红光有机电致发光组合物、红光有机电致发光器件及包含其的显示装置制造方法及图纸

本本发明专利技术公开一种红光有机电致发光组合物、红光有机电致发光器件及包含其的显示装置。其中，所述红光有机电致发光组合物包含红光主体材料，由P型材料和N型材料混合形成，所述红光主体材料的光致发光光谱的峰值波长在500nm

【技术实现步骤摘要】
红光有机电致发光组合物、红光有机电致发光器件及包含其的显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种红光有机电致发光组合物、红光有机电致发光器件及包含其的显示装置。

技术介绍

[0002]当今量产的OLED器件，红光器件为磷光器件。其中红光主体材料为预混(Premix)材料，包括空穴型主体(P型)和电子型主体(N型)。红光掺杂材料为磷光掺杂材料。光致激发或者电致激发下，在主体材料上形成激子，通过能量传递，激子从主体传递到客体(dopant)上，然后再通过dopant辐射跃迁发光。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种红光有机电致发光组合物、红光有机电致发光器件以及包含其的显示装置，可以至少部分地解决现有技术中OLED红光器件量产成本高、效率低、寿命短以及效率滚降、启亮电压高以及光谱色纯度低等问题。
[0004]第一方面，本专利技术提供了一种红光有机电致发光组合物，包含
[0005]红光主体材料，由P型材料和N型材料混合形成，所述红光主体材料的光致发光光谱的峰值波长在500nm
‑
600nm；其中，
[0006]在电或光的作用下，所述红光主体材料形成激基复合物，且所述激基复合物的单重激发态能量与三重激发态能量的差值小于0.3eV。
[0007]可选地，还包含掺杂在所述红光主体材料中的掺杂材料；所述掺杂材料选自金属铱配合物；
[0008]所述金属铱配合物的光致发光光谱的峰值波长在610nm
>‑
640nm，三重态电荷跃迁吸收峰波长在550nm
‑
610nm，且金属铱配合物的光致发光光谱的峰值波长小于三重态电荷跃迁吸收峰波长，三重态电荷跃迁吸收峰波长与光致发光光谱的峰值波长差值小于100nm。
[0009]可选地，所述金属铱配合物的结构式如下式I所示：
[0010][0011]其中，
[0012]均为双齿配体，且各自独立地选自取代或未取代
的苯基异喹啉类配体、取代或未取代的乙酰丙酮辅助配体，且中的至少两个选自取代或未取代的苯基异喹啉类配体。
[0013]可选地，所述取代或未取代的苯基异喹啉类配体的结构式如下式II所示，和/或所述取代或未取代的苯基异喹啉类配体的结构式如下式III所示：
[0014][0015]其中，R1、R2、R3、R5和R6各自独立地选自氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊烷、异戊烷、新戊烷中的一种。
[0016]可选地，所述组合物中，掺杂材料的质量百分含量为1
‑
10wt％。
[0017]可选地，所述组合物中，掺杂材料的质量百分含量为1
‑
4wt％。
[0018]可选地，所述P型材料的HOMO能级为5.2eV
‑
5.5eV，LUMO能级为2.1eV
‑
2.5eV；
[0019]所述N型材料的HOMO能级为5.5eV
‑
6.0eV，LUMO能级为2.5eV
‑
3.0eV；
[0020]所述金属铱配合物的HOMO能级为4.8eV
‑
5.2eV，LUMO能级为2.9eV
‑
3.2eV。
[0021]可选地，所述N型材料的HOMO能级与P型材料的HOMO能级的差值为0.3eV
‑
0.8eV，所述N型材料的LUMO能级与P型材料的LUMO能级的差值为0.2eV
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0.6eV；
[0022]所述P型材料的HOMO能级与金属铱配合物的HOMO能级的差值为0.1eV
‑
0.5eV，所述掺杂材料的LUMO能级与P型材料组分的LUMO能级的差值为0.1eV
‑
0.5eV。
[0023]可选地，所述P型材料的T1能级为2.4
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3.0eV，N型材料的T1能级为2.3
‑
2.9eV，掺杂材料的T1能级为2.0
‑
2.2eV。
[0024]可选地，所述P型材料的玻璃化温度为80
‑
140℃，N型材料的玻璃化温度为80
‑
140℃，且P型材料的玻璃化温度与N型材料的玻璃化温度的差值的绝对值在30℃以下。
[0025]可选地，所述P型材料与N型材料的摩尔比为3:7
‑
7:3。
[0026]第二方面，本专利技术提供了一种红光有机电致发光器件，包括发光层，所述发光层中包括如上第一个方面所述的有机电致发光组合物。
[0027]可选地，还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层材质的HOMO能级为5.2eV
‑
5.6eV，LUMO能级为2.3eV
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2.6eV；且
[0028]所述电子阻挡层材质的HOMO能级与P型材料的HOMO能级差值的绝对值为0eV
‑
0.4eV；
[0029]所述电子阻挡层材质的T1能级为2.3eV
‑
2.9eV。
[0030]第三方面，本专利技术提供了一种显示装置，该显示装置包括上述第二方面所述的电致发光器件。
[0031]本专利技术的有益效果如下：
[0032]本专利技术中提供的红光有机电致发光组合物中，形成的激基复合物的单重激发态能
量与三重激发态能量的差值小于0.3eV，使得该激基复合物具有TADF效应，所以红光主体材料向掺杂材料的能量传递为Forster能量传递为主，进而使得采用该组合物的有机电致发光器件的发光层中掺杂材料的掺杂量可以降低到3％及以下，相比较现有技术而言，可显著的降低掺杂材料的使用量。由于掺杂材料用到贵金属铱，成本较高，所以降低掺杂材料使用量会大幅度降低量产成本。
[0033]本专利技术的红光有机电致发光组合物中，红光主体材料的PL光谱和掺杂材料的三重态电荷跃迁的吸收谱可以有效的重叠，提高了能量传递效率。并且通过调控掺杂材料的掺杂比例，可以使含有该组合物的红光有机电致发光器件效率，寿命，效率滚降，启亮电压以及光谱色纯度的平衡的效果。
附图说明
[0034]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0035]图1示出实施例1中的红光主体材料(P:N)、掺杂材料RD的光致发光光谱以及掺杂材料RD的电荷跃迁吸收光谱。
[0036]图2示出实施例2中的红光主体材料(P:N)、掺杂材料RD的光致发光光谱以及掺杂材料RD的电荷跃迁吸收光谱。
[0037]图3示出实施例3中的红光主体材料(P:N)、掺杂材料RD的光致发光光谱以及掺杂材料RD的电荷跃迁吸收光谱。
[0038]图4示出实施例4中的红光主体材料(P:N)、掺杂材料RD的光致发光光谱以及掺杂材料RD的电荷跃迁吸收光谱。
[0039]图5示出对比例1中的红光主体材料(P:N)、掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红光有机电致发光组合物，其特征在于，包含红光主体材料，由P型材料和N型材料混合形成，所述红光主体材料的光致发光光谱的峰值波长在500nm
‑
600nm；其中，在电或光的作用下，所述红光主体材料形成激基复合物，且所述激基复合物的单重激发态能量与三重激发态能量的差值小于0.3eV。2.根据权利要求1所述的红光有机电致发光组合物，其特征在于，还包含掺杂在所述红光主体材料中的掺杂材料；所述掺杂材料选自金属铱配合物；所述金属铱配合物的光致发光光谱的峰值波长在610nm
‑
640nm，三重态电荷跃迁吸收峰波长在550nm
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610nm，且金属铱配合物的光致发光光谱的峰值波长小于三重态电荷跃迁吸收峰波长，三重态电荷跃迁吸收峰波长与光致发光光谱的峰值波长差值小于100nm。3.根据权利要求2所述的红光有机电致发光组合物，其特征在于，所述金属铱配合物的结构式如下式I所示：其中，均为双齿配体，且各自独立地选自取代或未取代的苯基异喹啉类配体、取代或未取代的乙酰丙酮辅助配体，且中的至少两个选自取代或未取代的苯基异喹啉类配体。4.根据权利要求3所述的红光有机电致发光组合物，其特征在于，所述取代或未取代的苯基异喹啉类配体的结构式如下式II所示，和/或所述取代或未取代的苯基异喹啉类配体的结构式如下式III所示：其中，R1、R2、R3、R5和R6各自独立地选自氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊烷、异戊烷、新戊烷中的一种。5.根据权利要求2所述的红光有机电致发光组合物，其特征在于，所述组合物中，掺杂
材料的质量百分含量为1
‑
10wt％。6.根据权利要求2所述的红光有机电致发光组合物，其特征在于，所述组合物中，掺杂材料的质量百分含量为1
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4wt％。7.根据权利要求2所述的红光有机电致发光组合物，其特征在于，所述P型材料的HOMO能级为5.2eV
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5.5eV，LUMO能级为2.1eV
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2.5eV；所述N型材料的HOMO能级为5.5eV
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6.0eV，LUMO能级为2.5eV
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3.0eV；所述金属铱配合物的HOMO能级为4....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杨，邱丽霞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：