【技术实现步骤摘要】
用于边射型发光元件的吸嘴
[0001]本技术涉及吸嘴
,尤其涉及一种用于吸取边射型发光元件的吸嘴。
技术介绍
[0002]在5G通讯、车用电子与光通讯等方面的发展需求下,边射型发光元件(如FP、DFB、EML、DML等)作为5G通信的核心发射端通讯器件,占有重要的地位。此类晶圆的制程流程为:基础结构的磊晶成长,脊状波导(ridge waveguide,RWG)的制作,绝缘层的成长,形成电流窗口、P导电金属层、研磨减薄抛光、N导电金属层,晶圆划线裂片为芯条,芯条高低反射层镀膜,之后进行划线裂片,并由吸嘴吸取芯条上的每一颗芯片(die)依序移载并进行光、电性质的测试。如图1所示为单一边射型发光元件的俯视图,如图2所示为脊状波导所在位置的局部放大图,此类边射型发光元件1顶部皆具有脊状波导11,脊状波导11所在位置间隙非常细小(仅25um以下),若吸嘴下降时压伤脊状波导11,就会造成边射型发光元件1损坏,因此现有的吸嘴采用橡胶材质,以减少压伤情形,但此类芯条在划线裂片为芯片(die)时,容易于边射型发光元件1周围形成细微毛边, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于边射型发光元件的吸嘴,其特征在于,所述吸嘴为金属制作且具有呈锥状的吸嘴头,所述吸嘴头末端为多边形的接触端面,所述吸嘴设有从所述接触端面贯穿的吸气孔,所述接触端面上形成一凹槽,所述凹槽与所述吸气孔连通,当所述吸嘴吸取边射型发光元件时,所述凹槽内为所述边射型发光元件的脊状波导的所在区域。2.根据权利要求1所述的用于边射型发光元件的吸嘴,其特征在于,所述接触端面除所述凹槽与所述吸气孔的其余区域皆为呈平坦的镜面。3.根据权利要求1所述的用于边射型发光元件的吸...
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