一种显示装置，包括： 基于每个像素在衬底上被构图的多个下部电极； 由与所述下部电极相同的层构成并以与所述下部电极相绝缘的方式设置的辅助布线； 形成在所述衬底上的绝缘膜，所述绝缘膜具有用于露出所述下部电极中心部分的像素开口以及达到所述辅助布线的连接孔； 被构图成处于覆盖所述像素开口的底部的状态的有机层；以及 覆盖所述有机层并通过所述连接孔与所述辅助布线连接的上部电极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括有机电致发光器件的，其中每个电致发光器件包括有机发光层。
技术介绍
利用有机材料电致发光(在下文称之为EL)的有机电致发光器件包括由位于下部电极和上部电极之间的有机空穴输送层和有机发光层的叠层组成的有机层，并且该有机电致发光器件作为在低电压直流驱动时可以高辉度发光的发光器件已经被引起注意。使用该有机EL器件的有源矩阵型显示装置(即，有机EL显示器)包括在衬底上的每个像素处设置的薄膜晶体管。有机EL装置被形成在层间绝缘膜上以便覆盖薄膜晶体管。有机EL器件包括处于与薄膜晶体管相连接的状态下的、基于每个像素构图的下部电极，围绕下部电极的中心部分同时露出作为像素开口的中心部分的绝缘膜，位于像素开口中的下部电极上并被绝缘膜隔开的有机层，以及用于覆盖有机层的上部电极。在这些组成部分中，上部电极是例如被形成为覆盖多个像素的固态印刷类膜，以及用作多个像素之间的上部公共电极。在有源矩阵型显示装置中，为了保证有机EL器件的数值孔径，将该显示装置构造为所谓顶部发光型结构是有效可行的，其中光是从与衬底相对侧发出的。因而，为了确保透光性能，需要将上部电极变薄，这样会升高电阻值，因而容易产生电压降。鉴于这个问题，已经提出一种结构，其中，在像素开口之间的绝缘膜上形成由高导电性金属材料形成的辅助布线，并且上部电极与该辅助电极相连，因而阻止了上部电极中的电压降。辅助布线可以被形成为构成覆盖像素开口间部分的绝缘膜上的肋的部件的一部分，例如下面给出的专利文献1中所示。在形成绝缘膜之后，在气相淀积有机层的步骤中，其上安装有气相淀积掩模的部分就是该肋(参见专利文献1)。而且，已经提出一种结构，其中辅助布线由与下部电极相同的层组成，并且有机层被单独地形成在每个下部电极上(参见下面给出的专利文献2)。专利文献1日本专利特开NO.2001-195008(第4页和图1)专利文献2日本专利特开NO.2002-318556然而，专利文献1示出的结构中，在具有辅助布线的显示装置中，形成了一个用于形成辅助布线的特殊层，导致该显示装置中层结构的复杂化。此外，需要形成辅助布线的额外步骤，这样会导致制造显示装置的步骤数增加。层结构的复杂化和制造步骤数的增加会导致产品价格和显示器的制造成本增加，并且由于增加制造步骤数所带来的麻烦而导致了产量的降低。此外，专利文献2所示的结构中，辅助布线由与下部电极相同的层组成，有机层独立地形成在下部电极上，并且为了使得相邻的有机层不相互重叠而必须扩大像素开口之间的间隔。这样妨碍了像素集成度的提高和显示性能精度的提高。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种，在该显示装置中，与有机EL器件的上部电极相连的辅助布线可以在不会使层结构复杂化和不增加步骤数的情况下形成，并且可以高清晰地显示。为了达到上述目的，根据本专利技术的一个方案，提供一种显示装置，其中基于衬底上的每个像素对多个下部电极进行构图，并且以与下部电极绝缘的方式配置辅助布线。下部电极和辅助电极由相同的层构成。此外，在衬底上形成绝缘膜，该绝缘膜具有露出下部电极中心部分的像素开口和到达辅助布线的连接孔。而且，以覆盖像素开口底部并且具有在相邻像素之间相互部分重叠的末端部分的方式对在下部电极上的有机层构图，还提供用于覆盖有机层的上部电极。上部电极通过在有机层之间的绝缘膜中形成的连接孔与辅助布线连接。在具有上述结构的显示装置中，与上部电极相连接的辅助布线由与下部电极相同的层组成，而不是由附加层组成。因而，通过连接辅助布线可以降低上部电极的电阻，并且不会使显示装置的层结构复杂化。此外，在该结构中，有机层的末端部分在相邻像素之间相互部分重叠，以保证在使其底部完全被图案化的有机层覆盖的像素开口的间距小型化时，上部电极可以和在有机层之间的辅助电极连接。根据本专利技术的另一个方案，提供一种制造显示装置的方法，它是一种制造具有上述结构的显示装置的方法，其特征在于以下工序。首先，对在衬底上形成的导电膜进行构图，由此形成了与像素分别相对应的多个下部电极和与下部电极相绝缘的辅助布线。接下来，在衬底上形成具有用于露出下部电极中心部分的像素开口和到达辅助布线的连接孔的绝缘膜。然后，以覆盖像素开口底部并且具有在相邻像素之间相互部分重叠的末端部分的方式构图地形成有机层。接下来，形成覆盖有机层并通过有机层之间的连接孔连接到辅助布线的上部电极。在上述制造方法中，辅助布线是在用于构图地形成下部电极的同一步骤中形成的，到达辅助布线的连接孔与用于露出下部电极中心部分的像素开口同时形成，并且上部电极被形成为通过连接孔与辅助布线连接。因而，得到一种显示装置，其中在不增加步骤数的情况下将上部电极连接到辅助布线上。此外，有机层被构图形成为处于覆盖像素开口底部并具有在相邻像素之间相互部分重叠的末端部分的状态，从而，可以使其底部完全被图案化有机层覆盖的像素开口的间距最小化。除此之外，由于上部电极与有机层的未重叠部分间的辅助布线相连接，因而就不必要为了该连接而蚀刻有机层。根据本专利技术中的显示装置及其制备方法，连接上部电极的辅助布线是由在用于形成下部电极的同一步骤中形成的同一层组成的。因而，可以在不使层结构和制造显示装置步骤复杂的情况下，获得通过与辅助布线连接使上部电极的电阻降低的、具有小像素间距的显示装置。结果是，可以以低成本和高产量获得具有高清晰度显示的显示装置，其中通过阻止上部电极的电压降而保持良好的显示性能。附图说明通过下面的说明和所附权利要求并结合附图，使本专利技术的上述以及其它的目的、特征和优点变得清楚，在附图中图1为用于说明根据本专利技术第一实施例的显示装置的基本部分的截面图；图2A-2C为用于说明根据第一实施例制造显示装置的方法的截面工序图(NO.1)； 图3A-3C为用于说明根据第一实施例制造显示装置的方法的截面工序图(NO.2)；图4A-4C为用于说明根据本专利技术第二实施例的显示装置的图；图5为用于说明根据第二实施例的显示装置的其它构造的平面图；以及图6A-6C是用于表示根据第二实施例制造显示装置的方法的截面工序图。具体实施例方式现在，下面参考附图对根据本专利技术的显示装置和及其制造方法进行详细地说明。<显示装置1> 图1为根据本专利技术第一实施例的显示装置的基本部分的截面图，显示了显示装置中显示区的大体构造。图中示出的显示装置1是有源矩阵型显示装置，其中将有机EL器件安排成发光器件。显示装置1包括在衬底3上的每个像素处的薄膜晶体管(此后称之为TFT)4。在其上形成有TFT4的衬底3上，形成与TFT4的源极/漏极相连的布线5，以及以覆盖布线5的方式形成平坦化绝缘膜7。TFT4并不局限于所示的底部栅极型，也可以是顶部栅极型，并且它的栅电极与扫描电路相连接。在平坦化绝缘膜7上的每个像素开口A的部分处，形成由下部电极9、有机层11和上部电极13的叠层组成的有机EL器件15。具体地，在本实施例中的显示装置1中，在形成有机EL器件15处的像素开口A之间形成辅助布线9a，该辅助布线9a由与下部电极9相同的层组成。像素开口A是在覆盖下部电极9的绝缘膜17中形成的开口部分。这里，对构成有机EL器件15的下部电极9进行构图，使其处于通过在平坦化绝缘膜7中形成的以及大于像素开口A的连接孔7a与铝布线本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括基于每个像素在衬底上被构图的多个下部电极；由与所述下部电极相同的层构成并以与所述下部电极相绝缘的方式设置的辅助布线；形成在所述衬底上的绝缘膜，所述绝缘膜具有用于露出所述下部电极中心部分的像素开口以及达到所述辅助布线的连接孔；被构图成处于覆盖所述像素开口的底部的状态的有机层；以及覆盖所述有机层并通过所述连接孔与所述辅助布线连接的上部电极。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述衬底包括覆盖具有用于驱动所述像素的薄膜晶体管的薄膜晶体管衬底的层间绝缘膜，并且每个所述下部电极通过在所述层间绝缘膜中形成的连接孔与每个所述薄膜晶体管连接。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述有机层被构图成处于覆盖所述像素开口的所述底部并具有在相邻像素之间相互部分重叠的末端部分的状态下，并且所述上部电极覆盖所述有机层并且通过所述有机层之间的所述连接孔与所述辅助布线连接。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述下部电极具有三层结构。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中每个所述下部电极包括夹在导电性氧化物材料层之间的反射性金属材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤千代子，山田二郎，平野贵之，横山诚一，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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