一种容性交叉耦合结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种容性交叉耦合结构，包括壳体，壳体内设有至少一个第一谐振腔以及至少一个第二谐振腔，第一谐振腔、第二谐振腔内均设有谐振杆，第一谐振腔与相邻的一个第二谐振腔之间设有飞杆，飞杆为U型状金属结构，飞杆的U型开口朝下，谐振杆的上端设有外翻边，所述飞杆的一侧位于第一谐振腔内，并与第一谐振腔内的谐振杆的外翻边贴焊，所述飞杆的另一侧位于对应的第二谐振腔内，并与对应的第二谐振腔内的谐振杆的外翻边间隔对应，形成耦合。采用上述结构的容性交叉耦合结构空间占用少，无需飞杆卡座，耦合强，在低频设计中非常实用，有效解决常规飞杆因为空间不足无法放置及飞杆无法加强的问题，且加工成本低。且加工成本低。且加工成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种容性交叉耦合结构


[0001]本技术属于通信
，具体涉及一种容性交叉耦合结构。

技术介绍

[0002]在滤波器、合路器等无源射频器件设计中一般都有带外抑制或者端口隔离要求，特别是双工器对带外抑制要求很高，为满足这些要求通常都需要加交叉耦合来实现。交叉耦合可分为容性交叉耦合和感性交叉耦合两种。容性交叉耦合用来抑制左边的通带，感性的用来抑制右边通带。
[0003]传统滤波器中的交叉电容耦合方案是在两个谐振器之间设计哑铃结构飞杆固定在聚四氟卡座里面，飞杆两端与谐振杆间隔布置，实现容性耦合。传统交叉电容耦合方案具有如下缺点：
[0004]1.常规飞杆带聚四氟卡座，空间占用大，且聚四氟易受高低温影响，形变导致飞杆强弱变化，出现指标变化。
[0005]2.常规哑铃结构飞杆在低频宽带设计中耦合量少，往往飞杆无法达到预期强度。
[0006]3.在低频设计中，谐振杆盘面大，翻边深，常规设计飞杆座无法放置。

技术实现思路

[0007]本技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种容性交叉耦合结构，此种容性交叉耦合结构空间占用少，无需飞杆卡座，耦合强，在低频设计中非常实用，有效解决常规飞杆因为空间不足无法放置及飞杆无法加强的问题，且加工成本低。
[0008]本技术的技术方案是这样实现的：本技术公开了一种容性交叉耦合结构，包括壳体，壳体内设有至少一个第一谐振腔以及至少一个第二谐振腔，第一谐振腔、第二谐振腔内均设有谐振杆，第一谐振腔与相邻的一个第二谐振腔之间设有飞杆，所述飞杆为U型状金属结构，飞杆的U型开口朝下，所述谐振杆的上端设有外翻边，所述飞杆的一侧位于第一谐振腔内，并与第一谐振腔内的谐振杆的外翻边固定连接，所述飞杆的另一侧位于对应的第二谐振腔内，并与对应的第二谐振腔内的谐振杆的外翻边对应，形成耦合。
[0009]进一步地，所述飞杆的另一侧位于第二谐振腔内悬空设置，且与第二谐振腔内的谐振杆的外翻边之间设有间距。
[0010]进一步地，壳体上位于第一谐振腔与第二谐振腔之间的隔离壁上端设有第一耦合窗口；所述飞杆穿过第一耦合窗口。
[0011]进一步地，壳体内还设有至少一个第三谐振腔，第三谐振腔内也设有谐振杆，相邻的第一谐振腔、第三谐振腔、第二谐振腔内的谐振杆的中心平面布置在一个三角形的顶点处，使相邻的第一谐振腔、第三谐振腔、第二谐振腔实现一个容性零点。
[0012]进一步地，壳体上位于第一谐振腔与对应的第三谐振腔之间的隔离壁上端设有第二耦合窗口；壳体上位于第二谐振腔与对应的第三谐振腔之间的隔离壁上端设有第三耦合窗口。
[0013]进一步地，所述第一谐振腔内的谐振杆与第二谐振腔内的谐振杆的中心位于同一直线上。
[0014]进一步地，所述飞杆呈U型状，U型状飞杆的U型开口朝下。
[0015]进一步地，所述谐振杆的外翻边设有向外折转的水平翻边和向下折转的竖直翻边，所述U型状飞杆的一侧与第一谐振腔内谐振杆的竖直翻边固定连接，所述U型状飞杆的另一侧与第二谐振腔内的谐振杆的竖直翻边间隔相对。
[0016]进一步地，所述谐振杆的外翻边的水平翻边为圆环形，所述竖直翻边为圆筒形。
[0017]进一步地，飞杆与第一谐振腔内的谐振杆的外翻边贴焊；所述飞杆为铜片。
[0018]进一步地，所述壳体上设有固定孔用于与盖板固定连接。所述盖板固定在壳体上端。
[0019]本技术至少具有如下有益效果：由于本技术的容性交叉耦合结构的谐振杆的上端设有外翻边，所述飞杆为U型状金属结构，飞杆的U型开口朝下，所述飞杆的一侧位于第一谐振腔内，并与第一谐振腔内的谐振杆的外翻边贴焊，所述飞杆的另一侧位于对应的第二谐振腔内，并与对应的第二谐振腔内的谐振杆的外翻边间隔对应，形成耦合。采用上述结构的容性交叉耦合结构空间占用少，无需飞杆卡座，耦合强，在低频设计中非常实用，有效解决常规飞杆因为空间不足无法放置及飞杆无法加强的问题，且加工成本低。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0021]图1为本技术实施例一提供的容性交叉耦合结构的结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例一提供的容性交叉耦合结构的俯视图；
[0023]图3为图2的A
‑
A向剖视图；
[0024]图4为本技术实施例二提供的容性交叉耦合结构的俯视图。
[0025]附图中，1为壳体，11为第一谐振腔，12为第二谐振腔，13为第三谐振腔，14为第一耦合窗口，15为第二耦合窗口，16为第三耦合窗口，17为固定孔，2为谐振杆，21为水平翻边，22为竖直翻边，3为飞杆。
具体实施方式
[0026]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0027]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，本技术的描述中若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”、“若干”的含义是两个或两个以上。
[0030]此外，本技术的描述中若出现术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0031]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种容性交叉耦合结构，包括壳体，壳体内设有至少一个第一谐振腔以及至少一个第二谐振腔，第一谐振腔、第二谐振腔内均设有谐振杆，第一谐振腔与相邻的一个第二谐振腔之间设有飞杆，其特征在于：所述飞杆为U型状金属结构，飞杆的U型开口朝下，所述谐振杆的上端设有外翻边，所述飞杆的一侧位于第一谐振腔内，并与第一谐振腔内的谐振杆的外翻边固定连接，所述飞杆的另一侧位于对应的第二谐振腔内，并与对应的第二谐振腔内的谐振杆的外翻边对应，形成耦合。2.如权利要求1所述的容性交叉耦合结构，其特征在于：所述飞杆的另一侧位于第二谐振腔内悬空设置，且与第二谐振腔内的谐振杆的外翻边之间设有间距。3.如权利要求1所述的容性交叉耦合结构，其特征在于：壳体上位于第一谐振腔与对应的第二谐振腔之间的隔离壁上端设有第一耦合窗口；所述飞杆穿过第一耦合窗口。4.如权利要求1所述的容性交叉耦合结构，其特征在于：壳体内还设有至少一个第三谐振腔，第三谐振腔内也设有谐振杆，相邻的第一谐振腔、第三谐振腔、第二谐振腔内的谐振杆的中心平面布置在一个三角形的顶点处，使相邻的第一谐振腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：李远智，张火林，
申请(专利权)人：武汉德威斯电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：