【技术实现步骤摘要】
预测电镀液的电镀均匀性的电化学方法、筛选电镀液的方法和应用
[0001]本专利技术涉及电镀金整平性预测领域,具体涉及一种预测电镀液的电镀均匀性的电化学方法、筛选电镀液的方法和应用。
技术介绍
[0002]芯片制造在摩尔定律驱动下,沿着两条路径不断发展:1)制程的不断缩小,单位面积能容纳的晶体管数目不断增长;2)硅片尺寸从6寸、8寸向现在主流的12寸发展,单个晶圆上能够产出的可利用芯片数目越多。这两方面的变化对电镀在晶圆上的厚度均匀性带来了挑战,一方面,随着晶体管数量的增加,连接芯片的导线间距需要缩小,相应的种子层厚度也要减少,带来了种子层厚度有可能不均匀的问题;另一方面,随着晶圆面积的增加,由于在电镀的过程中由于阴极连接引脚是在晶圆的边缘位置,导致晶圆中心和边缘位置的电阻差进一步增大。
[0003]由于一个晶圆包含很多个芯片,电镀层在晶圆厚度的不均匀性可能会影响不同芯片之间的性能,因此,晶圆电镀金的厚度均匀性是晶圆电镀很重要的一项指标。
[0004]无氰电镀金被广泛用于芯片制造,起导电和导热的作用。无氰电镀金 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种预测电镀液的电镀均匀性的电化学方法,其特征在于,所述电化学方法包括:在装有电镀液的电镀池上施加电压U进行电镀;将所述电压U进行变化,并测量对应的电镀电流强度I,绘制电镀电流强度I对所述电压U的变化曲线;通过所述变化曲线,计算为所述电镀液设定的至少两个电流密度值之间的电位差绝对值,用于预测所述电镀液进行电镀制得的电镀均匀性。2.根据权利要求1所述的电化学方法,其特征在于,所述电压U的起始电位为0.3至
‑
0.3V;和/或,所述电压U的终止电位为
‑
0.4至
‑
1.2V;和/或,所述起始电位与终止电位之间的跨度为0.3至
‑
1.2V;和/或,所述电压U为使用饱和Ag/AgCl参比电极的电镀池的电镀电压。3.根据权利要求1或2所述的电化学方法,其特征在于,所述电压U的变化为非线性变化或线性变化。4.根据权利要求1
‑
3中任意一项所述的电化学方法,其特征在于,所述电压U的线性变化速率为1
‑
100mV/s。5.根据权利要求1
‑
4中任意一项所述的电化学方法,其特征在于,所述设定的至少两个电流密度值在测量得到的所述电镀电流强度I的数值范围内取值;和/或,所述设定的至少两个电流密度值之间具有设定的关系。6.根据权利要求1
技术研发人员:王彤,任长友,邓川,刘鹏,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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