一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质及其制备方法，包括由以下重量份的原料组成：氧化铅(PbO)：0

【技术实现步骤摘要】
一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质及其制备方法


[0001]本专利技术涉及玻璃陶瓷电介质
，尤其涉及一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前的高压陶瓷电容器，瓷芯主要为BaTiO3、SrTiO3系烧结陶瓷，该类陶瓷介质通常具有较高的介电常数，且介电常数在一定温度和频率范围内可以通过配方的调整或工艺的改进，使得陶瓷介电常数在保持较大值的情况下具有较好的温度和频率稳定性，但此类陶瓷介质固有的储能密度较低，限制了其应用范围，现有技术中提高陶瓷介质储能密度的方法多为薄膜工艺，在薄膜工艺中可重复性以及性能的稳定性是非常重要的，而目前仍未能有效解决薄膜工艺中存在的问题，因此亟需设计一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质及其制备方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的问题，而提出的一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质及其制备方法。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0005]一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质，包括由以下重量份本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质，其特征在于，包括由以下重量份的原料组成：2.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质，其特征在于，由以下重量份的原料组成：3.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质，其特征在于，由以下重量份的原料组成：
4.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质，其特征在于，由以下重量份的原料组成：5.一种具有高储能密度的玻璃陶瓷电介质的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：以纯度大于99％的氧化铅(PbO)、氧化钡(BaO)、氧化锶(SrO)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钙(CaO)为起始原料，按照一定比例进行配料；S2：使用乙醇溶液对S1中的氧化铅(PbO)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)以及氧化钙(CaO)进行清洗，并在清洗完成后将其放置在80℃的烘干室内进行烘干操作；S3：使用丙酮对S1中的氧化钡(BaO)以及氧化锶(SrO)在中空环境下进行清洗，并将清洗后的氧化钡(BaO)以及氧化锶(SrO)放置在80℃的中空烘干室内进行烘干操作；S4：将S2以及S3中清洗并烘干后的原料放入行星球磨机中研磨5h，并在研磨完成后将其在1500℃保温4h进行熔融；S5：将S4得到的高温熔融材料倒入压制装置中，并将其压制成得到厚度为0.5
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2mm的玻璃薄片，待冷却后将玻璃薄片从压制装置中取出；S6：将S5得到的玻璃薄片在750℃保温2h使得氧化钡(BaO)成核，然后在850℃下保温2h使得主晶发育完全；S7：将S6所得到的微晶玻璃电介质薄片经过丝网印刷涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊，吴迪迪，明庆，胡靖宇，
申请(专利权)人：黄淮学院，
类型：发明
国别省市：