一种MEMS加速度计及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种MEMS加速度计及其形成方法，其MEMS加速度计包括：衬底；检验质量块弹性连接于衬底上；顶部固定电极设置于检验质量块远离衬底的一侧；底部固定电极设置于检验质量块远离顶部固定电极的一侧；其中，顶部固定电极与检验质量块形成第一电容，底部固定电极与检验质量块形成第二电容，第一电容与第二电容形成差分电容。本发明专利技术技术方案中仅需一个衬底即可实现使用差分电容测量Z轴加速度，实现相关技术中至少两个衬底才能达到的等效功能，从而简化了该MEMS加速度计的结构，降低制造工艺成本；由于将顶部固定电极设置于检验质量块上方，底部固定电极设置于检验质量块下方，使得产生的差分电容值增加，灵敏度提高，降低了对信号处理电路的要求。信号处理电路的要求。信号处理电路的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS加速度计及其形成方法


[0001]本专利技术涉及微机电系统
，特别是涉及一种MEMS加速度计及其形成方法。

技术介绍

[0002]惯性传感器是一种能够感测和/或产生运动的装置。惯性传感器是一种包含微机电系统的装置。这种MEMS装置包括能够感测加速度的加速度计。加速度计是惯性导航和制导系统的主要设备之一。与传统的机械和光学传感器相比，MEMS传感器成本低、体积小、功耗低，可与集成电路集成。
[0003]MEMS传感器广泛应用于消费电子、工业制造、医疗电子、汽车电子、航空航天和军事等领域。 MEMS传感器具有巨大的发展潜力和商业价值。MEMS加速度计的工作原理是惯性效应。当移动物体时，悬浮的微结构会受到惯性力的影响，加速度计信号的变化与线性加速度成正比。MEMS加速度计按检测方式主要分为电容式、压阻式、压电式和光学式等。 同时，MEMS加速度计中使用电容式检测方法在工业上得到了广泛的应用，主要是因为其结构简单，工作模式与半导体技术兼容。MEMS芯片可以通过半导体制造方法制造并且可以具有上述单个或多个器件组成。可以通过多种方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS加速度计，其特征在于，包括：衬底（1）；检验质量块（2），弹性连接于所述衬底（1）上；顶部固定电极（3），设置于所述检验质量块（2）远离所述衬底（1）的一侧；底部固定电极（4），设置于所述检验质量块（2）远离所述顶部固定电极（3）的一侧；其中，所述顶部固定电极（3）与所述检验质量块（2）形成第一电容，所述底部固定电极（4）与所述检验质量块（2）形成第二电容，所述第一电容与所述第二电容形成差分电容。2.如权利要求1所述MEMS加速度计，其特征在于，所述顶部固定电极（3）设有多个，各所述顶部固定电极（3）设置于所述检验质量块（2）远离所述衬底（1）的一侧；所述底部固定电极（4）设有多个，各所述底部固定电极（4）设置于所述检验质量块（2）远离所述顶部固定电极（3）的一侧。3.如权利要求2所述MEMS加速度计，其特征在于，所述顶部固定电极（3）设有八个，沿所述检验质量块（2）各侧边部呈间隔设置有两个所述顶部固定电极（3）；所述底部固定电极（4）设有八个，且沿所述检验质量块（2）中心呈间隔设置；或所述底部固定电极（4）设有四个，所述顶部固定电极（3）设有四个，各所述顶部固定电极（3）与所述检验质量块（2）的各角端呈对应设置。4.如权利要求1所述MEMS加速度计，其特征在于，所述检验质量块（2）沿其厚度方向贯穿形成有多个通孔（21）。5.如权利要求1所述MEMS加速度计，其特征在于，所述顶部固定电极（3）沿其厚度方向贯穿形成有多个槽孔（31）。6.如权利要求1所述MEMS加速度计，其特征在于，所述MEMS加速度计还包括设置于所述衬底（1）上的第一信号线（5），以及与所述第一信号线（5）呈间隔设置的第二信号线，所述第一信号线（5）沿所述检验质量块（2）的侧边沿设置，且与所述顶部固定电极（3）电气连接，所述第二信号线与所述底部固定电极（4）...

【专利技术属性】
技术研发人员：李森科，
申请(专利权)人：杭州麦新敏微科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：