基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路。包括开关电源集成芯片PWM输出调节电路、采集电流隔离反馈电路、采集输出电压隔离反馈电路、MOS管并联驱动电路、超大功率MOS管并联功率电路、控制回路隔离电源供电电路；开关电源集成芯片PWM输出调节电路，用于使使环路控制稳定、纹波平稳；采集电流隔离反馈电路，使主母线电路实现过流保护以及电流反馈输入信号的隔离；采集输出电压隔离反馈电路实现电路的恒压输出，以及反馈电压信号的稳定隔离；MOS管并联驱动电路能够提高MOS管的驱动能力，驱动后级MOS管并联电路；超大功率MOS管并联功率电路能够实现负载超大功率的输出功能。负载超大功率的输出功能。负载超大功率的输出功能。

【技术实现步骤摘要】
基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路


[0001]本技术涉及一种隔离式开关电源电路，具体涉及一种基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路，属于超大功率机器人内部供电负载


技术介绍

[0002]传统的落地灯是带有开关装置的，并且落地灯的摆放位置一般都是在墙角的位置，有时候开关操作不是很方便。

技术实现思路

[0003]本技术目的是提供了一种基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路。
[0004]本技术为实现上述目的，通过以下技术方案实现：
[0005]一种基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路，其特征在于：包括开关电源集成芯片PWM输出调节电路、采集电流隔离反馈电路、采集输出电压隔离反馈电路、MOS管并联驱动电路、超大功率MOS管并联功率电路、控制回路隔离电源供电电路；
[0006]开关电源集成芯片PWM输出调节电路，用于使使环路控制稳定、纹波平稳；
[0007]采集电流隔离反馈电路，使主母线电路实现过流保护以及电流反馈输入信号的隔离；
[0008]采集输出电压隔离反馈电路实现电路的恒压输出，以及反馈电压信号的稳定隔离；
[0009]MOS管并联驱动电路能够提高MOS管的驱动能力，驱动后级MOS管并联电路；
[0010]超大功率MOS管并联功率电路能够实现负载超大功率的输出功能；
[0011]控制回路隔离电源供电电路使功率电源回路和控制回路隔离。
[0012]所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路优选方案，开关电源集成芯片PWM输出调节电路包括电容C10、电容C14、电容C23、电容C24、电阻R3、电阻R10、电阻R16、开关电源芯片U3、二极管D1；
[0013]电阻R3的一端与隔离电源U1的电压输出一端连接、电阻R3的一端与开关电源芯片U3的使能端一端连接,电容C10的一端与电源芯片U3的SW输出端连接、电容C10的一端与二极管D1的一端连接,二极管D1的一端与隔离电源芯片的U1电压输出一端连接,电阻R10的一端与电源芯片U3的频率调整RT管脚一端连接、电阻R10的一端与地连接,电容C14的一端与电源芯片U3的电压缓启动调整SS管脚一端连接、电容C14的一端与地连接,电容C23的一端与电源芯片U3的电压反馈FB管脚一端连接、电容C23的一端与电源芯片U3的COMP一端连接,电容C24的一端与电源芯片U3的电压反馈FB管脚一端连接、电容C24的一端与电阻R16的一端连接,电阻R16的一端与电源芯片U3的的COMP管脚一端连接、电阻R16的一端与电容C24的一端连接。
[0014]所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路优选方案，采集电流隔离反馈电路包括电流过流采集电阻R15和过流检测隔离运放U6；电流过流采集电阻R15一端与MOS管Q5的源极一端连接、电流过流采集电阻R15一端与地连接、过流检测隔离运放U6的正相输入一端与MOS管Q5的源极一端连接、过流检测隔离运放U6的反相输入一端与地连接、过流检测隔离运放U6的正相输出一端与开关电源芯片U3的过流检测脚一端连接。
[0015]所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路优选方案，采集输出电压隔离反馈电路包括电容C16、电容C17、分压反馈电阻R11、分压反馈电阻R14、过压检测隔离运放U7和电压反馈隔离运放U8；
[0016]电容C16一端与电压输出端子J2一端连接、电容C16一端与地连接、电容C17一端与电压输出端子J2一端连接、电容C17一端与电阻R14一端连接、电阻R14一端与地连接、分压反馈电阻R11一端与电源输出J2端子一端连接、分压反馈电阻R11一端与分压反馈电阻R14一端连接、分压反馈电阻R14一端与地连接、过压检测隔离运放U7的正相输入一端与电源输出端子J2一端连接、过压检测隔离运放U7的反相输入一端与地连接、过压检测隔离运放U7的正相输出一端与开关电源芯片U3的电压检测脚一端连接、电压反馈隔离运放U8的正相输入一端与电阻R14一端连接、电压反馈隔离运放U8的反相输入一端与地连接、电压反馈隔离运放U8的正相输出一端与开关电源芯片U3的电压反馈调节脚一端连接。
[0017]所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路优选方案，MOS管并联驱动电路包括电容C11、电阻R1、电阻R6、光耦U2、光耦U5、MOS管驱动芯片U4；
[0018]电容C11与MOS管并联驱动芯片U4高电平输出一端连接、电容C11与MOS管并联驱动芯片U4的内部地输出一端连接、电阻R1一端与母线电源接线端子J1一端连接、电阻R1一端与光耦U2电源一端连接、电阻R6一端与母线电源接线端子J1一端连接、电阻R6一端与光耦U5电源一端连接、光耦U2输出一端与MOS管并联驱动芯片U4高电平输入一端连接、光耦U2输入端与U3的高电平一端连接、光耦U2接地端与U3的地一端连接、光耦U5接地端与U3的地一端连接、光耦U5输出一端与MOS管并联驱动芯片U4低电平输入一端连接、MOS管并联驱动芯片U4电源一端一接线端子J1一端连接、MOS管并联驱动芯片U4接地与地端子J1一端连接。
[0019]所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路优选方案，超大功率MOS管并联功率电路包括电容C12、电解电容C15、电解电容C18、电解电容C19、电容C20、电容C21、电容C22、电容C23、电阻R4、电阻R5、电阻R7、电阻R9、电阻R12、电阻R13、MOS管驱动芯片U4、电感L1、二极管D2、二极管D3、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7、MOS管Q8、接线端子J2；
[0020]电阻R7一端与电容C12一端连接、电阻R7一端与电感L1一端连接、电容C12一端与MOS管Q1栅极一端连接、电容C12一端与电感L1一端连接、电阻R5一端与MOS管并联驱动芯片U4高电平输出一端连接、电阻R5一端与MOS管Q1栅极一端连接、二极管D2一端与MOS管并联驱动芯片U4高电平输出一端连接、二极管D2一端与电阻R4一端连接、电阻R4一端连接与MOS管Q1栅极一端连接、电容C22一端与MOS管Q5栅极一端连接、电容C22一端与MOS管Q5源极一端连接、电阻R12一端与MOS管并联驱动芯片U4低电平输出一端连接、电阻R12一端与MOS管Q5栅极一端连接、二极管D3一端与MOS管并联驱动芯片U4低电平输出一端连接、二极管D3一端与电阻R9一端连接、电阻R9一端连接与MOS管Q5栅极一端连接、电阻R13一端与电容C22一
端连接、电阻R13一端与MOS管Q5的源极一端连接、电感L1一端与MOS管Q1的源极一端连接、电感L1的一端与接线端子J2一端连接、MOS管Q2栅极一端与MOS管Q1栅极一端连接、MOS管Q2源极一端与MOS管Q1源极一端连接、MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路，其特征在于：包括开关电源集成芯片PWM输出调节电路、采集电流隔离反馈电路、采集输出电压隔离反馈电路、MOS管并联驱动电路、超大功率MOS管并联功率电路、控制回路隔离电源供电电路；开关电源集成芯片PWM输出调节电路，用于使使环路控制稳定、纹波平稳；采集电流隔离反馈电路，使主母线电路实现过流保护以及电流反馈输入信号的隔离；采集输出电压隔离反馈电路实现电路的恒压输出，以及反馈电压信号的稳定隔离；MOS管并联驱动电路能够提高MOS管的驱动能力，驱动后级MOS管并联电路；超大功率MOS管并联功率电路能够实现负载超大功率的输出功能；控制回路隔离电源供电电路使功率电源回路和控制回路隔离。2.根据权利要求1所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路，其特征在于：开关电源集成芯片PWM输出调节电路包括电容C10、电容C14、电容C23、电容C24、电阻R3、电阻R10、电阻R16、开关电源芯片U3和二极管D1；电阻R3的一端与隔离电源U1的电压输出一端连接、电阻R3的一端与开关电源芯片U3的使能端一端连接,电容C10的一端与电源芯片U3的SW输出端连接、电容C10的一端与二极管D1的一端连接,二极管D1的一端与隔离电源芯片的U1电压输出一端连接,电阻R10的一端与电源芯片U3的频率调整RT管脚一端连接、电阻R10的一端与地连接,电容C14的一端与电源芯片U3的电压缓启动调整SS管脚一端连接、电容C14的一端与地连接,电容C23的一端与电源芯片U3的电压反馈FB管脚一端连接、电容C23的一端与电源芯片U3的COMP一端连接,电容C24的一端与电源芯片U3的电压反馈FB管脚一端连接、电容C24的一端与电阻R16的一端连接,电阻R16的一端与电源芯片U3的COMP管脚一端连接、电阻R16的一端与电容C24的一端连接。3.根据权利要求1所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路，其特征在于：采集电流隔离反馈电路包括电流过流采集电阻R15和过流检测隔离运放U6；电流过流采集电阻R15一端与MOS管Q5的源极一端连接、电流过流采集电阻R15一端与地连接、过流检测隔离运放U6的正相输入一端与MOS管Q5的源极一端连接、过流检测隔离运放U6的反相输入一端与地连接、过流检测隔离运放U6的正相输出一端与开关电源芯片U3的过流检测脚一端连接。4.根据权利要求1所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路，其特征在于：采集输出电压隔离反馈电路包括电容C16、电容C17、分压反馈电阻R11、分压反馈电阻R14、过压检测隔离运放U7和电压反馈隔离运放U8；电容C16一端与电压输出端子J2一端连接、电容C16一端与地连接、电容C17一端与电压输出端子J2一端连接、电容C17一端与电阻R14一端连接、电阻R14一端与地连接、分压反馈电阻R11一端与电源输出J2端子一端连接、分压反馈电阻R11一端与分压反馈电阻R14一端连接、分压反馈电阻R14一端与地连接、过压检测隔离运放U7的正相输入一端与电源输出端子J2一端连接、过压检测隔离运放U7的反相输入一端与地连接、过压检测隔离运放U7的正相输出一端与开关电源芯片U3的电压检测脚一端连接、电压反馈隔离运放U8的正相输入一端与电阻R14一端连接、电压反馈隔离运放U8的反相输入一端与地连接、电压反馈隔离运放U8的正相输出一端与开关电源芯片U3的电压反馈调节脚一端连接。5.根据权利要求1所述基于并联MOS管超大功率集成芯片控制的隔离式开关电源电路，
其特征在于：MOS管并联驱动电路包括电容C11、电阻R1、电阻R6、光耦U2、光耦U5、MOS管驱动芯片U4；电容C11与MOS管并联驱动芯片U4高电平输出一端连接、电容C11与MOS管并联驱动芯片U4的内部地输出一端连接、电阻R1一端与母线电源接线端子J1一端连接、电阻R1一端与光耦U2电源一端连接、电阻R6一端与母线电源接线端子J1一端连接、电阻R6一端与光耦U5电源一端连接、光耦U2输出一端与MOS管并联驱动芯片U4高电平输入一端连接、光耦U2输入端与U3的高电平一端连接、光耦U2接地端与U3的地一端连接、光耦U5接地端与U3的地一端连接、光耦U5输出一端与MOS管并联驱动芯片U4低电平输入一端连接、MOS管并联驱动芯片U4电源一端一接线端子J1一端连接、MOS管并联驱动芯片U4接地与地端子J1一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：张平闯，王建华，李洪生，高明，
申请(专利权)人：山东新一代信息产业技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：