压控振荡器制造技术

提供ＬＣ－ＶＣＯ，其中在多层互连层的最高层中提供两个螺旋电感器，而变容二极管元件和Ｎ沟道晶体管位于半导体衬底的表面上的两个螺旋电感器的下层区中，该区排除螺旋电感器的中心轴。这允许提供用于ＬＣ－ＶＣＯ的降低的布局面积以及防止由螺旋电感器产生的磁场在变容二极管元件和Ｎ沟道晶体管的操作上具有不利影响。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用并联LC储能电路的谐振的压控振荡器，更具体地说，涉及最好用作锁相环电路中的本地振荡器的压控振荡器。
技术介绍
通常，环状压控振荡器(R-VCO)已经被用作锁相环(PLL)电路中的本地振荡器，用于倍频和相位同步。R-VCO具有彼此环状耦合的奇数个CMOS(互补金属氧化物半导体)反相器。这一结构提供R-VCO能合并到MOS集成电路中的好处。然而，R-VCO具有高抖动和高相位噪声的缺点。另一方面，利用并联LC储能电路(LC-VCO)的谐振的压控振荡器近年来已经被用作本地振荡器。LC-VCO包括彼此并联耦合以形成并联-LC储能电路的电感器和可变电容器。并联-LC储能电路的谐振使得AC信号以谐振频率输送。谐振频率是并联LC储能电路的谐振无穷大时的频率，以及谐振是指电流交替流过并联-LC储能电路中的电感器和可变电容器时的现象。可变电容器是变容二极管元件等，其电容随施加到其上的控制电压改变。调整可变电容器的电容，从而控制振荡AC信号的频率。例如，在文献，Ali Hajimira和Thomas H.Lee“Design Issues in CMOS differential L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种合并到半导体集成电路器件中的压控振荡器，所述半导体集成电路器件包括衬底和淀积于衬底上的多层互连层，所述压控振荡器包括：　　　　输出端；　　　　淀积于所述多层互连层中并连接到所述输出端的螺旋电感器；　　　　可变电容器，形成在包括所述螺旋电感器的下层区但不包括所述螺旋电感器的中心轴的区域中、并与所述螺旋电感器并联连接以便与其结合形成谐振电路；以及　　　　　负阻部，形成在所述区域中并连接在所述谐振电路和电源之间以便与由谐振电路产生的谐振信号同步地将电流提供到所述谐振电路。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-13 169038/20031.一种合并到半导体集成电路器件中的压控振荡器，所述半导体集成电路器件包括衬底和淀积于衬底上的多层互连层，所述压控振荡器包括输出端；淀积于所述多层互连层中并连接到所述输出端的螺旋电感器；可变电容器，形成在包括所述螺旋电感器的下层区但不包括所述螺旋电感器的中心轴的区域中、并与所述螺旋电感器并联连接以便与其结合形成谐振电路；以及负阻部，形成在所述区域中并连接在所述谐振电路和电源之间以便与由谐振电路产生的谐振信号同步地将电流提供到所述谐振电路。2.如权利要求1所述的压控振荡器，其中，在所述螺旋电感器的下层区中形成所述可变电容器和所述负阻部，所述区域排除所述螺旋电感器的最内导线轨迹匝的内部区的下层区。3.如权利要求1或2所述的压控振荡器，其中，所述螺旋电感器的中心轴仅通过所述衬底和所述多层互连层的层间绝缘层。4.如权利要求1或2所述的压控振荡器，进一步包括不可变电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：村松良德，中柴康隆，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]