金属线间的沟填方法技术

本发明专利技术提供一种金属线间的沟填方法，是在多个金属线的表面及侧壁上形成第一介电层，其称为部分高密度电浆沉积。接着，利用氩气／氧气（Ａｒ／Ｏ２）的高密度电浆溅镀移除部分此第一介电层，并使得多个金属线的部分侧壁暴露出，之后，再利用高密度电浆氧化物沉积法，以形成第二介电层于第一介电层之上，并完全覆盖多个金属线。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种，特别是有关于后段制程中利用高密度电浆-内金属介电质(HDP-IMD)沉积的方法，以沟填金属线的间隙。
技术介绍
当半导体尺寸越来越缩小化而元件的积集密度越来越增加时，先进超大型集成电路中的(Ultra Large Scale Integration，ULSI)后段制程(Back End)，由于其金属-金属线间隙随之缩小，因此，大部分的沉积技术无法做到无孔洞的间隙填充。然而，高密度电浆化学气相沉积法(High Density Plasma-Chemical VaporDeposition，HDP-CVD)由于具有良好的沟填能力，可以填充狭窄的间隙且不会造成孔洞，因此，通常用来将氧化物分解，使之成为沟填金属-金属线的间隙的内金属介电质或保护层的材料。高密度电浆化学气相沉积法为一种同时存在沉积与蚀刻的化学气相沉积技术，当图形尺寸缩小时，金属线的宽度以及金属线之间的间隙会变得比较小，然而，由于不能增加金属线的电阻，因此，金属线的高度并不会相对的缩小，故造成一个较大的间隙深宽比(aspect ratio)，并对于内金属介电质(inter-metaldielectric本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属线间的沟填方法，包含：提供一半导体结构，该半导体结构的表面具有多个金属线；形成第一介电层，使用第一高密度电浆来将该第一介电层沉积于每一该金属线的一表面及一侧壁上；移除该第一介电层，使用第二高密度电浆来移除该第 一介电层直至暴露出每一该金属线的该侧壁的一部分，其中，部分该金属线的该表面上具有一近似几何形状的部分该第一介电层；及形成一第二介电层，使用第三高密度电浆来将该第二介电层沉积于该第一介电层之上，并覆盖于该多个金属线之上。

【技术特征摘要】
1.一种金属线间的沟填方法，包含提供一半导体结构，该半导体结构的表面具有多个金属线；形成第一介电层，使用第一高密度电浆来将该第一介电层沉积于每一该金属线的一表面及一侧壁上；移除该第一介电层，使用第二高密度电浆来移除该第一介电层直至暴露出每一该金属线的该侧壁的一部分，其中，部分该金属线的该表面上具有一近似几何形状的部分该第一介电层；及形成一第二介电层，使用第三高密度电浆来将该第二介电层沉积于该第一介电层之上，并覆盖于该多个金属线之上。2.如权利要求权利要求1所述的金属线间沟填的方法，其特征在于，该第一高密度电浆是将一低频射频能量及一高频射频能量加于一第一混合气体中所形成，并藉由一静电吸盘上的偏压来控制。3.如权利要求2所述的金属线间沟填的方法，其特征在于，该第一混合气体包含第一沉积气体、第一惰性气体，以及一氧气。4.如权利要求1所述的金属线间沟填的方法，其特征在于，该第二高密度电浆是将一低频射频能量及一高频射频能量加于第二混合气体中所形成，并藉由一静电吸盘上的偏压来控制。5.如权利要求4所述的金属线间沟填的方法，其特征在于，该第二混合气体包含一第二惰性气体以及一氧气。6.如权利要求1所述的金属线间沟填...

【专利技术属性】
技术研发人员：林平伟，姜兆声，郭国权，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]