场效应晶体管半导体器件制造技术

一种场效应晶体管半导体器件（１），包括：源区（３３）、漏区（１４）以及漏漂移区（１１），器件具有邻近漂移区（１１）的场成型区（２０）且在被设置为使用中，当电压施加于源区（３３）与漏区（１４）之间以及器件不导通时，基本恒定的电场产生于场成型区（２０）中以及因此产生于邻近的漂移区（１１）中。场成型区（２０），可以是本征半导体，被设置成作为位于第一电容器电极区（２１）与第二电容器电极区（２２）之间的电容器介质区（２０），第一和第二电容器电极区（２１、２２）为介质区（２０）的邻近相应末端并具有不同的电子能量势垒。第一和第二电容器电极区（２１、２２）可以是相反导电类型的半导体区，或者可以是半导体区（２１）与肖特基势垒区（２２４，图４）。该器件可以是特别适合于高压或低压ＤＣ功率应用的绝缘栅极器件（１、１３、１５、１７、１７１、１７２、１９、１２），或者是特别适合于ＲＦ应用的肖特基栅极器件（１８１、１８２、１８３）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场效应晶体管半导体器件，特别是，但不是专指的，涉及器件的导通电阻与击穿电压之间的权衡关系。众所周知，减小掺杂浓度和增大漏漂移区的尺寸可以提高场效应晶体管器件的电压阻塞能力。但是，这也增加了器件导通时穿过器件的多数电荷载流子路径的电阻率及长度。这意味着多数电荷载流子穿过器件的电流路径的串联电阻率、以及因此场效应器件的导通电阻按照所需击穿电压的近似平方值的比例增长。美国专利号US-A-4,754,310(我方参考号PHB32740)从事于该问题，通过提供漏漂移区作为由一种导电型的第一区插有相反导电型的第二区形成的区，该第一区和第二区的掺杂浓度与尺寸是如此当器件工作在电压阻塞模式以及该区由自由电荷载流子耗尽时，第一和第二区中每单位面积的空间电荷平衡到至少使得由空间电荷形成的电场小于发生雪崩击穿的临界场强，这里结合其内容作为参考。这样利用插入的半导体区得到所需的击穿电压特性，插入的半导体区各个具有与使得器件的第一和第二区的串联电阻率和由此的导通电阻比常规器件低所需要的相比更高掺杂浓度的及由此较低的电阻率。对于利用专利技术US-A-4,654,310的最佳效果来说，漏漂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管半导体器件，包括：源区、漏区以及漏漂移区，该器件具有邻近漂移区的场成型区且在被设置为，在使用中，当电压施加于源区与漏区之间以及器件不导通时，基本恒定的电场产生于场成型区中以及因此产生于邻近的漂移区中，其特征是，场成型区被设置成作为第一电容器电极区与第二电容器电极区之间的电容器介质区，第一和第二电容器电极区为介质区邻近的相应末端并具有不同的电子能量势垒。

【技术特征摘要】
GB 2001-11-16 0127479.4;GB 2001-12-17 0130019.3;GB1.一种场效应晶体管半导体器件，包括源区、漏区以及漏漂移区，该器件具有邻近漂移区的场成型区且在被设置为，在使用中，当电压施加于源区与漏区之间以及器件不导通时，基本恒定的电场产生于场成型区中以及因此产生于邻近的漂移区中，其特征是，场成型区被设置成作为第一电容器电极区与第二电容器电极区之间的电容器介质区，第一和第二电容器电极区为介质区邻近的相应末端并具有不同的电子能量势垒。2.如权利要求1的器件，其中电容器介质区是本征半导体材料。3.如权利要求1的器件，其中电容器介质区是与漂移区相比掺杂较低的非本征半导体材料。4.如权利要求1的器件，其中电容器介质区是半绝缘材料。5.如权利要求1-4中任一项的器件，其中电容器介质区通过绝缘区与漂移区分开。6.如权利要求1-5中任一项的器件，其中第一电容器电极区是与漏区的导电类型相同的半导体区，以及第二电容器电极区是与第一电容器电极区的导电类型相反的半导体区。7.如权利要求1-5中任一项的器件，其中第一电容器电极区是与漏区的导电类型相同的半导体区，以及第二电容器电极区是肖特基势垒区。8.如权利要求1-7中任一项的器件，其中晶体管是绝缘栅极场效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：RJE胡廷，JW斯洛布姆，PHC马格尼，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]