装置的滤波器。还揭示一种具有上述交叉耦合装置的滤波器。

【技术实现步骤摘要】
交叉耦合装置及滤波器


[0001]本技术涉及射频通讯
，尤其涉及一种交叉耦合装置及滤波器。

技术介绍

[0002]滤波器是一种频率过滤装置，即对需要的频段的信号进行选择，对不需要频段的信号进行抑制，滤波器被广泛用于射频、微波等通讯领域。
[0003]滤波器出于指标需求，会存在飞杆结构。一般滤波器包括：哑铃型的金属飞杆、塑料固定件、金属腔体及两个谐振杆。哑铃型的金属飞杆通过塑料固定件固定在金属腔体的隔筋上，使哑铃型的金属飞杆既保持相对的位置又不与金属腔体的隔筋电性导通，从而使飞杆正对的两个谐振杆之间的电磁场耦合增强，达到所需的指标要求。然而，哑铃型的金属飞杆受谐振杆的腔体空间约束，其飞杆强度有局限性，尤其在低频和小型化5G滤波器空间有限的情况下飞杆强度无法满足。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种交叉耦合装置，其满足飞杆强度。
[0005]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0006]一种交叉耦合装置，所述交叉耦合装置包括底座、飞杆和压座，所述飞杆包括横片和自所述横片两端分别弯折形成的竖片，所述横片卡置于所述底座和压座之间，所述竖片悬置于所述底座的两侧。
[0007]作为本技术进一步改进的技术方案，所述横片和所述竖片垂直设置。
[0008]作为本技术进一步改进的技术方案，所述底座和/或所述压座设置有卡扣部，所述飞杆设置有与所述卡扣部相装配的配合部。
[0009]作为本技术进一步改进的技术方案，所述卡扣部和所述配合部过盈配合。/>[0010]作为本技术进一步改进的技术方案，所述卡扣部为至少两个间隔设置的圆柱，所述配合部为至少两个间隔设置的安装孔；或，所述卡扣部为腰型凸起，所述配合部为腰型孔。
[0011]作为本技术进一步改进的技术方案，所述卡扣部为安装孔或腰型孔，所述配合部为圆柱或腰型凸起。
[0012]作为本技术进一步改进的技术方案，所述底座包括底上壁、底下壁、底前壁、底后壁、底左壁、底右壁、底前卡槽和底后卡槽，所述底前卡槽设置于所述底前壁且上下贯穿所述底上壁和底下壁，两个所述竖片分别与所述底左壁和底右壁间隔平行设置；所述压座包括顶上壁、顶下壁、顶前壁、顶后壁、顶左壁、顶右壁、顶前卡槽和顶后卡槽，所述顶前卡槽设置于所述顶前壁且上下贯穿所述顶上壁和顶下壁，所述底前卡槽和所述顶前卡槽对应设置，所述底后卡槽和顶后卡槽对应设置。
[0013]作为本技术进一步改进的技术方案，所述底前卡槽、顶前卡槽、底后卡槽和顶后卡槽均设置有导向角。
[0014]作为本技术进一步改进的技术方案，所述压座还包括开设于所述顶上壁的盲孔。
[0015]本技术还揭示一种滤波器，所述滤波器包括如上述所述的交叉耦合装置。
[0016]相较于现有技术，本技术的有益效果在于：所述飞杆包括横片和自所述横片两端分别弯折形成的竖片，所述横片卡置于所述底座和压座之间，所述竖片悬置于所述底座的两侧，从而在空间不足的情况下满足飞杆的强度要求。
附图说明
[0017]图1是本技术交叉耦合装置的立体结构示意图。
[0018]图2是图1的正视图。
[0019]图3是图1的部分分解结构示意图。
[0020]图4是图1的分解结构示意图。
[0021]图5是图1的剖视示意图。
[0022]图6是本技术交叉耦合装置的另一实施例的立体结构示意图。
[0023]图7是图6的部分分解结构示意图。
[0024]图8是图6的分解机构示意图。
[0025]图9是图6的剖视示意图。
具体实施方式
[0026]第一实施例：
[0027]请参阅图1至图5，本技术揭示一种交叉耦合装置100，其包括底座1、飞杆2和压座3。飞杆2卡置于底座1和压座3之间，底座1和压座3用于固定于两腔体(未图示)之间，通过调节飞杆2距离谐振杆(未图示)的远近实现调节飞杆2的电磁场的强弱，从而达到可以实现交叉耦合变强的目的，从而在空间不足的情况下满足飞杆2的强度要求。
[0028]请继续参阅图1至图5，底座1整体呈块状，其包括底上壁11、底下壁12、底前壁13、底后壁14、底左壁15、底右壁16、底前卡槽17、底后卡槽18和卡扣部19。其中底上壁11和底下壁12相对设置，底前壁13 和底后壁14相对设置，底左壁15和底右壁16相对设置。底前卡槽17设置于底前壁13并上下贯穿底上壁11和底下壁12，底前卡槽17自底前壁 13中间向内开设形成。底后卡槽18设置于底后壁14并上下贯穿底上壁 11和底下壁12，底后卡槽18自底后壁14中间向内开设形成。底前卡槽 17和底后卡槽18对称设置，通过底前卡槽17和底后卡槽18可将底座1 组装于腔体的飞杆卡槽内，且优选的，通过过盈方式配合组装。本实施例中，卡扣部19为凸设于底上壁11的圆柱191，圆柱191具有两个，间隔分布在底上壁11上。
[0029]优选的，飞杆2通过片状条型材料弯折形成，大致呈门框型，其包括横片21、自横片21两端分别弯折形成的竖片22。横片21卡置于底座1 和压座3之间，竖片22悬置于底座的两侧。横片21和竖片22相对垂直设置。飞杆2上设置有与卡扣部19相装配的配合部211，本实施例中，配合部211为横片21上开设的两个安装孔，安装时，横片21覆于底上壁11，且卡扣部19的两个圆柱191穿过两个安装孔，以实现飞杆2安装于底座1。优选的，安装孔与圆柱过盈方式配合。横片21的长度大于底座1的宽度，竖片22的长度大于底座1的长度，竖片22悬置于底座1的两侧，即两侧竖片22分别与底左壁15和底右壁16平行设置，竖片22与底左壁15或底右
壁16的距离根据飞杆2的不同而不同。两侧竖片22相对于底座1对称设置，也可以非对称设置，及竖片22与底左壁15的距离大于或小于竖片22与底右壁16的距离。可以根据不同的需要安装不同尺寸的飞杆2，也可以根据电磁场的调整需要将飞杆2调整不同的安装位置。
[0030]压座3的形状与底座1的形状类似，压座3包括顶上壁31、顶下壁 32、顶前壁33、顶后壁34、顶左壁35、顶右壁36、顶前卡槽37、顶后卡槽38和盲孔39。其中顶上壁31和顶下壁32相对设置，顶前壁33和顶后壁34相对设置，顶左壁35和顶右壁36相对设置。顶前卡槽37设置于顶前壁33并上下贯穿顶上壁31和顶下壁32，顶前卡槽37自顶前壁33中间向内开设形成。顶后卡槽38设置于顶后壁34并上下贯穿顶上壁31和顶下壁32，顶后卡槽38设置于顶后壁34中间向内开设形成。顶前卡槽37 和顶后卡槽38对称设置，通过顶前卡槽37和顶后卡槽38可将压座3组装于腔体的飞杆卡槽内，并与底座1上下组合，优选的，压座3通过过盈方式与腔体的飞杆卡槽相配合组装。盲孔39自顶上壁31向内开设，但并未穿透顶下壁32。
[0031]底前卡槽17和顶前卡槽37对应设置，底后卡槽18和顶后卡槽38对应设置。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交叉耦合装置，其特征在于，所述交叉耦合装置(100)包括底座(1)、飞杆(2)和压座(3)，所述飞杆(2)包括横片(21)和自所述横片(21)两端分别弯折形成的竖片(22)，所述横片(21)卡置于所述底座(1)和压座(3)之间，所述竖片(22)悬置于所述底座(1)的两侧。2.如权利要求1所述的交叉耦合装置，其特征在于，所述横片(21)和所述竖片(22)垂直设置。3.如权利要求1所述的交叉耦合装置，其特征在于，所述底座(1)和/或所述压座(3)设置有卡扣部(19)，所述飞杆(2)设置有与所述卡扣部(19)相装配的配合部(211)。4.如权利要求3所述的交叉耦合装置，其特征在于，所述卡扣部(19)和所述配合部(211)过盈配合。5.如权利要求3或4所述的交叉耦合装置，其特征在于，所述卡扣部(19)为至少两个间隔设置的圆柱(191)，所述配合部(211)为至少两个间隔设置的安装孔。6.如权利要求3或4所述的交叉耦合装置，其特征在于，所述卡扣部为安装孔或腰型孔，所述配合部为圆柱或腰型凸起。7.如权利要求1所述的交叉耦合装置，其特征在于，所述底座(1)包括底上壁(11...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永春，孙兴华，
申请(专利权)人：昆山立讯射频科技有限公司，
类型：新型
国别省市：